Продукція > FDC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC642P-F085P | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-ChannelPowerMosfet | на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC642P-F085P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC642P-F085PBK | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: POWERTRENCH Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC642P-F085PBK | onsemi | MOSFETs PMOS SSOT6 20V 65 MOHM | на замовлення 5865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC642P-F085PBK | onsemi | Description: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, -2 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC642P-F085PBK | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC642P-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC642P/642 | FAIR | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC642P\642 | FAIRCHIL | SOT-163 | на замовлення 25900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC642P_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC642P_SB4N006 | onsemi | Description: MOSFET N-CH SSOT6 Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC6432SH | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDC6432SH | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC6432SH - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC6432SH | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6 Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V Power - Max: 700mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC6432SH | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V/12V 2.4A/2.5A 6-Pin SuperSOT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC6432SH | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6 Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V Power - Max: 700mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk | на замовлення 45128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC6432SH | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V/12V 2.4A/2.5A 6-Pin SuperSOT T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC6432SH-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 154287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 29088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 19844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 17376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 2796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 2796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-6 N-CH | на замовлення 3551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 18074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC645N-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC645N_F095 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC6506P | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-6 P-CH -30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC6506P | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 700mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC6506P | ONS/FAI | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC6506P-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC6506P/506 | FAIR | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC6506P_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-6 P-CH -30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC653N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm | на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-6 N-CH 30V | на замовлення 53830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | ONS/FAI | N-CH 30V 5A SSOT-6 Транзистори | на замовлення 35 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | onsemi | MOSFETs SSOT-6 N-CH 30V | на замовлення 53016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm | на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC653N-F073 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 9018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC653N-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 2792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 914474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V | на замовлення 5960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC654P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC654P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 7068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | ONS/FAI | SSOT-6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 900177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 92994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 132149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-6 P-CH -30V | на замовлення 7110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 12002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC654P SOT163-654 PB-FR | FAIRCHILD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC654P-NL | FAIRCHILD | SOT163-654 PB-FR | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC654P-NLSOT163-654PB-FREE | FAIRCHLD | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC654P_NL | FAIRCHIL | на замовлення 53000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC655AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R | на замовлення 94582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC655AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R | на замовлення 140456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC655AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC655AN | FAIRCHILD | SOT163 | на замовлення 69170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC655AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R | на замовлення 25459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC655AN | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-6 N-CH 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC655AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC655AN | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V | на замовлення 299497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC655AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC655AN-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC655AN_NL | ONS/FAI | ДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБ. ИСП. FDC655BN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC655BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC655BN | onsemi | MOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET | на замовлення 3979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC655BN | ONS/FAI | MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC655BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC655BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 2551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC655BN | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.3A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|

