Продукція > STL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STL4P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
6000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 4 A STripFET H6 Power MOSFET in PowerFLAT 2x2 pack
на замовлення 7258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL5-450-6M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50552F21S100
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.63 грн
9000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.38 грн
6000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 57A; Idm: 228A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.23 грн
10+62.16 грн
100+46.04 грн
500+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 17685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+84.06 грн
50+63.28 грн
100+53.11 грн
500+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.22 грн
6000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsMOSFETs Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ 57 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 6212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL50N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+65.14 грн
50+48.54 грн
100+40.52 грн
500+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 9 mOhm typ 60 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL50N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL50N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.009 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL50N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.009 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL50NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 27A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL50NH3LL
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL50NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 27A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL510-104
на замовлення 681 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL51005NInfineon TechnologiesDescription: LOW POWER 1300 NM FP LASER
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL51005NE9203
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL5197ABB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL51N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 0.0105 Ohm 51A STripFET V
на замовлення 2612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL51N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL52DN4LF7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A POWERFLAT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL52DN4LF7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N25M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N25M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N25M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N4LF7AGSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N60DM6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2468 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N60DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 174W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 174W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N60DM6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2468 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N60DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 174W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL5411FNSTPLCC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL5411PDIP
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL5444B1AF
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL5444FN4STPLCC
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL55NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL566
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL56N3LLH5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 56A; Idm: 224A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerFLAT 5x6
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.17 грн
10+53.93 грн
100+35.57 грн
500+27.84 грн
1000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL56N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +22V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL56N3LLH5STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 30V 15A 0.0076 Ohm STripFET
на замовлення 14956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL56N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +22V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+54.07 грн
100+35.82 грн
500+26.24 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL57
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL57N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL57N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.061 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL57N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 5034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+855.07 грн
10+572.49 грн
50+465.31 грн
100+430.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL57N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; Idm: 90A; 189W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 189W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL57N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.061 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL57N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+389.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL58N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +22V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+92.81 грн
50+70.14 грн
100+58.96 грн
500+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL58N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +22V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL58N3LLH5STMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-channel 30 V, 0.0076 Ohm, 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerF
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL5N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.45 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL5N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL5NK55ZSTQFN8 06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL5NK65ZST09+
на замовлення 673 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL6020-2AXF
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL6020-3AXFSENTELIC
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL60N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
на замовлення 14477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.22 грн
10+93.93 грн
100+63.55 грн
500+47.44 грн
1000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL60N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
на замовлення 26933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL60N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.63 грн
6000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL60N32N3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL60N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL60N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 17A STripFET V Power
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL60N3LLH5STMMOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL60NH3LLST06+
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL60NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL60NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL60P4LLF6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel -40 V, 0.0115 Ohm typ -60 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL60P4LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 40V 60A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL60P4LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL60P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0115 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL60P4LLF6STMicroelectronicsCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -60A; Idm: -240A; 100W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 100W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL60P4LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.53 грн
50+71.35 грн
100+59.95 грн
500+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL60P4LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 40V 60A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL60P4LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL60P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0115 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL60P4LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 40V 60A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL60P4LLF6STMMOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL60P4LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6110SAMSUNG94+
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL6131-3A4FSENTELIC
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL6221-1A4F
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL6230-3CXF
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL62P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL62P3LLH6STMicroelectronicsMOSFET P-channel 30 V, 0.009 Ohm typ., 62 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL64DN4F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL64DN4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 57W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL64N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL64N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 7.0 mOhm typ., 64 A STripFET F7 Power MOSFET in
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6561ST09+ SOP8
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL6562
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL65DN3LLH5STMicroelectronicsMOSFET Dual N-ch 30 V,19A STripFET V Pwr Mos
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL65DN3LLH5
Код товару: 94345
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL65DN3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.