Продукція > BSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSD223P | INFINEON | 05+ | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD223P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch | на замовлення 11951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223P L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD223P транзистор Код товару: 58170
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | на замовлення 78077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 80314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363 Case: PG-SOT-363 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -0.39A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 0.25W Gate-source voltage: ±12V | на замовлення 1718 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm | на замовлення 7686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 22150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch DPAK-2 | на замовлення 34414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PL6327 | Infineon technologies | на замовлення 3745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235C | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235C H6327 Код товару: 132412
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235C H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 | на замовлення 97729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235C L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235C L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327 | Infineon technologies | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 | на замовлення 144081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 Код товару: 118906
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Vishay Semiconductor | Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 47 @ 10, Qg, нКл = 0,34 @ 4,5 В, Rds = 350 мОм @ 950 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 1,6 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id = 950 мА, 530 мА,... Транзистори Корпус: PG-SO кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 | на замовлення 218793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 26064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon | Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 635 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 28755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 35980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 21699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon | Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CL6327 | Infineon technologies | на замовлення 2784 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235N | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235N H6327 | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235N L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235N L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 15059 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | на замовлення 124622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | на замовлення 97263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652; BSD235NH6327XTSA1 TBSD235nh кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Mounting: SMD Drain current: 0.95A On-state resistance: 0.35Ω Gate-source voltage: ±12V Technology: OptiMOS™ 2 Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement | на замовлення 2352 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD314SPE L6327 | Infineon Technologies | MOSFET SOT-363-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPE L6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL MOSFET Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 790 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327 | Infineon technologies | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA | Infineon | P-MOSFET 30V 1.5A 500mW 140mΩ BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon TBSD314spe кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch 30V -1.5A SOT-363-3 | на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD314SPEL6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL MOSFET Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPEL6327 | Infineon technologies | на замовлення 910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD314SPEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD316NL6327 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD316SN H6327 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 13235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 13235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 25682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNL6327XT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V | на замовлення 732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNL6327XT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD340NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD340NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD816SN L6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD816SNH6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6 Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD816SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 8723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD816SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD816SNL6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD816SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD840N | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD840N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6 | на замовлення 39321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840N L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6 | на замовлення 16610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

