Продукція > FGY

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FGY120T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085ONS/FAIIGBT 650V 240A 882W TO-247 Транзистори
на замовлення 398 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+780.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns
Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A
Power - Max: 882 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1091.85 грн
30+648.74 грн
120+560.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+1073.73 грн
100+1019.51 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGY120T65SPD-F085 - IGBT, 120 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1137.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 23615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+1073.73 грн
100+1019.51 грн
500+966.47 грн
1000+879.68 грн
10000+767.16 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 378A
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085ON Semiconductor
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085
Код товару: 213126
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085onsemiIGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1136.36 грн
10+691.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY140T120SWDONSEMIDescription: ONSEMI - FGY140T120SWD - IGBT, 280 A, 1.7 V, 1.153 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.153kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 280A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+990.86 грн
5+876.25 грн
10+761.64 грн
50+686.85 грн
100+614.51 грн
250+601.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY140T120SWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY140T120SWDonsemiIGBTs 1200V, 140A Field Stop VII (FS7) Fast Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+975.41 грн
10+585.70 грн
120+489.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY140T120SWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 280A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 307.3 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 59.2ns/249.6ns
Switching Energy: 4.7mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 140A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 415.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 36992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+944.50 грн
30+553.79 грн
120+475.81 грн
510+434.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY160T65SPD-F085onsemiIGBTs 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1111.16 грн
10+674.64 грн
120+584.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY160T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY160T65SPD-F085onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 132 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns
Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 160A, 15V
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 882 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1066.77 грн
30+632.81 грн
120+546.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY160T65SPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGY160T65SPD-F085 - IGBT, N-Kanal, 240 A, 1.6 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 240A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1111.16 грн
5+898.19 грн
10+684.42 грн
50+631.75 грн
100+580.37 грн
250+576.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY160T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY160T65SPD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1043.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY160T65SPD-F085On SemiconductorIGBT 650V 240A TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 882 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 370 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+907.66 грн
30+530.36 грн
120+455.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGY40T120SMD - IGBT, 80 A, 1.8 V, 882 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.50 грн
5+884.38 грн
10+875.43 грн
50+485.33 грн
100+426.40 грн
250+404.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMDonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 1200 V, 40 A Field Stop Trench
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+937.21 грн
10+560.06 грн
120+420.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+776.07 грн
1500+746.55 грн
3000+737.33 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMD
Код товару: 212048
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 441W
Case: TO247H03
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMDonsemiIGBTs FS2TIGBT TO247 40A 1200V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+937.21 грн
10+560.86 грн
120+487.01 грн
510+468.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+835.65 грн
100+794.39 грн
500+751.96 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+779.52 грн
1500+749.87 грн
3000+740.61 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY4L100T120SWDON SemiconductorN-channel IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY4L100T120SWDON SemiconductorN-channel IGBT
на замовлення 6330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+542.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY4L100T120SWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 200A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 249.4 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 59.2ns/232.4ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 308 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 1.071 kW
на замовлення 6564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.89 грн
30+369.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY4L100T120SWDonsemiIGBTs 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+660.03 грн
10+450.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY4L140T120SWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 200A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 266.9 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60.8ns/232ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 4.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 140A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 426 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 1250 W
на замовлення 20650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+784.60 грн
30+486.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY4L140T120SWDONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY4L140T120SWDonsemiIGBTs 1200V 140A FS7 IGBT TP247-4L
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1129.85 грн
10+732.33 грн
120+546.93 грн
510+514.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY4L160T120SWDonsemiIGBTs 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1054.26 грн
10+637.78 грн
120+537.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY4L160T120SWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 200A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 264.1 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60.8ns/236.8ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 5.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 160A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 474 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 640 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.90 грн
30+597.29 грн
120+514.67 грн
510+476.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY4L75T120SWDonsemiIGBTs 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.31 грн
10+426.26 грн
120+335.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDNONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Collector current: 60A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 259W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 311nC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+649.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDNON Semiconductor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDNonsemiIGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 60A
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+836.42 грн
10+497.57 грн
120+399.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 517000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDNonsemiDescription: IGBT 1200V 120A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 311 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 517 W
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.76 грн
30+466.26 грн
120+398.37 грн
510+354.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 517000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 105A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15A, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28.8ns/153.6ns
Switching Energy: 5.7mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 635 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.02 грн
30+291.32 грн
120+244.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 105A; 635W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 105A
Power dissipation: 635W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SWDonsemiIGBTs 1200V, 60A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.98 грн
10+310.88 грн
120+229.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75N60SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V, 75A Field Stop IGBT
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 750000mW 3-Pin Power-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75N60SMDONS/FAIIGBT 600V 150A 750W POWER-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75N60SMDonsemiDescription: IGBT FS 600V 150A POWERTO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PowerTO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/136ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 248 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 750000mW 3-Pin Power-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75N60SMD
Код товару: 127040
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDNonsemiIGBTs IGBT 1200V 75A UFS
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+815.28 грн
10+480.74 грн
120+385.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDNONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Collector current: 75A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 395W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+755.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDNonsemiDescription: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/332ns
Switching Energy: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 399 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 790 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.30 грн
30+455.66 грн
120+388.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN
Код товару: 198781
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SWDONN
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SWDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 503W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SWDonsemiIGBTs 1200V/75A FS7 IGBT TP247
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+701.49 грн
10+410.23 грн
120+356.03 грн
510+332.34 грн
1020+319.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SWDONSEMIDescription: ONSEMI - FGY75T120SWD - IGBT, 150 A, 1.68 V, 503 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
Verlustleistung: 503W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+702.30 грн
5+559.24 грн
10+416.18 грн
50+355.50 грн
100+310.04 грн
250+291.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 307 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/171ns
Switching Energy: 5mJ (on), 2.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 214 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 503 W
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.37 грн
30+315.45 грн
120+307.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T95LQDTON SemiconductorIGBT Transistors 950V 75A FS4 IGBT
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T95LQDTonsemiDescription: IGBT 950V 75A
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T95LQDTON Semiconductor
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T95SQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 950V 150A TO-247
Power - Max: 434 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Gate Charge: 137 nC
Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28.8ns/117ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.11V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 259 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T95SQDTON Semiconductor
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T95SQDTonsemiIGBTs 950V 75A FS4 IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2