Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR9214TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.19 грн
10+79.05 грн
100+61.21 грн
500+49.45 грн
1000+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.90 грн
137+103.84 грн
143+99.22 грн
200+90.67 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9214TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 2.7 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.84 грн
10+84.00 грн
25+83.16 грн
100+76.67 грн
250+62.23 грн
500+57.06 грн
1000+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRRIRTO-252
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220onsemiMOSFETs TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220SiliconixTransistor P-MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,6A; 42W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR9220TRL; IRFR9220; IRFR9220TR; IRFR9220TRR; IRFR9220 TIRFR9220
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.66 грн
10+112.13 грн
100+79.39 грн
500+69.99 грн
1000+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBFVishayMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.22 грн
10+87.17 грн
100+64.44 грн
500+40.92 грн
1000+32.82 грн
5000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.21 грн
179+79.45 грн
500+72.63 грн
1000+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBFVishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.22 грн
10+85.92 грн
100+61.87 грн
500+51.25 грн
1000+46.92 грн
3000+45.95 грн
6000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.32 грн
75+90.24 грн
150+81.72 грн
525+65.32 грн
1050+60.40 грн
2025+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.32 грн
10+125.12 грн
100+86.52 грн
500+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 7833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.47 грн
10+145.35 грн
100+87.28 грн
500+70.53 грн
1000+66.06 грн
3000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRIR4
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.34 грн
10+110.01 грн
100+66.06 грн
500+56.00 грн
1000+49.58 грн
3000+46.85 грн
6000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+17.25 грн
835+16.98 грн
849+16.71 грн
863+15.86 грн
877+14.44 грн
1000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.32 грн
10+125.12 грн
100+86.52 грн
500+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.92 грн
44+17.25 грн
45+16.38 грн
100+14.92 грн
250+14.09 грн
500+13.86 грн
1000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
на замовлення 300 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.56 грн
4000+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.82 грн
131+108.35 грн
137+103.86 грн
250+86.75 грн
500+68.87 грн
1000+56.02 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFInternational RectifierMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.68 грн
10+85.12 грн
100+48.60 грн
500+38.48 грн
2000+32.82 грн
4000+31.49 грн
10000+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.32 грн
10+125.12 грн
100+86.52 грн
500+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.84 грн
8000+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF
Код товару: 166997
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9220TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.31 грн
11+79.59 грн
100+63.87 грн
500+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.38 грн
12+68.57 грн
25+67.88 грн
100+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 12198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.01 грн
10+77.33 грн
100+44.48 грн
500+36.45 грн
1000+31.98 грн
2000+31.91 грн
4000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.32 грн
10+125.12 грн
100+86.52 грн
500+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.32 грн
10+125.12 грн
100+86.52 грн
500+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.34 грн
10+110.01 грн
100+66.06 грн
500+56.00 грн
1000+49.58 грн
3000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310
Код товару: 31820
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 400 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+22.00 грн
10+19.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310SiliconixP-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310SiliconixP-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.45 грн
13+62.31 грн
100+62.03 грн
500+59.73 грн
1000+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.74 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 16016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.05 грн
14+59.14 грн
100+47.33 грн
500+37.29 грн
1000+29.96 грн
5000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.45 грн
162+87.69 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.19 грн
10+50.01 грн
75+41.52 грн
150+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.74 грн
14+57.40 грн
100+57.23 грн
500+55.13 грн
1000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.40 грн
75+67.10 грн
150+60.46 грн
525+47.86 грн
1050+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+62.31 грн
229+62.03 грн
500+61.94 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFIRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 4721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.05 грн
10+58.30 грн
100+40.57 грн
500+39.94 грн
6000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TR
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.40 грн
10+94.33 грн
100+64.21 грн
500+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 13684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.49 грн
10+100.38 грн
100+58.03 грн
500+47.55 грн
1000+42.11 грн
3000+39.17 грн
6000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 18404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.49 грн
10+100.38 грн
100+58.03 грн
500+49.23 грн
1000+47.83 грн
3000+40.22 грн
6000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.40 грн
10+94.33 грн
100+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.08 грн
50+70.39 грн
100+54.91 грн
500+44.63 грн
1000+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+196.04 грн
101+141.74 грн
129+109.98 грн
500+68.85 грн
1000+57.97 грн
2000+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayP-CH 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.02 грн
12+66.88 грн
25+65.34 грн
100+58.32 грн
250+53.46 грн
500+48.70 грн
1000+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+66.88 грн
217+65.34 грн
235+60.48 грн
250+57.74 грн
500+50.73 грн
1000+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 7731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.18 грн
10+101.67 грн
100+69.17 грн
500+51.88 грн
1000+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.91 грн
500+44.63 грн
1000+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 15505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.82 грн
10+93.95 грн
100+56.07 грн
500+46.16 грн
1000+42.11 грн
2000+40.29 грн
4000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Gate charge: 13nC
Power dissipation: 50W
On-state resistance: 7Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.54 грн
5+105.74 грн
10+91.20 грн
50+64.89 грн
100+57.07 грн
500+45.30 грн
1000+40.18 грн
2000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.88 грн
4000+43.91 грн
6000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]