Продукція > TK1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK160F10N1LQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1LQ(O-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16102MTLTOKO
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16110MTOKO
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16111MTL
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16112MTCTOKO00+
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16140MTLTOKO
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16140MTL-G
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16213M (TC)Description: BOATING TAPE KIT
Packaging: Bulk
Quantity: Hooks (2), Rolls (2), Strips (44)
Tape Type: Marine
Tape Included: 17002, 2120, 220, 310, 3431, 4950, 838, EMB-45R, SJ3000, SJ3550, SJ3560
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK165A65Z5,S4XToshibaMOSFETs 650 V 0.165 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK165E65Z5,S1XToshibaMOSFETs 650 V 0.165 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK165U65Z5,RQToshiba POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK165U65Z5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 650V 0.165OHM TOLL D
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.40 грн
10+315.15 грн
50+249.91 грн
100+214.83 грн
500+205.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK165U65Z5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 650V 0.165OHM TOLL D
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+240.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK165V60Z1,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK165V60Z1,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.165 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK165V65Z5,LQToshiba POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=150W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16893M (TC)Description: PLANT SAFETY TAPE KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 16A 450V 50W 2300pF 0.27
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 16A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A55DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 16A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 16A 550V 50W 2600pF 0.33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60WToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX
Код товару: 215227
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.99 грн
3+198.60 грн
5+166.19 грн
10+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+195.41 грн
78+183.37 грн
100+158.36 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.52 грн
10+147.93 грн
25+133.83 грн
100+118.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+181.04 грн
97+146.73 грн
107+132.74 грн
117+117.53 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.11 грн
10+191.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX
Код товару: 175497
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.77 грн
10+179.49 грн
25+160.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5S4VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5S4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16C60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 130W 1350pF 15.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16C60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VXToshibaN-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.69 грн
10+235.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W5,S1VXToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W5,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W5,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W5,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16E60W5,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W5S1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60WS1VX(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.96 грн
10+362.12 грн
100+265.59 грн
500+220.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.67 грн
10+188.61 грн
100+132.99 грн
500+120.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16H60C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VEToshibaMOSFETs TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VEToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.24 грн
25+245.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W5,S1VQToshibaMOSFETs TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 15.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 15.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Pulsed drain current: 63.2A
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60WS1VF(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 15.8A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.10 грн
10+190.86 грн
100+154.40 грн
500+128.80 грн
1000+110.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.