Продукція > TK1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK16V60W5,LVQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+114.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5LVQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60WLVQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17020TLTOKOSOP8
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17021LTL
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17024MTLTOKO2004
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17024MTL-G2006
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17030MTL
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17030MTL-G
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17030MTL/030
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17040MTLTOKO
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17040MTL/040
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1705800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 17P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 17
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1705800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.85 грн
10+210.67 грн
50+164.37 грн
100+140.26 грн
500+122.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQToshibaMOSFETs MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+389.14 грн
40+355.43 грн
43+332.55 грн
50+296.99 грн
100+248.39 грн
250+203.08 грн
500+194.41 грн
1000+185.15 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Gate charge: 29nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+210.30 грн
30+154.56 грн
50+147.08 грн
100+140.43 грн
300+122.98 грн
500+122.15 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+379.70 грн
50+349.14 грн
100+312.10 грн
250+251.83 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+389.14 грн
10+355.43 грн
25+332.55 грн
50+296.99 грн
100+248.39 грн
250+203.08 грн
500+194.41 грн
1000+185.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65ZLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17119FTOKO04+ SOT-23-8
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK172PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1220.62 грн
5+1006.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK172PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1220.62 грн
5+1006.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK172PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1220.62 грн
5+1006.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK172PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1220.62 грн
5+1006.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK172PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1220.62 грн
5+1006.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK173PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK173PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK173PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK173PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK173PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65UToshibaMOSFETs Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U(S5PHI,Q,MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65U,S5SOYX(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.10 грн
10+196.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W,S5X(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.10 грн
10+275.00 грн
25+243.71 грн
50+220.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.10 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5X(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.19 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65W5S5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65WS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A65WS5X(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.68 грн
50+225.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+379.89 грн
50+342.09 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80WS4X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65WS1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1X(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+321.56 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80WS1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17J65U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17J65U(F)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 17A 650V 190W 1450pF 0.26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17LV040
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65WS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQToshibaMOSFETs DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.