Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK17A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+312.29 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.19 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5X(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5S5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65WS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65WS5X(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.93 грн
50+230.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+379.05 грн
50+341.33 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80WS4X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65WS1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.35 грн
50+228.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
на замовлення 50 шт:
термін постачання 64-73 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+320.84 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1X(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80WS1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17J65U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17J65U(F)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 17A 650V 190W 1450pF 0.26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17LV040
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65WS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.63 грн
10+236.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQToshibaMOSFETs DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18.432MH204+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1805800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 18P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 18
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1805800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1840VISHAY04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18813M (TC)Description: ART TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Part Status: Obsolete
Tape Included: 3903, 4008, 4408, 6900, 850, CM592, SJ5012, SJ6512
Tape Type: Household
Quantity: Rolls (4), Strips (49)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A30D,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 300V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A30D,S5XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A30D,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.03 грн
10+106.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A30DS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50DToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(Q)TOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(QM)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 18A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Technology: MOSFET
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
700+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+334.73 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,X,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK18A50D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4,X,M)Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D(STA4XM)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18C60VS1VQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18E10K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18E10K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 18A 100V 71W 0.042 Ohm
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK18E10K3,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18E10K3,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK18E60VS1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK18G60VRQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK19
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1905800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1905800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 19P SIDE ENTRY 5MM PCB
Voltage: 250 V
Number of Levels: 1
Current: 15 A
Part Status: Active
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Positions Per Level: 19
Mating Orientation: Horizontal with Board
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Wire Gauge: 12-22 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Gray
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK19058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2070 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190A65Z,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190A65Z,S4XToshibaMOSFETs MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK190A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.158 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E60Z1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 14 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.85 грн
10+159.69 грн
50+138.47 грн
100+123.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E65Z,S1XToshibaMOSFETs 650V DTMOS VI TO-220 190mohm
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E65Z,S1XToshiba650V DTMOS VI TO-220 190mohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.17 грн
50+141.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.158 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.04 грн
10+211.48 грн
25+194.64 грн
100+165.27 грн
250+156.98 грн
500+151.98 грн
1000+145.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+159.88 грн
4000+150.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.31 грн
10+194.16 грн
100+137.68 грн
500+120.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+103.50 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.50 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.149 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.149ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.149ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.149 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.149ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK191-00100Aptiv (formerly Delphi)Aptiv TERM M MMC 025 SN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK195-00100Aptiv (formerly Delphi)Aptiv TERM F MMC 025 SN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK19A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]