Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK16E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.20 грн
10+155.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W5,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W5,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W5,S1VXToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W5,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16E60W5,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W5S1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60WS1VX(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+551.73 грн
10+361.31 грн
100+265.00 грн
500+220.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.01 грн
10+188.19 грн
100+132.69 грн
500+120.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16G60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16G60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16H60C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VEToshibaMOSFETs TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VEToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W5,S1VQToshibaMOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.95 грн
10+348.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Pulsed drain current: 63.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60WS1VF(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 15.8A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+114.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.57 грн
10+190.43 грн
100+154.05 грн
500+128.51 грн
1000+110.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5LVQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60WLVQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17020TLTOKOSOP8
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17021LTL
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17024MTLTOKO2004
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17024MTL-GTOKO,INC2006
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17030MTL
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17030MTL-G
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17030MTL/030
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17040MTLTOKO
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17040MTL/040
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1705800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1705800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 17P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 17
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.43 грн
10+233.19 грн
100+167.02 грн
500+151.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQToshibaMOSFETs MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(SToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.49 грн
72+197.66 грн
100+190.96 грн
250+178.54 грн
500+160.82 грн
1000+150.62 грн
2500+147.29 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(SToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+261.18 грн
77+183.87 грн
100+154.64 грн
500+140.93 грн
1000+117.86 грн
2000+111.37 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65ZLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17119FTOKO04+ SOT-23-8
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK172PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1217.91 грн
5+1004.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK172PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1217.91 грн
5+1004.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK172PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1217.91 грн
5+1004.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK172PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1217.91 грн
5+1004.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK172PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1217.91 грн
5+1004.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK173PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK173PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK173PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK173PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK173PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65UToshibaMOSFETs Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U(S5PHI,Q,MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U,S5SOYX(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]