Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFS3107TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+210.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20D
Код товару: 126396
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DHRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.49 грн
10+236.05 грн
25+233.69 грн
100+223.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DHRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DPBFJSMicroD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2370 @ 25, Qg, нКл = 107 @ 10 В, Rds = 82 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPInternational RectifierN-MOSFET 31A 200V 3,1W IRFS31N20D TIRFS31N20D
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP (D2-PAK)
Код товару: 160050
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRRPInfineon / IRMOSFET 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20NS
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206
Код товару: 99508
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6540/120
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+53.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+108.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.29 грн
1600+103.37 грн
2400+102.76 грн
4000+92.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+311.57 грн
65+217.21 грн
105+134.95 грн
800+111.33 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+186.98 грн
500+168.17 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFInfineonMOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.70 грн
10+215.91 грн
100+134.14 грн
800+110.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.65 грн
10+177.06 грн
50+136.68 грн
100+109.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207IRTO-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207PBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 180nC
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.37 грн
1600+99.36 грн
2400+95.83 грн
4000+88.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+144.22 грн
1600+141.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+147.02 грн
1600+144.63 грн
2400+143.18 грн
4000+136.69 грн
5600+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
на замовлення 5396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.81 грн
10+192.75 грн
100+135.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+144.22 грн
1600+141.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+171.70 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.64 грн
1600+144.25 грн
2400+142.81 грн
4000+136.34 грн
5600+122.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207Z
Код товару: 99509
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6920/120
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+53.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZPBFInternational RectifierN-MOSFET; unipolar; HEXFET; 75V; 170A; 300W; D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3207ZTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+204.62 грн
500+194.04 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3207ZTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+204.62 грн
500+194.04 грн
1000+183.46 грн
10000+165.56 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306
Код товару: 99510
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4520/85
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRFS3306 TIRFS3306
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+115.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306PBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 85nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.22 грн
1600+103.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.01 грн
67+211.68 грн
100+207.92 грн
500+140.62 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+108.61 грн
1600+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 6094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.81 грн
10+144.75 грн
50+110.85 грн
100+88.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.33 грн
1600+109.42 грн
2400+105.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+179.93 грн
500+162.29 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 230W
Pulsed drain current: 620A
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+244.32 грн
10+167.61 грн
20+146.45 грн
50+121.05 грн
100+107.51 грн
200+97.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.48 грн
1600+109.57 грн
2400+105.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.43 грн
2400+68.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.88 грн
1600+104.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+179.93 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]