Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP3027LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDE-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDE-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
12+26.92 грн
100+17.25 грн
500+12.25 грн
1000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
на замовлення 6808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+34.78 грн
25+28.99 грн
50+23.85 грн
100+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.6A; Idm: -40A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 660mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 660mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A
на замовлення 6734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+31.26 грн
100+20.10 грн
500+14.34 грн
1000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.6A; Idm: -40A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7-WDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.59 грн
100+19.65 грн
500+14.02 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.93 грн
6000+10.52 грн
9000+10.03 грн
15000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDEQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.88 грн
5000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 27A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -22A; Idm: -40A; 1.6W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: -22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 25mΩ
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.01 грн
11+38.89 грн
100+25.34 грн
500+19.61 грн
1000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 27A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
на замовлення 6495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.29 грн
25+38.80 грн
50+32.03 грн
100+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss
на замовлення 9595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.6A; Idm: -40A; 1.8W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.63 грн
25+42.42 грн
50+35.04 грн
100+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 21A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1372 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+58.03 грн
100+38.43 грн
500+28.14 грн
1000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -70A; 2.12W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.12W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 21A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1372 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.26 грн
5000+22.51 грн
7500+21.58 грн
12500+19.28 грн
17500+18.70 грн
25000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 21A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1372 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-7Diodes IncorporatedMOSFET GenPurposeTranstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1372 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30 V PowerDI5060-8 T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSW-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1421 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 41462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+54.82 грн
25+46.04 грн
50+38.08 грн
100+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 9330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.27 грн
7500+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; Idm: -30A; 1.1W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3030SN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3030SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.52 грн
6000+6.58 грн
9000+6.25 грн
15000+5.51 грн
21000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3030SN-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V 700mA
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3030SN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -700mA; Idm: -2.8A; 500mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: -2.8A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -700mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.43 грн
21+19.86 грн
100+12.46 грн
500+8.81 грн
1000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3030SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 87779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
14+21.46 грн
100+13.64 грн
500+9.61 грн
1000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 20 V
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.08 грн
5000+13.79 грн
12500+12.80 грн
25000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs SINGLE P-CHANNEL
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035SFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3035SFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.015 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035SFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -70A; 2.3W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.3W
Gate charge: 35.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.64 грн
10+43.21 грн
12+35.07 грн
100+17.78 грн
500+13.79 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2
на замовлення 4127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035SFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3035SFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.015 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 15 V
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.56 грн
100+25.73 грн
500+18.53 грн
1000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.52 грн
6000+13.77 грн
9000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 11874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+38.74 грн
100+25.58 грн
500+18.50 грн
1000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 223736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+41.88 грн
100+27.30 грн
500+19.74 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.97 грн
4000+15.88 грн
6000+15.15 грн
10000+13.45 грн
14000+12.99 грн
20000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 4473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.65 грн
100+23.75 грн
500+17.08 грн
1000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 20865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.65 грн
100+23.75 грн
500+17.08 грн
1000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.