Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR9310TRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9920
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DIR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20D
Код товару: 31144
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBF
Код товару: 132758
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 9.4A 380mOhm 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBFInfineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.38 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 86
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.38 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRPBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20VishayTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFRC20 smd TIRFRC20
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20?94-4787?IRTO-252
на замовлення 20550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF
Код товару: 110642
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 600V 2A N-CH
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.16 грн
10+59.42 грн
100+49.02 грн
500+44.27 грн
1000+40.78 грн
3000+28.42 грн
9000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishay SiliconixDPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 4.4Ω
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.00 грн
10+47.15 грн
75+39.92 грн
150+38.08 грн
525+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.12 грн
18+47.90 грн
100+44.81 грн
500+37.97 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.36 грн
23+33.59 грн
100+33.12 грн
500+31.27 грн
1000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+33.59 грн
428+33.12 грн
500+32.43 грн
1000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20Vishay SiliconixDPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.40 грн
10+105.07 грн
100+71.94 грн
500+54.19 грн
1000+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 8749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.71 грн
10+112.42 грн
100+67.24 грн
500+53.84 грн
1000+52.58 грн
3000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRVishay SiliconixDPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.22 грн
10+114.03 грн
100+67.87 грн
500+54.33 грн
1000+53.91 грн
3000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.26 грн
10+157.50 грн
100+107.51 грн
500+83.12 грн
1000+76.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.41 грн
500+59.84 грн
1000+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.50 грн
132+107.51 грн
500+86.20 грн
1000+82.49 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.41 грн
10+99.39 грн
100+77.80 грн
500+59.46 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.41 грн
10+97.97 грн
100+56.70 грн
500+46.44 грн
1000+41.13 грн
3000+35.68 грн
6000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.98 грн
10+81.55 грн
100+59.97 грн
500+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.46 грн
4000+34.13 грн
6000+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.12 грн
10+86.35 грн
100+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.16 грн
10+81.10 грн
100+53.28 грн
2000+49.02 грн
4000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.96 грн
4000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.73 грн
8000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF
Код товару: 40234
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+29.00 грн
10+25.60 грн
100+22.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.96 грн
4000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.41 грн
4000+34.08 грн
6000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.91 грн
10+59.61 грн
100+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.77 грн
10+58.93 грн
100+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.58 грн
4000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.58 грн
4000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 600V 2A N-CH
на замовлення 14855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.31 грн
10+73.24 грн
100+42.46 грн
500+34.84 грн
1000+30.51 грн
2000+25.77 грн
4000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRO24NTR-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR-CN CHIPNOBO TIRFR024 CNB
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRQ9220TRPBF
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-040.6-NONC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.6MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2348.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-040.6-PONC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.6MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2348.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-040.8-NONC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2348.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-040.8-PONC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2348.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-NNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-NNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-NOWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-NOWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-PNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-PNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-POWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-POWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Polyamide (PA), Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.031" (0.8mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M5
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2317.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-NNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-NNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-NOWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]