Продукція > BSD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSD223PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch
на замовлення 11951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223P L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223P транзистор
Код товару: 58170
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.51 грн
6000+6.73 грн
9000+4.71 грн
15000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch DPAK-2
на замовлення 64671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1440+9.83 грн
1455+9.72 грн
1684+8.40 грн
1701+8.02 грн
3000+6.57 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 1440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.13 грн
47+16.15 грн
48+15.99 грн
100+9.47 грн
250+8.68 грн
500+7.20 грн
1000+7.13 грн
3000+6.30 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+18.95 грн
50+13.68 грн
100+11.23 грн
500+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 80314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1021+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 1021 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.80 грн
23+18.45 грн
50+12.58 грн
100+10.73 грн
250+8.72 грн
500+7.46 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.50 грн
6000+6.72 грн
9000+4.71 грн
15000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 7686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
9000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
883+16.03 грн
888+15.94 грн
1457+9.71 грн
2000+8.56 грн
5000+7.48 грн
12000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PL6327Infineon technologies
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235C H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
на замовлення 97214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235C H6327
Код товару: 132412
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235C L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235C L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327Infineon technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
на замовлення 138043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.64 грн
9000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.80 грн
21+20.13 грн
50+13.84 грн
100+11.57 грн
250+9.31 грн
500+7.97 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1InfineonMosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
9000+7.64 грн
24000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1
Код товару: 118906
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
на замовлення 93757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1InfineonMOSFET N/P-CH 20V SOT363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.12 грн
9000+7.61 грн
24000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 31682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.61 грн
50+14.88 грн
100+12.23 грн
500+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 35980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
569+24.87 грн
572+24.75 грн
780+18.15 грн
1000+14.09 грн
9000+10.30 грн
18000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 569 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1Vishay SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 47 @ 10, Qg, нКл = 0,34 @ 4,5 В, Rds = 350 мОм @ 950 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 1,6 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id = 950 мА, 530 мА,... Транзистори Корпус: PG-SO
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CL6327Infineon technologies
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235N L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235N L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327Infineon technologies
на замовлення 15059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
на замовлення 34879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+19.02 грн
50+13.71 грн
100+11.25 грн
500+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+15.21 грн
1545+9.16 грн
1774+7.98 грн
1841+7.41 грн
3000+6.41 грн
6000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.44 грн
6000+6.09 грн
9000+6.01 грн
24000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1601+8.83 грн
1656+8.54 грн
2500+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 1601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.58 грн
46+9.14 грн
54+7.88 грн
100+7.38 грн
250+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.44 грн
6000+6.09 грн
9000+6.01 грн
24000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
на замовлення 97263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652; BSD235NH6327XTSA1 TBSD235nh
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPE L6327Infineon TechnologiesMOSFET SOT-363-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPE L6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327Infineon technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSAInfineonP-MOSFET 30V 1.5A 500mW 140mΩ BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon TBSD314spe
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
14+21.74 грн
100+14.80 грн
500+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch 30V -1.5A SOT-363-3
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEL6327Infineon technologies
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316NL6327Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SN H6327Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 25678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
23+13.36 грн
100+7.00 грн
500+6.56 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNL6327XTInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
30+10.34 грн
100+7.41 грн
500+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNL6327XTInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD340NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL+P-CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD340NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD816SN L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD816SNH6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD816SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 8723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD816SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD816SNL6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD816SNL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
на замовлення 39321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840N L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327Infineon technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
на замовлення 16610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.93 грн
6000+6.28 грн
9000+5.77 грн
15000+5.25 грн
21000+4.55 грн
30000+4.01 грн
75000+3.97 грн
150000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.80 грн
6000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.