Продукція > tsm

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM060N03PQ33Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 30V, 62A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1342 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03PQ33 RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1342 pF @ 15 V
на замовлення 11995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.33 грн
10+40.18 грн
50+29.58 грн
100+24.54 грн
500+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03PQ33 RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1342 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03PQ33 RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 62A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 9984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060NB06CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 111A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060NB06CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6842 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.23 грн
10+123.45 грн
100+84.76 грн
500+64.03 грн
1000+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060NB06LCZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 111A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060NB06LCZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6273 pF @ 30 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.89 грн
10+98.71 грн
100+67.81 грн
500+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM061NA03CRTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHL 30V, 88A, 6.1mOhm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM061NA03CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHL 30V, 88A, 6.1mOhm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM061NA03CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM061NA03CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM061NA03CVTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 66A, 6.1mOhm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM061NA03CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM061NA03CV RGGTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 66A, 6.1mOhm
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NA04LCRTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHL, 40V, 91A, 7mOhm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NA04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NA04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHL, 40V, 91A, 7mOhm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NA04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2403 pF @ 20 V
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.64 грн
10+58.31 грн
100+38.74 грн
500+28.47 грн
1000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2403 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NB04LCRTaiwan SemiconductorLDO Voltage Regulators 40V, 75A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NB04LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 75A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NB04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2151 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.66 грн
5000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NB04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 75A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NB04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NB04LCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15A; 28W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NB04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 75A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NB04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2151 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.64 грн
10+58.31 грн
100+38.74 грн
500+28.47 грн
1000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 25 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.44 грн
10+65.14 грн
100+43.50 грн
500+32.12 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 25 V
на замовлення 9904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.04 грн
10+61.72 грн
100+41.10 грн
500+30.26 грн
1000+27.59 грн
2000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04CV RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 9972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04LCRTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54A 8-Pin PDFN-U EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446 pF @ 25 V
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.01 грн
10+71.68 грн
100+47.87 грн
500+35.35 грн
1000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04LCV RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 9873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1376 pF @ 25 V
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.04 грн
10+61.72 грн
100+41.10 грн
500+30.26 грн
1000+27.59 грн
2000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1376 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM075NH10CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100A, 100V, SINGLE, N-CHANNEL LO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.92 грн
10+104.58 грн
100+71.33 грн
500+53.60 грн
1000+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM075NH10CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100A, 100V, SINGLE, N-CHANNEL LO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM075NH10LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100A, 100V, SINGLE, N-CHANNEL LO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM075NH10LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100A, 100V, SINGLE, N-CHANNEL LO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.69 грн
10+105.10 грн
100+71.66 грн
500+53.84 грн
1000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1217pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 34A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1217pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.18 грн
10+93.51 грн
100+63.66 грн
500+47.74 грн
1000+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.18 грн
10+93.51 грн
100+63.66 грн
500+47.74 грн
1000+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04LDCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 34A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080N03EPQ56Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 30V, 55A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080N03EPQ56 RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 55A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 7883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080N03EPQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080N03EPQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 3842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.36 грн
10+46.20 грн
50+34.17 грн
100+28.40 грн
500+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080N03PQ56Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 30V, 73A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 843 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080N03PQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 73A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 843 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080N03PQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 73A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 843 pF @ 15 V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.96 грн
10+42.63 грн
100+27.81 грн
500+20.11 грн
1000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080N03PQ56 RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 73A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080NB03CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1097 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080NB03CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 30V, 59A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080NB03CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1097 pF @ 15 V
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.53 грн
10+49.47 грн
50+36.62 грн
100+30.47 грн
500+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085N03PQ33Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085N03PQ33 RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085N03PQ33 RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
на замовлення 10606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.33 грн
10+39.66 грн
50+29.16 грн
100+24.19 грн
500+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085N03PQ33 RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 52A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085NB03CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1101 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085NB03CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1101 pF @ 15 V
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.73 грн
10+42.78 грн
50+31.55 грн
100+26.19 грн
500+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085NB03DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.47 грн
10+71.08 грн
50+53.23 грн
100+44.55 грн
500+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085NB03DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -30, -34, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3216 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CS RLGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 34A; 14W; -55°C ~ 150°C; TSM085P03CS RLG TSM085P03CS TTSM085p03cs
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3216 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CS RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs -30, -34, Single P-Channel
на замовлення 7723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3216 pF @ 15 V
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.67 грн
10+64.55 грн
50+48.17 грн
100+40.25 грн
500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3234 pF @ 15 V
на замовлення 25603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.64 грн
10+58.01 грн
50+43.18 грн
100+36.01 грн
500+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CV RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs -30, -64, Single P-Channel
на замовлення 9082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3234 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.31 грн
15000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM088NA03CRTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 61A, 8.8mOhm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM088NA03CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM088NA03CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 61A, 8.8mOhm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM088NA03CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM089N08LCRTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 80V, 67A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6119 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM089N08LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6119 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM089N08LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 80V, 67A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM089N08LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6119 pF @ 40 V
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+120.33 грн
50+91.80 грн
100+77.52 грн
500+62.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM090N03CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 30V, 50A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM090N03CP ROGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM090N03CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM090N03CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM090N03CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.76 грн
10+49.17 грн
50+36.39 грн
100+30.27 грн
500+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM090N03ECPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 30V, 50A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM090N03ECP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM090N03ECP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 5672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.36 грн
10+45.90 грн
100+30.15 грн
500+21.91 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM090N03ECP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM098NM10CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 49A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252A
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM098NM10CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 49A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.