Продукція > IPA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA65R280E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6 | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R280E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R280E6XKSA1 - IPA65R280 - 650V, N-CHANEL POWER MOSFET, tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 204 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R310CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220FP CoolMOS CFD2 | на замовлення 483 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220FP CoolMOS CFD2 | на замовлення 500 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R310CFDXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 11.4 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 32 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 32 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS CFD2 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R310CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R310CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA | на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R310CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R310CFDXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R310DEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R380C6 | Infineon | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA65R380C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6 | на замовлення 752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R380C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R380C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 10.6 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 31 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 31 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS C6 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R380C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | на замовлення 147 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R380E6 Код товару: 162611
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA65R380E6 | Infineon technologies | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA65R380E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6 | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R380E6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R400CE | Infineon technologies | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA65R400CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.1A; 31W; TO220FP Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 39nC On-state resistance: 0.36Ω Drain current: 15.1A Power dissipation: 31W Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP Kind of channel: enhancement | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 650V TO220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R420CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 8.7A TO220FP CoolMOS CFD2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R420CFD | Infineon Technologies | Description: IPA65R420 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R420CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R420CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R420CFDXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R600C6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C6 | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C6 | на замовлення 467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R600E6 | Infineon Technologies | Description: IPA65R600 - 650V AND 700V COOLMO Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R600E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS E6 | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R600E6 | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA65R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R600E6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R600E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700 Dauer-Drainstrom Id: 7.3 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 63 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 63 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R650CE | Infineon technologies | на замовлення 404 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA65R650CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V TO-220FP-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 28W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm | на замовлення 678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R660CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 6A TO220FP CoolMOS CFD2 | на замовлення 382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R660CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R660CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R660CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA65R660CFDXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA65R660CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA70R360P7S | Infineon / IR | MOSFETs CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA70R360P7S | Infineon | на замовлення 20500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA70R360P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.5A Power dissipation: 26.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of package: tube Pulsed drain current: 34A | на замовлення 104 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA70R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA70R360P7SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26.5W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA70R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 26.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA70R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA70R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA70R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 2881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA70R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA70R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA70R450P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 3024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA70R450P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 10A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V | на замовлення 31924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA70R450P7SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA70R450P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 22.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 22.7 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA70R450P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

