Продукція > FDC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1574+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 1574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.22 грн
6000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.62 грн
29+26.57 грн
38+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 27278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+63.17 грн
417+33.94 грн
548+25.84 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-PSBMS001onsemiDescription: RECTIFIERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
на замовлення 365423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.51 грн
10000+13.82 грн
100000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.51 грн
10000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-SBMS001onsemiDescription: LV FET / WBG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.51 грн
10000+13.82 грн
100000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.51 грн
10000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ_PSBMS001ON SemiconductorFDC638APZ-PSBMS001
на замовлення 22464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+22.44 грн
10000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 1576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ_PSBMS001ON SemiconductorFDC638APZ-PSBMS001
на замовлення 62400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+22.44 грн
10000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 1576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PONS/FAIМОП-транзистор SSOT-6 P-CH -20V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.54 грн
13+61.39 грн
50+48.89 грн
100+29.86 грн
500+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
528+26.79 грн
3000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PFairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 4,5 А, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 10, Qg, нКл = 14 @ 4,5 В, Rds = 48 мОм @ 4,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 @ 250 мкА, td(on)+tr = 12 нс, td(off)+tf = 33 нс,..
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.59 грн
50+33.72 грн
100+28.02 грн
500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+28.24 грн
589+24.04 грн
666+21.24 грн
1000+19.42 грн
3000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 25433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.16 грн
8+53.00 грн
10+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.20 грн
27+28.24 грн
100+24.04 грн
500+20.48 грн
1000+17.98 грн
3000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.78 грн
21+36.92 грн
25+33.27 грн
100+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P-PonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SFAIRCHILDFDC6392S
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SFAIRCHILDFDC6392S
на замовлення 56481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+29.89 грн
10000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6392S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SFAIRCHILDFDC6392S
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+29.89 грн
10000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SFAIRCHILDFDC6392S
на замовлення 39483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+29.89 грн
10000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392S-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640FAIRCHILD
на замовлення 6504 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.48 грн
6000+22.52 грн
9000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.65 грн
6000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.20 грн
22+34.93 грн
25+34.78 грн
100+27.48 грн
250+25.31 грн
500+20.97 грн
1000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.89 грн
6000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.49 грн
6000+22.53 грн
9000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 106mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6nC
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.87 грн
8+53.67 грн
10+46.13 грн
50+32.37 грн
100+28.35 грн
500+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+34.78 грн
497+28.49 грн
500+28.34 грн
579+23.59 грн
1000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
274+51.66 грн
500+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 70058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+47.85 грн
50+35.31 грн
100+29.33 грн
500+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.41 грн
15+53.60 грн
50+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1249+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 1249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NonsemiMOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 39710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401PFAIRCHLD
на замовлення 6680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.47 грн
20+38.37 грн
25+34.42 грн
100+30.60 грн
250+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 14890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.89 грн
39+19.53 грн
50+19.26 грн
100+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+63.22 грн
1000+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.95 грн
50+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+63.22 грн
1000+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P-NBAD004AonsemiDescription: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 2.
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P_F095onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P_NLFSC07+;
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420ConsemiMOSFETs 20V/-20V N/P
на замовлення 335826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.56 грн
6000+20.27 грн
9000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 35395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.02 грн
50+31.75 грн
100+26.36 грн
500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.24 грн
14+56.81 грн
25+52.02 грн
100+35.43 грн
250+28.86 грн
500+23.91 грн
1000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CFairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,... Тра
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C
Код товару: 44090
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.59 грн
6000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
13+33.13 грн
25+29.35 грн
50+26.92 грн
100+24.66 грн
500+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.09 грн
3000+24.67 грн
6000+23.16 грн
9000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.