Продукція > BSZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSZ028N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.36 грн
13+63.08 грн
100+44.46 грн
500+34.34 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1VBSEMIMOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.77 грн
10000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.36 грн
100+40.72 грн
500+29.89 грн
1000+27.21 грн
2000+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0031 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.54 грн
15+56.57 грн
100+42.84 грн
500+30.72 грн
1000+23.41 грн
5000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.94 грн
10000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.81 грн
196+72.51 грн
215+66.00 грн
500+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0031 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.84 грн
500+30.72 грн
1000+23.41 грн
5000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5VBSEMIMOSFET LV POWER MOS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 18A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.3nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 8435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+61.21 грн
100+40.77 грн
500+30.03 грн
1000+27.39 грн
2000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2700 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.86 грн
13+67.22 грн
100+45.84 грн
500+31.78 грн
1000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+78.17 грн
260+54.59 грн
275+51.58 грн
500+41.28 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2700 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.84 грн
500+31.78 грн
1000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1 BSZ033NE2LS5InfineonMOSFET LV POWER MOS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+49.65 грн
1000+45.79 грн
10000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.91 грн
250+60.96 грн
1000+41.74 грн
3000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+60.44 грн
247+57.39 грн
319+44.46 грн
323+42.34 грн
500+34.36 грн
1000+29.35 грн
3000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.88 грн
13+60.44 грн
25+57.39 грн
100+42.87 грн
250+39.21 грн
500+32.98 грн
1000+29.35 грн
3000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.86 грн
50+82.91 грн
250+60.96 грн
1000+41.74 грн
3000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+49.65 грн
1000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
On-state resistance: 3.4mΩ
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+49.65 грн
1000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1InfineonMOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+57.71 грн
320+44.32 грн
342+41.39 грн
500+38.19 грн
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSINFINEONQFN
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LS GInfineonQFN
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1
Код товару: 129555
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+65.74 грн
100+43.91 грн
500+32.41 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MS
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 7888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGInfineon technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 11581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.76 грн
10+60.01 грн
100+39.68 грн
500+29.08 грн
1000+26.45 грн
2000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+45.44 грн
100+32.80 грн
500+27.67 грн
1000+24.58 грн
2000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.90 грн
500+19.02 грн
1000+17.21 грн
5000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.20 грн
10000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.68 грн
28+29.75 грн
100+23.90 грн
500+19.02 грн
1000+17.21 грн
5000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+69.74 грн
25+65.79 грн
100+56.63 грн
250+53.56 грн
500+51.39 грн
1000+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.06 грн
147+96.54 грн
250+92.67 грн
500+86.13 грн
1000+77.15 грн
2500+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3300 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.73 грн
500+34.04 грн
1000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 26435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+134.83 грн
162+87.69 грн
200+79.20 грн
500+56.37 грн
1000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3300 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.54 грн
15+57.71 грн
100+43.73 грн
500+34.04 грн
1000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.56 грн
50+99.17 грн
250+70.80 грн
1000+47.78 грн
3000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 101A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.82 грн
10000+44.22 грн
15000+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 72367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.17 грн
250+70.80 грн
1000+47.78 грн
3000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 101A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 24475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
10+112.16 грн
100+76.11 грн
500+56.93 грн
1000+52.27 грн
2000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO220AB
на замовлення 47574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
на замовлення 41363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSInfineon
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 132593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.79 грн
50+56.33 грн
250+51.53 грн
1000+40.76 грн
3000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.28 грн
10+115.82 грн
25+110.72 грн
100+78.72 грн
250+66.58 грн
500+62.54 грн
1000+50.65 грн
3000+47.81 грн
6000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 133728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.57 грн
250+51.78 грн
1000+40.91 грн
3000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]