Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.07 грн
117+121.63 грн
129+110.32 грн
200+82.47 грн
500+71.39 грн
1000+54.77 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/255A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 8371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 8371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/255A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+95.25 грн
50+72.07 грн
100+60.61 грн
500+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 18256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.34 грн
82+173.47 грн
100+167.58 грн
250+156.70 грн
500+141.14 грн
1000+132.18 грн
2500+129.26 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+99.86 грн
50+75.69 грн
100+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+81.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.08 грн
10+152.38 грн
100+110.99 грн
500+86.46 грн
1000+74.01 грн
2500+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.20 грн
94+151.15 грн
129+110.09 грн
500+85.76 грн
1000+73.41 грн
2500+69.02 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 6
Drain current: 100A
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TDSON-8 FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1
Код товару: 192753
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1InfineonMOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+80.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 47974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
372+95.09 грн
500+85.58 грн
1000+78.92 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1InfineonMOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.34 грн
10+148.09 грн
50+112.18 грн
100+96.96 грн
500+71.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.76 грн
10+96.76 грн
50+73.32 грн
100+61.67 грн
500+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 48174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 43843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.98 грн
47+302.41 грн
50+290.88 грн
100+270.98 грн
250+243.29 грн
500+227.21 грн
1000+221.65 грн
2500+216.76 грн
5000+212.44 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+216.76 грн
30+169.41 грн
50+163.54 грн
100+158.50 грн
300+139.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+198.56 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 39 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9520 @ 20, Qg, нКл = 133 @ 10 В, Rds = 1 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, 167, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 100 А,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Очіку
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5000+154.67 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 8024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
10000+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.64 грн
65+218.91 грн
100+165.12 грн
500+142.05 грн
1000+116.32 грн
5000+110.59 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.21 грн
10+220.70 грн
100+166.47 грн
500+143.20 грн
1000+117.27 грн
5000+111.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.19 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1
Код товару: 219529
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.32 грн
11+69.05 грн
25+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1InfineonN-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.78 грн
50+69.32 грн
100+58.27 грн
500+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 22502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSInfineonMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+132.17 грн
113+126.25 грн
250+121.19 грн
500+112.64 грн
1000+100.90 грн
2500+94.00 грн
5000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LS E8186Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.91 грн
10000+62.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+74.20 грн
192+73.78 грн
215+65.92 грн
250+63.16 грн
500+54.82 грн
1000+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.66 грн
11+74.20 грн
25+73.78 грн
100+63.56 грн
250+58.49 грн
500+52.63 грн
1000+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 21984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1475000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.17 грн
10000+63.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+95.63 грн
50+72.22 грн
100+60.68 грн
500+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.