Продукція > HGT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HGT1S7N60B3Sonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60B3S9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3Donsemi / FairchildIGBT Transistors Optocoupler Phototransistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+96.69 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DSonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DSFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DSHarris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+120.57 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DSonsemi / FairchildIGBT Transistors 7A 600V TF=275NS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DS9AonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DS9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DS9AHarris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+171.87 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DS9AFAIRCHILD
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DS9A_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT20N50DHarris(N-CH IGBT,500V,20A) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT20N50E1Harris(N-CH IGBT,500V,10A) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT4E20N60A4DSonsemi / FairchildIGBT Transistors TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT4E30N60B3SHarris CorporationDescription: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+363.06 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT4E30N60C3SHarris CorporationDescription: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+389.03 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTA32N60E2Harris CorporationDescription: IGBT 600V 50A TO-218-5
Power - Max: 208 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 265 nC
Supplier Device Package: TO-218-5
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-218-5
Packaging: Bulk
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+830.00 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTB12N60D1CHarris CorporationDescription: IGBT 600V 12A TO-220-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+298.82 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD10N40F1Harris CorporationDescription: IGBT 400V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD10N40F1SHARRISHGTD10N40F1S
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD10N40F1SHARRISHGTD10N40F1S
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
500+113.53 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD10N40F1SHarris CorporationDescription: IGBT 400V 12A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD10N50F1Harris CorporationDescription: IGBT 500V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+138.26 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD10N50F1HARRISHGTD10N50F1
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.04 грн
500+175.62 грн
1000+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD10N50F1SHarris CorporationDescription: IGBT 500V 12A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD10N50F1SHARRISHGTD10N50F1S
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNSonsemi / FairchildIGBTs NPTPIGBT TO252 5.3A 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNSFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.44 грн
100+60.68 грн
500+45.38 грн
1000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AONS/FAIIGBT 1200V 5.3A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AONSEMIDescription: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.50 грн
500+54.04 грн
1000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+91.95 грн
250+78.07 грн
500+73.28 грн
1000+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AONSEMICategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 2.7A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 6A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AonsemiIGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
на замовлення 36628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AONSEMIDescription: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.87 грн
50+92.66 грн
100+69.50 грн
500+54.04 грн
1000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60A4SON SemiconductorHGTD3N60A4S
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.67 грн
1000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60A4Sonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60A4S
Код товару: 83202
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60A4SFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 17A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60A4SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60B3HARRISHGTD3N60B3
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 7A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 4349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60B3HARRISHGTD3N60B3
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+63.07 грн
1000+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60B3HARRISHGTD3N60B3
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+63.07 грн
1000+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60B3SHarris CorporationDescription: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Power - Max: 33.3 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Gate Charge: 21 nC
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60B3SHARRISHGTD3N60B3S
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.61 грн
549+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60B3S9AHARRISHGTD3N60B3S9A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.61 грн
549+64.45 грн
1000+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60B3S9AHarris CorporationDescription: IGBT 600V 7A TO-252
Power - Max: 33.3 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Gate Charge: 21 nC
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3HARRISHGTD3N60C3
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3HARRISHGTD3N60C3
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+63.07 грн
1000+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3HARRISHGTD3N60C3
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3SHarris CorporationDescription: 6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3S9AON SemiconductorHGTD3N60C3S9A
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.24 грн
1000+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3S9AON SemiconductorHGTD3N60C3S9A
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.24 грн
1000+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3S9AFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 6A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 85µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 10.8 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
на замовлення 8284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3S9AFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3S9AON SemiconductorHGTD3N60C3S9A
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.24 грн
1000+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD6N40E1SHarris CorporationDescription: 6A, 400V N-CHANNEL IGBT
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Part Status: Active
Gate Charge: 6.9 nC
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60A4Sonsemi / FairchildIGBT Transistors TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60B3HARRISHGTD7N60B3
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+101.21 грн
500+91.08 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 14A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+71.85 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60B3SHarris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 72µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60B3SHARRISHGTD7N60B3S
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.31 грн
500+93.88 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3Harris CorporationDescription: 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: I-PAK
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S
Код товару: 131786
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3SHarris CorporationDescription: 600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3Sonsemi / FairchildIGBTs PTPIGBT TO252 7A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9AonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 14A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+144.97 грн
1000+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9AonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+109.59 грн
100+75.16 грн
500+56.73 грн
1000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9A_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD8P50G1HARRISHGTD8P50G1
на замовлення 20501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+136.72 грн
1000+129.65 грн
10000+117.06 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD8P50G1HARRISHGTD8P50G1
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+136.72 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD8P50G1Harris CorporationDescription: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Power - Max: 66 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Gate Charge: 30 nC
Supplier Device Package: I-PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 8A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 23728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+111.30 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD8P50G1SHARRISHGTD8P50G1S
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.99 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD8P50G1SHarris CorporationDescription: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Power - Max: 66 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Gate Charge: 30 nC
Supplier Device Package: TO-252AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD8P50G1SHARRISHGTD8P50G1S
на замовлення 6540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.99 грн
500+98.09 грн
1000+90.46 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD8P50GISHarris CorporationDescription: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNonsemi / FairchildIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNONS/FAITO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDonsemiIGBTs 35A 1200V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.87 грн
500+206.26 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDONS/FAIIGBT NPT 1200V 35A TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.87 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 6918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.69 грн
30+179.94 грн
120+148.71 грн
510+118.06 грн
1020+110.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDonsemi / FairchildIGBTs 35A 1200V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.87 грн
500+206.26 грн
1000+194.47 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND
Код товару: 91807
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND_Qonsemi / FairchildIGBTs 35A 1200V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNFairchild SemiconductorDescription: IGBT NPT 1200V 43A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+167.21 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]