Продукція > EFC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
EFC2K103NUZTDGonsemiMOSFET Dual NCH 12V 29A
на замовлення 10367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.23 грн
10+92.14 грн
100+62.08 грн
500+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC2K103NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 12V 40A 10WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 6V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.54x1.77)
на замовлення 210016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC2K107NUZTCGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A 10WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 3.8V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.84x1.96)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC2K107NUZTCGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A 10WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 3.8V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.84x1.96)
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+55.93 грн
100+38.70 грн
500+30.34 грн
1000+25.82 грн
2000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC3C001NUZTCGON SemiconductorMotor / Motion / Ignition Controllers & Drivers NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC3C001NUZTCGonsemiDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL 4WLCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC3C001NUZTCGONSEMIDescription: ONSEMI - EFC3C001NUZTCG - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-220F
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC3J018NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.77x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.53 грн
100+46.62 грн
500+34.52 грн
1000+29.26 грн
2000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC3J018NUZTDGonsemiMOSFETs PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
на замовлення 52067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.68 грн
10+74.43 грн
100+42.99 грн
500+33.79 грн
1000+28.36 грн
2500+28.22 грн
5000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC3J018NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.77x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.77 грн
10000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4601-M-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4601-M-TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, EFCP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4580000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 8013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4601R-M-TRON SemiconductorEFC4601R-M-TR
на замовлення 6640000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+24.55 грн
10000+21.88 грн
100000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 1441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4601R-M-TRON SemiconductorEFC4601R-M-TR
на замовлення 1540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+24.55 грн
10000+21.88 грн
100000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 1441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4601R-M-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4601R-M-TR - NCH 2.5V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4611-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4611-TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, EFCP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4612R-S-TRON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4612R-S-TRON SemiconductorMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4612R-S-TRON Semiconductor
на замовлення 159970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4612R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4612R-TR - Dual-MOSFET, 12VGS, 6A, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 660000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4612R-TRonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±12V
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4612R-TRONN
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4612R-TRonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 625000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4612R-TRON SemiconductorMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4612R-W-TRON SemiconductorMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4612R-W-TRonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4612R-W-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4612R-W-TR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4612R-W-TRonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2420+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 2420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4615R-TRON Semiconductor
на замовлення 191390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4615R-TRonsemiMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 4714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
12+28.20 грн
100+17.07 грн
500+13.38 грн
1000+9.75 грн
5000+9.13 грн
10000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4615R-TRonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EFCP1515-4CC-037
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4615R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4615R-TR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 124925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4618R-P-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP1818
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP1818-4CC-037
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4618R-P-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP1818
Supplier Device Package: EFCP1818-4CC-037
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4nC @ 4.5V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
Packaging: Bulk
на замовлення 538171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1457+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 1457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4618R-P-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4618R-P-TR - Dual-MOSFET, 12VGS, 6A, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 538171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4618R-TRON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4618R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP1818
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Supplier Device Package: EFCP1818-4CC-037
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4619R-A-TRON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4619R-A-TRON SemiconductorMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4619R-TRON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH EFCP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4619R-TRON Semiconductor
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4619R-TRON SemiconductorMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 6290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4619R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4619R-TR - MOSFET, DUAL N-CH, 24VSS, 6A, EFCP
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4621R-A-TRON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4621R-A-TRON SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4621R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4621R-TR - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET, 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4621R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP1616
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: EFCP1616-4CE-022
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.21 грн
10000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4621R-TRON SemiconductorMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4621R-TRONN
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4621R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP1616
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: EFCP1616-4CE-022
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
10+37.59 грн
100+26.02 грн
500+20.40 грн
1000+17.36 грн
2000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4626R-TRON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4626R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-BGA (1x1)
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
13+23.25 грн
100+11.80 грн
500+9.57 грн
1000+8.43 грн
2000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4626R-TRON Semiconductor
на замовлення 7005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4626R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-BGA (1x1)
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4626R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4626R-TR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4627R-A-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4627R-A-TR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4627R-A-TRON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4627R-A-TRON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4627R-TRonsemiMOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE S
на замовлення 16405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.89 грн
16+20.67 грн
100+9.48 грн
1000+7.32 грн
2500+7.18 грн
8000+6.41 грн
24000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4627R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 4-EFCP (1.01x1.01)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4627R-TRONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; N; 12V; 6A; 1.4W; SMD4
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 13.4nC
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 12V
Polarisation: N
Case: SMD4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4627R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 4-EFCP (1.01x1.01)
Part Status: Active
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.83 грн
100+13.20 грн
500+9.31 грн
1000+8.32 грн
2000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4627R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4627R-TR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4630R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A EFCP
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4630R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A EFCP
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Bulk
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4630R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4630R-TR - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4C002NLTDGONN
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4C002NLTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 8WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (6x2.5)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4C002NLTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 8WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (6x2.5)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+181.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4C002NLTDGON SemiconductorMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers NCH 30V 30A WLCSP8 DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4C012NLTDGonsemiMOSFET NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL N-CHAN
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.93 грн
10+115.38 грн
100+87.79 грн
250+82.91 грн
500+78.03 грн
1000+76.64 грн
5000+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4K105NUZTDGonsemiMOSFET Dual NCH 22V 25A
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.48 грн
10+51.28 грн
100+34.70 грн
500+29.40 грн
1000+22.57 грн
5000+21.88 грн
10000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4K105NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 22V 25A 10WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 22V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 3.8V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.4x1.96)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+47.93 грн
100+37.29 грн
500+29.67 грн
1000+24.17 грн
2000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4K105NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 22V 25A 10WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 22V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 3.8V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.4x1.96)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4K110NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 25A 10WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.2x2.1)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4K110NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 25A 10WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.2x2.1)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+122.65 грн
100+98.57 грн
500+76.00 грн
1000+62.97 грн
2000+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4K110NUZTDGonsemiMOSFET Dual NCH 24V 25A
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.69 грн
10+122.59 грн
100+85.70 грн
250+81.52 грн
500+70.37 грн
1000+56.57 грн
2500+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC4K110NUZTDGON Semiconductor
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-A-TRON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH EFCP
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-A-TRON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC6601R-TR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 684263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TRON Semiconductor
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TRonsemiMOSFET N-Channel Power MOSFET, 24V, 13A, 11.5mOhm, Dual EFCP
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.58 грн
10+58.89 грн
100+34.91 грн
500+29.19 грн
1000+22.16 грн
5000+20.83 грн
10000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
на замовлення 692464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
876+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 876 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6602R-A-TRON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6602R-A-TRON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH EFCP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6602R-TRonsemiMOSFET Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 5.9 mO, 18 A, Dual N-Channel
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.36 грн
10+42.22 грн
100+25.08 грн
500+20.90 грн
1000+17.84 грн
2500+16.86 грн
5000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6602R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6602R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
на замовлення 635000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
826+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 826 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6602R-TRONN
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6604Ronsemionsemi NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6604R-A-TRON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6604R-A-TRonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6604R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 6EFCP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46)
на замовлення 1221020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1976+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 1976 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6604R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC6604R-TR - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-220F
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1126020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6604R-TRON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6604R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 6EFCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6605R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 6EFCP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46)
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 4.5V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6605R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC6605R-TR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 590000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]