Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMA1028NZ-F021onsemi / FairchildMOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZ-F021onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZ_F021Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZ_F021Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
на замовлення 294887000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZ_F021Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
на замовлення 294887000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1029PZonsemi / FairchildMOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.90 грн
10+53.98 грн
100+32.58 грн
500+27.20 грн
1000+23.13 грн
3000+20.57 грн
6000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1029PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.57 грн
6000+13.80 грн
9000+13.20 грн
15000+11.75 грн
21000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1029PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.65 грн
18+45.10 грн
100+29.48 грн
500+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1029PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
на замовлення 86974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+38.37 грн
100+24.98 грн
500+18.03 грн
1000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.82 грн
50+46.79 грн
100+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZ
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZonsemi / FairchildMOSFETs 20V Complementary PowerTrench MOSFET
на замовлення 6856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.17 грн
10+41.44 грн
100+23.20 грн
500+18.09 грн
1000+16.02 грн
3000+13.81 грн
6000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Gate charge: 4/7nC
On-state resistance: 68/95mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 3.7/-3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.33 грн
9+47.70 грн
10+41.71 грн
50+29.91 грн
100+26.09 грн
500+19.44 грн
1000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1430JPON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Chan -30V -2.9A
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1430JPonsemiDescription: FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Applications: Load Switch
Transistor Type: NPN, P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 2.9A
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Voltage - Rated: 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 33356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.15 грн
10+46.36 грн
100+28.99 грн
500+22.16 грн
1000+20.30 грн
3000+17.95 грн
6000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.26 грн
201+70.54 грн
258+55.07 грн
260+52.58 грн
500+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 10A; 1.5W; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3nC
On-state resistance: 268mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+49.86 грн
100+28.58 грн
500+22.30 грн
1000+20.16 грн
3000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.78 грн
11+71.26 грн
25+70.54 грн
100+53.11 грн
250+48.68 грн
500+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.11 грн
100+32.92 грн
500+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 28238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.42 грн
500+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291Ponsemi / FairchildMOSFETs -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.18 грн
10+42.31 грн
100+25.34 грн
500+20.16 грн
1000+18.43 грн
3000+16.15 грн
6000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+39.86 грн
100+27.39 грн
500+20.42 грн
1000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.90 грн
50+40.19 грн
100+26.42 грн
500+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 26430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.52 грн
100+35.99 грн
500+26.30 грн
1000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZonsemi / FairchildMOSFETs 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench
на замовлення 30368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.90 грн
10+55.41 грн
100+32.79 грн
500+27.41 грн
1000+23.40 грн
3000+21.12 грн
6000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.54 грн
6000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6
Case: WDFN6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3027PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3027PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3027PZON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3027PZ-F130ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA3027PZ-F130 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3028NON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel
на замовлення 11953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3028NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.47 грн
6000+32.41 грн
9000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.40 грн
16+51.46 грн
100+35.52 грн
500+27.97 грн
1000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.74 грн
6000+32.67 грн
9000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZonsemi / FairchildMOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
на замовлення 290950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.67 грн
10+58.43 грн
100+38.04 грн
500+32.31 грн
1000+26.30 грн
3000+24.30 грн
6000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.01 грн
12+65.68 грн
25+65.02 грн
100+50.98 грн
250+47.12 грн
500+39.92 грн
1000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.52 грн
500+27.97 грн
1000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.68 грн
219+65.02 грн
269+50.88 грн
500+41.59 грн
1000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.28 грн
6000+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZTON Semiconductor / FairchildMOSFET Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZTonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 23378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+51.98 грн
100+36.02 грн
500+28.24 грн
1000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZTonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.69 грн
6000+21.61 грн
9000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZTonsemi / FairchildMOSFETs Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2
на замовлення 8463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.37 грн
10+48.82 грн
100+29.41 грн
500+23.47 грн
1000+21.54 грн
3000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZT-F130onsemiMOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZT-F130onsemiDescription: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+51.98 грн
100+36.02 грн
500+28.24 грн
1000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZT-F130onsemiDescription: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.69 грн
6000+21.61 грн
9000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.13 грн
6000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.20 грн
14+58.39 грн
100+35.36 грн
500+25.95 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 24A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+35.45 грн
100+24.25 грн
500+18.66 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.36 грн
500+25.95 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZ
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZonsemi / FairchildMOSFETs 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.41 грн
10+37.79 грн
100+22.57 грн
500+18.43 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.12 грн
500+31.19 грн
1000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.60 грн
6000+14.73 грн
9000+14.10 грн
15000+12.56 грн
21000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
819+43.32 грн
1000+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.15 грн
17+49.13 грн
100+35.12 грн
500+31.19 грн
1000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.31 грн
6000+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZonsemi / FairchildMOSFETs 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.29 грн
6000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.90 грн
6000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.61 грн
100+26.50 грн
500+19.17 грн
1000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA507PZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet
на замовлення 9506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA507PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.90 грн
500+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA507PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.40 грн
6000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA507PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.67 грн
50+63.87 грн
100+50.90 грн
500+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA507PZonsemi / FairchildMOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet
на замовлення 4522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.39 грн
10+56.76 грн
100+37.83 грн
500+28.03 грн
1000+27.75 грн
3000+27.06 грн
6000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA507PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V
на замовлення 31695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.93 грн
100+28.02 грн
500+20.27 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA510PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+55.12 грн
100+36.34 грн
500+26.52 грн
1000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA510PZonsemi / FairchildMOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench
на замовлення 26065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.35 грн
10+56.13 грн
100+37.42 грн
500+29.62 грн
1000+23.68 грн
3000+21.40 грн
6000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA510PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.67 грн
500+22.88 грн
1500+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA510PZFairchil10+ SOT153
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA510PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA510PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.56 грн
50+43.65 грн
100+33.67 грн
500+22.88 грн
1500+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA520PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]