Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7336ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 7823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.23 грн
10+165.66 грн
100+116.29 грн
500+97.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+123.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3VISHAY07 08N
на замовлення 7557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+123.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
на замовлення 22836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.97 грн
10+95.27 грн
25+94.92 грн
100+88.90 грн
250+81.86 грн
500+73.42 грн
1000+65.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+101.97 грн
149+94.92 грн
154+88.90 грн
250+81.86 грн
500+73.42 грн
1000+65.53 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-ES
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 30A 5.4W 3.0mohm @ 10V
на замовлення 7966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 7397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.37 грн
10+95.38 грн
100+67.92 грн
500+52.30 грн
1000+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7336ADP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3Vishay / Siliconix08+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+131.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336DP-T1VISHAY2003
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336DP/ADP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 6543 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7342DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7344DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7344DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7344DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7356ADP-T1-E3
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7356ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7356ADP-T1-GE3
на замовлення 7472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7356ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7358ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7358ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7358DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7363ADP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-E3VISHAT09+ TO220
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7368DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7368DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DPVISHAYQFN-8 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SI7460DP-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 24515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.01 грн
10+157.25 грн
100+109.45 грн
500+83.54 грн
1000+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7370DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.6 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.97 грн
6000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 34383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.89 грн
10+209.89 грн
100+168.68 грн
500+130.06 грн
1000+107.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3VishaySI7370DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 46332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+111.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3Vishay
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3VishaySI7370DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.67 грн
10+136.60 грн
25+134.44 грн
100+127.64 грн
250+116.26 грн
500+109.83 грн
1000+108.06 грн
3000+106.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7374DP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7374DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7374DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 56W
Gate charge: 122nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 6.6mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7374DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7374DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7374DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7376DP-T1-E3
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7380ADP-T1-E3VISHAY07+
на замовлення 10854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7380ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7380ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7380DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-E3
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-GE3
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 9.5mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.57 грн
10+92.79 грн
100+64.10 грн
500+53.93 грн
1000+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30 Volt 19 Amp 5W
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3VISHAY2007
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7386DP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 19A, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 19
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 28706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.33 грн
10+61.48 грн
100+47.84 грн
500+38.06 грн
1000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 9.5mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7388DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7388DP-T1-E3VISHAYQFN8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7388DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]