Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMA1028NZ_F021Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
на замовлення 294887000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1029PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.66 грн
6000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1029PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1029PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
на замовлення 13683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.55 грн
50+32.06 грн
100+26.60 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1029PZonsemi / FairchildMOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.7/-3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.93 грн
9+48.47 грн
10+42.27 грн
50+30.36 грн
100+26.50 грн
500+19.71 грн
1000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZonsemi / FairchildMOSFETs 20V Complementary PowerTrench MOSFET
на замовлення 6856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1430JPON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Chan -30V -2.9A
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1430JPonsemiDescription: FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Applications: Load Switch
Transistor Type: NPN, P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 2.9A
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Voltage - Rated: 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.27 грн
6000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.60 грн
11+71.10 грн
25+70.39 грн
100+52.99 грн
250+48.58 грн
500+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 28238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
на замовлення 84087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+50.95 грн
50+37.74 грн
100+31.41 грн
500+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 33356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.10 грн
201+70.39 грн
258+54.95 грн
260+52.46 грн
500+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291Ponsemi / FairchildMOSFETs -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+40.23 грн
100+27.65 грн
500+20.61 грн
1000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA291PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZonsemi / FairchildMOSFETs 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench
на замовлення 30368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.48 грн
50+41.18 грн
100+34.33 грн
500+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
On-state resistance: 0.14Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3027PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3027PZON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3027PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3027PZ-F130ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA3027PZ-F130 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3028NON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel
на замовлення 11953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3028NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.66 грн
6000+32.60 грн
9000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+83.82 грн
12+65.53 грн
25+64.87 грн
100+50.86 грн
250+47.01 грн
500+39.84 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZonsemi / FairchildMOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
на замовлення 290950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.53 грн
219+64.87 грн
269+50.77 грн
500+41.50 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.5A; 2.4W; WDFN6
Case: WDFN6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 32mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.20 грн
6000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.40 грн
6000+32.34 грн
9000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZTonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 23378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+52.46 грн
100+36.35 грн
500+28.50 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZTonsemi / FairchildMOSFETs Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2
на замовлення 8463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZTonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.91 грн
6000+21.81 грн
9000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZTON Semiconductor / FairchildMOSFET Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZT-F130onsemiMOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZT-F130onsemiDescription: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+52.46 грн
100+36.35 грн
500+28.50 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZT-F130onsemiDescription: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.91 грн
6000+21.81 грн
9000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 24A; 2.4W; WDFN6
Case: WDFN6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 44mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+35.78 грн
100+24.48 грн
500+18.83 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZonsemi / FairchildMOSFETs 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.28 грн
6000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.75 грн
6000+14.87 грн
9000+14.23 грн
15000+12.67 грн
21000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.23 грн
6000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.21 грн
6000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZonsemi / FairchildMOSFETs 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.82 грн
6000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.98 грн
100+26.74 грн
500+19.35 грн
1000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
819+43.22 грн
1000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA507PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA507PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.93 грн
6000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA507PZonsemi / FairchildMOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet
на замовлення 4522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA507PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA507PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V
на замовлення 31195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.31 грн
100+28.93 грн
500+20.93 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA507PZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet
на замовлення 9506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA510PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA510PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.63 грн
100+36.67 грн
500+26.76 грн
1000+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA510PZonsemi / FairchildMOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench
на замовлення 26065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA510PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA510PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA520PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA520PZonsemi / FairchildMOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+38.07 грн
1000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZonsemi / FairchildMOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.