Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 9 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS2407FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Lt Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - 316SS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - 316SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS24C256FDSSOP-8
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS24C64FDSSOP-8
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2570Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+95.92 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2570FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.96 грн
10+79.51 грн
25+79.10 грн
100+70.23 грн
250+64.38 грн
500+61.29 грн
1000+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
на замовлення 14221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.26 грн
10+84.43 грн
100+68.12 грн
500+53.73 грн
1000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572onsemiMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.41 грн
10+113.53 грн
100+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.31 грн
10+95.04 грн
100+76.75 грн
500+59.23 грн
1000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ONS/FAIMOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC (IRF7494PBF) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.92 грн
10+94.73 грн
25+81.43 грн
100+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.58 грн
5000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+110.29 грн
500+99.26 грн
1000+91.55 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.75 грн
500+59.23 грн
1000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.96 грн
179+79.51 грн
180+79.10 грн
195+70.23 грн
250+64.38 грн
500+61.29 грн
1000+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572NLFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572_Qonsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2574FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.48 грн
5000+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.64 грн
100+55.59 грн
500+41.31 грн
1000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582onsemiMOSFETs 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
на замовлення 4193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+90.50 грн
100+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.17 грн
5000+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582FairchildN-MOSFET 150V 4.1A 66mΩ 2.5W FDS2582 Fairchild TFDS2582
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582_Qonsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.22 грн
500+75.94 грн
1000+65.93 грн
2500+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.27 грн
10+128.86 грн
25+116.78 грн
100+97.22 грн
500+75.94 грн
1000+65.93 грн
2500+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 7503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.17 грн
10+116.22 грн
100+79.61 грн
500+60.04 грн
1000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 200V
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.95 грн
10+86.53 грн
100+66.13 грн
500+60.06 грн
1000+53.64 грн
2500+51.84 грн
5000+50.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670_NLFAIRCHILD
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.75 грн
5000+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672onsemi / FairchildMOSFETs 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.36 грн
10+116.70 грн
100+70.41 грн
500+57.09 грн
1000+52.81 грн
2500+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.40 грн
500+66.26 грн
1000+56.40 грн
5000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.99 грн
10+132.09 грн
100+90.20 грн
500+69.48 грн
1000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
10+111.81 грн
100+76.78 грн
500+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+127.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V3.9A 70OHMNCH UL TRAFET TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672-TF085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V,3.9A, 70OHM,NCH ULTRAFETtrenchMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2682FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734onsemi / FairchildMOSFETs 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE
на замовлення 13302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.66 грн
10+129.40 грн
100+78.01 грн
500+62.75 грн
1000+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2734 TFDS2734
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.98 грн
500+73.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
на замовлення 9949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+117.49 грн
100+80.90 грн
500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.47 грн
90+158.76 грн
100+144.58 грн
200+106.62 грн
500+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ONS/FAIMOSFET N-CH 250V 3.0A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.47 грн
10+135.31 грн
100+115.98 грн
500+73.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.89 грн
5000+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734-NLFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS29106AFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2ND 7064N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2P102FDSSOP-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2P102AFAI04/05/
на замовлення 14745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2P103FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS300BB50SANREXCDH4-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS30C1MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C1 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 1P, 30A, 120VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 1 Fuse
euEccn: NLR
Polzahl: 1 Pole
isCanonical: Y
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 120V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4047.93 грн
10+3944.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS30C2MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C2 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 2P, 30A, 600VAC
tariffCode: 0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
Anzahl der Sicherungen: 2 Fuse
Sicherungsgröße: Class CC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Polzahl: 2 Pole
AC-Kontaktspannung, max.: 600V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kontaktkonfiguration: -
directShipCharge: 25
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8930.25 грн
10+8699.91 грн
50+8123.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS30C3MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C3 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 3P, 30A, 600VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 3 Fuse
euEccn: NLR
Polzahl: 3 Pole
isCanonical: Y
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 600V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22184.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+156.10 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N7FAIRCHILD09+
на замовлення 90018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3172N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3172N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.95 грн
10+123.92 грн
100+89.59 грн
500+69.86 грн
1000+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.60 грн
10+184.98 грн
100+129.09 грн
500+106.31 грн
1000+88.36 грн
2500+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS35606N/A09+
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDFDS3570
на замовлення 52256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+262.24 грн
500+249.24 грн
1000+235.07 грн
10000+213.00 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDFDS3570
на замовлення 19891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+262.24 грн
500+249.24 грн
1000+235.07 грн
10000+213.00 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDFDS3570
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+262.24 грн
500+249.24 грн
1000+235.07 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDFDS3570
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+262.24 грн
500+249.24 грн
1000+235.07 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 9 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]