Продукція > GT3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GT30F125,LS1MATQ(JToshibaIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30F126(LBS1LG,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30F126,LS1CHAQ(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30G121TOSHIBA07+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT30G124(LBS1SD2QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30G124(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30G124(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121ToshibaIGBTs 3PN IGBT TRC2,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q)ToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+162.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q)TOSHIBACategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 430ns
Turn-on time: 240ns
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+286.30 грн
3+232.31 грн
10+186.18 грн
25+157.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q)ToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+633.53 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 170 W
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.96 грн
10+179.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q)ToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q)ToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q)ToshibaIGBTs 600V/30A DIS
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J122TOS07+ SOP
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J122Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J122
Код товару: 57310
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J122(GREE,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J122(H,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J122(LBDAIKINQToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J122(Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J122(TEAL,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J122AToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J122A(STA1,EToshibaIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J122A(STA1,E,DToshibaToshiba LOW SATURATION VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J122A,Q(O)TOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J126Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J127(LBS1LG,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J127(LBS1SD,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J127(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J127(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J127,LS1CHAQ(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J301ToshibaIGBT Transistors 3PN IGBT PP2,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J301 (Q)ToshibaIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J322
Код товару: 178782
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J322ToshibaIGBTs 3PNIS IGBT TRC2,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J322
Код товару: 51544
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J322 (Q)ToshibaIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J322(LBMBSS,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J322(LBMBSS1,QToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J322(Q)ToshibaIGBTs IGBT, 600V, 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J322(S1MA,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J322(S1MATJ,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J322(TIGER,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J322(TRAHIHO,QToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324ToshibaIGBTs 3PN IGBT TRC2,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(LBYASK,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(Q)ToshibaIGBT Transistors X35 Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN MOQ=50 V=600 F=60HZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(S1DNSO,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(S1DNSOA,QToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(S1DNSOB,QToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(S1DNSOC,QToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(TOJS1,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(TOJS2,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(TOJS3,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(TOJS4,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(TOJS5,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324QToshibaIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J341,QToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J341,QToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J341,QToshibaIGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN MOQ=50 V=600 F=60HZ
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J341,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 600V 59A TO-3P
Power - Max: 230 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Part Status: Active
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/280ns
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J341,STA1E(SToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J341Q(OToshibaIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J65MRB,S1EToshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 650V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Td (on/off) @ 25°C: 75ns/400ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J65MRB,S1EToshibaTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Stick
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J65MRB,S1EToshibaIGBTs 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-3PN, IC=60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J65MRB,S1E(STOSHIBADescription: TOSHIBA - GT30J65MRB,S1E(S - IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.35 грн
10+226.78 грн
100+191.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J65MRBS1E(SToshibaIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30N135SRA,S1EToshibaIGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS
на замовлення 3306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT30N135SRA,S1EToshibaTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 348W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30N135SRA,S1EToshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.88 грн
10+209.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30N135SRA,S1E(SToshibaIGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANS 1350V
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+250.11 грн
59+240.58 грн
100+232.42 грн
250+217.32 грн
500+195.74 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30N135SRA,S1E(STOSHIBADescription: TOSHIBA - GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.06 грн
10+263.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT30N135SRAS1E(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30S-150-150-0.23-0t-Global TechnologyDescription: THERM PAD 150MMX150MM PINK
Part Status: Active
Backing, Carrier: Fiberglass
Adhesive: Tacky - Both Sides
Thermal Conductivity: 3.0W/m-K
Outline: 150.00mm x 150.00mm
Type: Sheet
Thickness: 0.0090" (0.229mm)
Shape: Square
Material: Silicone Elastomer
Color: Pink
Packaging: Bulk
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+967.23 грн
10+824.22 грн
25+785.10 грн
50+710.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT30S-320-320-0.23-0t-Global TechnologyDescription: THERM PAD 320X320MM PINK
Packaging: Bulk
Color: Pink
Material: Silicone Elastomer
Shape: Square
Thickness: 0.0090" (0.229mm)
Type: Sheet
Outline: 320.00mm x 320.00mm
Thermal Conductivity: 3.0W/m-K
Adhesive: Tacky - Both Sides
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30S-640-320-0.23-0t-Global TechnologyDescription: THERM PAD 640X320MM PINK
Packaging: Bulk
Color: Pink
Material: Silicone Elastomer
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0090" (0.229mm)
Type: Sheet
Outline: 640.00mm x 320.00mm
Thermal Conductivity: 3.0W/m-K
Adhesive: Tacky - Both Sides
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT310Knowles / Cornell Dubilier (CDE)Aluminium Electrolytic Capacitors - SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT3113-03-ACONEXANTQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT3113-03-CGLOBESPA..PLCC68
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT311303AGT
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT311303CGLOBESPAN
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT3125-240Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.3125 DIA. X 24IN LG
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT3125-80Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.3125 DIA. X 8IN LG
Packaging: Bulk
Type: Shaft, Ground
Specifications: 0.312" Dia x 8.000" L (7.93mm x 203.20mm)
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1393.62 грн
5+1208.41 грн
10+1154.82 грн
25+1045.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT3132-01-AGTQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT3132-01-A-DBLUCENT
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT3132-01-BD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT3132-01-CGLOBESPAPLCC68
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT3132-D1-A
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT313201AE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT316Cornell Dubilier - CDEAluminium Electrolytic Capacitors - SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT3180GLOBESPA
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT3180-01-AGLOBESPAN
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT3180-01-A-DBGLOBESPANVIR2003
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT3180-01-A-DB TQFD-100LUCENT
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT3180-01-CGLOBESPAPLCC68
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT3180010AGS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]