Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR4615TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 | на замовлення 7578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR4620 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFR4620PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR4620PBF Код товару: 37550
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Uds,V: 200 V Idd,A: 24 A Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25 Монтаж: SMD | у наявності: 27 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR4620PBF | International Rectifier | DPAK=TO-252AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR4620PBF | Infineon | DPAK=TO-252AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRL | Infineon | Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4620; IRFR4620; IRFR4620TRL; IRFR4620-GURT; SP001552208; IRFR4620TRL TIRFR4620 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRL | Infineon | Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4620; IRFR4620; IRFR4620TRL; IRFR4620-GURT; SP001552208; IRFR4620TRL TIRFR4620 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRL | Infineon | Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4620; IRFR4620; IRFR4620TRL; IRFR4620-GURT; SP001552208; IRFR4620TRL TIRFR4620 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm | на замовлення 4920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | на замовлення 18546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg | на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 24A Power dissipation: 144W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | на замовлення 2041 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm | на замовлення 4920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRPBF | International Rectifier | DPAK=TO-252AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR4620TRLPBF-EL | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFR48Z | International Rectifier | N-MOSFET 55V 42A 91W IRFR48Z TIRFR48z кількість в упаковці: 75 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48Z Код товару: 99948
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFR48ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 40nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRL | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 42 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 91 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 40nC | на замовлення 4230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Power dissipation: 91W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 42 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 91 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V | на замовлення 3844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 11893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 62A 11mOhm 40nC Qg | на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRR | IR | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFR5035 | IR | на замовлення 3001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFR5305 | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305 | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 43252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305 | Infineon | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305 | SLKOR | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305 | IR | 07+ TO-252 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR5305/PBF | на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRFR5305CPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 2 Од. вим: ш кількість в упаковці: 75 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF Код товару: 2560
2
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 25 A Rds(on),Om: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: SMD | у наявності: 623 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF | International Rectifier | P-ch. DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF | IRFR5305PBF Транзисторы | на замовлення 109 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFR5305T | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR Код товару: 185048
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 25 A Rds(on),Om: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: SMD | у наявності: 504 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 16000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 87 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 5800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 22863 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 195 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR | JGSEMI | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR IRFR5305TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRL | на замовлення 1390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRFR5305TRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 368 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | на замовлення 3960 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 20020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC | на замовлення 33757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

