Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR4105TRInfineonN-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TR, IRFR4105 IRFR4105 TIRFR4105
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.91 грн
10+93.95 грн
100+63.61 грн
500+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.42 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 8480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.12 грн
10+82.30 грн
100+54.93 грн
500+40.54 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBFInternational RectifierMOSFET N-Ch DPak 55V 27A 45mOhm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.54 грн
500+37.45 грн
1000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.64 грн
4000+33.58 грн
6000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.39 грн
260+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.31 грн
10+73.88 грн
100+42.59 грн
500+33.52 грн
1000+30.58 грн
2000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.64 грн
14+61.59 грн
100+45.54 грн
500+37.45 грн
1000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZPBF
Код товару: 177671
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 21 A
Rds(on), Ohm: 24,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/18
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR4105ZPBF - IRFR4105 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4105ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.12 грн
500+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4105ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.91 грн
12+68.43 грн
100+53.12 грн
500+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.09 грн
10+67.05 грн
100+45.25 грн
500+35.68 грн
1000+31.42 грн
2000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.64 грн
235+60.37 грн
268+53.04 грн
280+48.98 грн
500+42.82 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420HARRISIRFR420
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.67 грн
500+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420Harris CorporationDescription: 2.5A 500V 3.000 OHM N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420
Код товару: 18228
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252A
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/19
Монтаж: SMD
у наявності: 32 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.50 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420IR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4209AS5000HARRISSOT252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420AIR06+ PLCC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR420APBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBFVishayIRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBFVishayIRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBFVishayIRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.50 грн
176+80.96 грн
500+72.71 грн
1000+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.82 грн
10+76.69 грн
100+55.23 грн
500+49.58 грн
1000+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.38 грн
12+71.45 грн
100+55.89 грн
500+47.13 грн
1000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBFVishayIRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.05 грн
10+96.04 грн
100+80.57 грн
500+69.77 грн
1000+52.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.11 грн
75+67.19 грн
150+63.41 грн
525+50.85 грн
1050+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBFVishayIRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+125.10 грн
139+102.52 грн
154+92.35 грн
525+75.08 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 819 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.96 грн
10+64.47 грн
40+57.07 грн
50+55.81 грн
75+53.62 грн
150+49.67 грн
525+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATMIORTO-252 0051+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR420ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.05 грн
10+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF
Код товару: 37812
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+117.99 грн
4000+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.83 грн
10+92.89 грн
100+63.20 грн
500+47.37 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+117.99 грн
4000+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.26 грн
10+107.60 грн
100+63.68 грн
500+50.83 грн
1000+46.71 грн
2000+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR420ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420BFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420B
Код товару: 119354
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420BTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+73.06 грн
232+61.23 грн
265+53.66 грн
525+47.57 грн
1050+43.60 грн
2025+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 6393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.24 грн
10+60.07 грн
100+42.11 грн
500+36.17 грн
1000+32.68 грн
3000+30.65 грн
6000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 16536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.68 грн
14+60.94 грн
100+48.88 грн
500+38.81 грн
1000+32.26 грн
5000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.52 грн
10+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.11 грн
75+69.18 грн
150+62.36 грн
525+49.42 грн
1050+45.47 грн
2025+42.32 грн
5025+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.06 грн
75+61.23 грн
150+53.66 грн
525+47.57 грн
1050+43.60 грн
2025+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF (IRFR420TRPBF)
Код товару: 39280
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 500 V
Idd,A: 1,5 A
Ciss, pF/Qg, nC: 360/19
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
  • 10 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.54 грн
75+92.58 грн
150+70.43 грн
525+55.82 грн
1050+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.59 грн
10+80.14 грн
100+63.05 грн
500+53.00 грн
1000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TFairchild SemiconductorDescription: 2.5A, 500V, 3OHM, N-CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+66.59 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR420T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TON SemiconductorIRFR420T
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+93.64 грн
500+84.28 грн
1000+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET
на замовлення 6107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.16 грн
10+93.15 грн
100+49.58 грн
500+44.48 грн
6000+41.76 грн
9000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK (TO-252AA) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.12 грн
10+66.57 грн
100+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.06 грн
24+31.84 грн
25+31.53 грн
100+27.33 грн
250+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]