Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS3206 Код товару: 99508
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 120 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,4 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6540/120 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFS3206PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 120nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3206PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3206TRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207 | IR | TO-263 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207PBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 180nC | на замовлення 818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Verlustleistung: 300 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V | на замовлення 5396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 180A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3207Z | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207Z Код товару: 99509
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 75 В Струм стоку Idd, А: 120 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6920/120 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFS3207ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 120nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207ZPBF | International Rectifier | N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 75V; 170A; 300W; D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207ZTRRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3207ZTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3207ZTRRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3207ZTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3207ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306 Код товару: 99510
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 120 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4520/85 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFS3306 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3306 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRFS3306 TIRFS3306 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306PBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 85nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3306PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 110A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 230W Pulsed drain current: 620A | на замовлення 374 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg | на замовлення 916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V | на замовлення 8518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3307 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307Z Код товару: 99511
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 75 В Струм стоку Idd, А: 120 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,6 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4750/79 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFS3307Z | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZPBFTRL | INTERNATIONAL RECTIFIER S.E. | 0652 | на замовлення 128 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg | на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 90142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 27200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 50400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 37713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS33N15D | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |