Продукція > GD2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X25MPS17N | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SIC 1700V 50A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GENESIC | Description: GENESIC - GD2X30MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 88 A, 46 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 88A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC) Diode Configuration: 2 Independent Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GENESIC | Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 46nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X30MPS12N | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GENESIC | Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 97nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X50MPS12N | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SIC 1200V 76A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor | 650V 120A SiC Schottky MPS Diode | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227 Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC) Diode Configuration: 2 Independent Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor | 650V 120A SiC Schottky MPS Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor | 650V 120A SiC Schottky MPS Diode | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X75-ST-O/B | Checkers Industrial Products | Description: 2 CH GUARD DOG, LOW PROFILE, Packaging: Box Color: Orange Lid/Black Base Type: Cable Protector Part Status: Active Construction: Urethane Height (Inches): 1.25 Length (Inches): 36 Width (Inches): 11.94 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X75MPS17N | GENESIC SEMICONDUCTOR | Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 524nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X75MPS17N | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SIC 1700V 115A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 115A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

