Продукція > FDT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 9521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+53.74 грн
100+35.39 грн
500+25.82 грн
1000+23.44 грн
2000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NonsemiMOSFETs SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 7395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.16 грн
10+53.28 грн
100+30.59 грн
500+23.76 грн
1000+21.60 грн
2000+19.72 грн
4000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 7638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.41 грн
50+56.25 грн
250+41.13 грн
1000+31.78 грн
2000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.43 грн
8000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.66 грн
8000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PONSEMIDescription: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.91 грн
50+41.54 грн
250+31.21 грн
1000+22.34 грн
2000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.48 грн
8000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PONSEMIDescription: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.54 грн
250+31.21 грн
1000+22.34 грн
2000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.55 грн
100+33.87 грн
500+24.68 грн
1000+22.39 грн
2000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458Ponsemi / FairchildMOSFET 30V P-Ch PowerTrench
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 1002-1011 дні (днів)
6+57.47 грн
10+50.56 грн
100+30.03 грн
500+25.01 грн
1000+21.32 грн
2000+19.30 грн
4000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459FSC09+
на замовлення 138018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NON Semiconductor / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT461NFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT461NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 540mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.00 грн
8000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUonsemiMOSFETs UNIFET II 3OHM SOT223
на замовлення 4788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.25 грн
10+88.94 грн
100+52.11 грн
500+41.32 грн
1000+37.90 грн
2000+33.65 грн
4000+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.69 грн
10+90.23 грн
100+62.83 грн
500+46.19 грн
1000+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
на замовлення 15453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+73.97 грн
100+52.65 грн
500+39.14 грн
1000+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.58 грн
500+46.27 грн
1000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT506OmegaDescription: FDT506
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT506-DINOmegaDescription: FDT506-DIN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT506-ROmegaDescription: FDT506-R
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT506-R-DINOmegaDescription: FDT506-R-DIN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT506-R-DIN-AOmegaDescription: FDT506-R-DIN-A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT5060FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT5312712NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/2" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT6315812NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 5/8" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT7024L35PFI
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT71B74-S10Y
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT74FCT240ATSOFDT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT8325415NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1" WIDTH -
Part Status: Active
Type: Buckle
Size / Dimension: 2.264" L x 1.476" W (57.50mm x 37.50mm)
Color: Silver
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+82.13 грн
176+80.43 грн
208+68.27 грн
209+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 7438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.45 грн
500+25.06 грн
1000+16.51 грн
5000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 46mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 6.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+113.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 32021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.49 грн
10+108.97 грн
25+80.12 грн
100+57.55 грн
250+56.36 грн
500+44.73 грн
1000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.57 грн
169+83.83 грн
208+68.21 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.30 грн
16+53.89 грн
100+38.45 грн
500+25.06 грн
1000+16.51 грн
5000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+101.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 10705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.17 грн
50+74.13 грн
250+48.77 грн
1000+31.47 грн
2000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.81 грн
10+85.57 грн
25+83.83 грн
100+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+57.21 грн
100+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.33 грн
4000+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 / REEL 08AK6006
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ
Код товару: 133317
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.14 грн
138+102.80 грн
198+71.69 грн
500+60.50 грн
1000+51.67 грн
2000+47.35 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZFairchildTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.25 грн
10+97.75 грн
100+57.27 грн
500+46.19 грн
1000+41.73 грн
2000+40.06 грн
4000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.44 грн
100+54.92 грн
500+40.89 грн
1000+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.26 грн
250+90.41 грн
500+81.42 грн
1000+69.85 грн
4000+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 25248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+66.35 грн
100+44.19 грн
500+32.54 грн
1000+29.67 грн
2000+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.83 грн
8+53.51 грн
10+48.81 грн
50+40.00 грн
100+36.73 грн
500+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.72 грн
4000+42.83 грн
8000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONS/FAIMOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.44 грн
250+42.43 грн
1000+29.13 грн
2000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.23 грн
10+58.49 грн
25+50.58 грн
100+36.72 грн
500+30.45 грн
1000+25.43 грн
2000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.08 грн
8000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.37 грн
15+50.35 грн
25+48.63 грн
100+40.80 грн
250+37.56 грн
500+32.01 грн
1000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+50.35 грн
291+48.63 грн
335+42.31 грн
337+40.56 грн
500+33.35 грн
1000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.05 грн
50+73.40 грн
250+48.85 грн
1000+31.32 грн
2000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.41 грн
12+71.77 грн
100+51.29 грн
500+33.36 грн
1000+21.95 грн
5000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 27635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.54 грн
10+59.85 грн
100+34.56 грн
500+27.17 грн
1000+24.59 грн
2000+22.78 грн
4000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.92 грн
17+45.75 грн
100+39.58 грн
500+34.11 грн
1000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+45.53 грн
359+39.40 грн
500+35.22 грн
1000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+45.21 грн
314+45.09 грн
365+38.79 грн
366+37.34 грн
500+30.69 грн
1000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.84 грн
100+40.28 грн
500+29.53 грн
1000+26.87 грн
2000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
778+45.49 грн
1000+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 778 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.58 грн
17+45.21 грн
25+45.09 грн
100+37.41 грн
250+34.58 грн
500+29.47 грн
1000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.29 грн
500+33.36 грн
1000+21.95 грн
5000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 29202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.10 грн
10+54.96 грн
100+35.53 грн
500+29.12 грн
1000+24.87 грн
2000+23.90 грн
4000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 29016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
778+45.49 грн
1000+41.96 грн
10000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 778 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
778+45.49 грн
1000+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 778 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.78 грн
161+88.35 грн
200+80.43 грн
500+59.74 грн
1000+51.69 грн
2000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.00 грн
10+84.93 грн
100+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+72.03 грн
546+64.82 грн
1000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+72.03 грн
546+64.82 грн
1000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+43.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]