Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS33N15D | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15DPBF | Infineon / IR | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15DTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 216 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15DTRLP | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 150V 33A 56mOhm 60nC | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15DTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15DTRLP-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO263-3-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3507 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3507PBF Код товару: 109173
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3507PBF | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFS3507PBF | International Rectifier | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 75V, RDS(ON) 7 Milliohms, ID 97A, D2Pak, PD 190W, VGS +/-20V Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3507TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS350A | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFS350A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 147 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS350A | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 132 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607PBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 56nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFS3607PBF - IRFS3607 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg | на замовлення 848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 11397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 54400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | на замовлення 7587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 11397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | на замовлення 2138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | International Rectifier HiRel Products | IRFS3607TRLPBF | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 54400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF Код товару: 200325
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | на замовлення 7587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| irfs37n50a | на замовлення 998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFS3806 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806PBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806PBF Код товару: 143751
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFS3806PBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 27200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 38400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 68800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | на замовлення 6697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg | на замовлення 8272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 68800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 31A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 71W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS38N20D | IR | TO-263 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC | на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DPBF IR транзистор Код товару: 60357
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC | на замовлення 1252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

