Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.04 грн
10+474.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+852.11 грн
5+681.37 грн
10+510.62 грн
50+460.69 грн
100+412.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+486.67 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.23 грн
10+432.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+671.70 грн
10+566.84 грн
25+419.73 грн
100+418.35 грн
240+386.59 грн
480+362.43 грн
1200+325.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R070P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 240 шт:
термін постачання 755-764 дні (днів)
1+732.91 грн
10+653.37 грн
100+470.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R070P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.10 грн
10+277.86 грн
100+201.58 грн
480+181.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 14461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+274.66 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.46 грн
30+244.33 грн
120+204.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R125P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R125P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2557.06 грн
10+2479.02 грн
20+2326.28 грн
50+2102.87 грн
100+1976.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1623.68 грн
10+1194.81 грн
100+898.82 грн
480+898.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1653.75 грн
10+1618.31 грн
100+1549.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1
Код товару: 117276
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1164.61 грн
10+790.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1530.51 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1127.67 грн
30+719.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ65R019C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1524.62 грн
5+1369.98 грн
10+1214.54 грн
50+937.08 грн
100+805.63 грн
250+795.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+970.99 грн
17+854.04 грн
50+806.46 грн
100+745.66 грн
200+713.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+741.69 грн
30+428.03 грн
120+365.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+924.55 грн
30+658.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+798.15 грн
10+472.37 грн
100+350.69 грн
480+345.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.81 грн
30+645.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.74 грн
10+442.99 грн
100+321.01 грн
480+286.49 грн
1200+254.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+536.29 грн
50+530.38 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+359.86 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+670.09 грн
5+550.09 грн
10+429.28 грн
50+373.93 грн
100+305.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.20 грн
10+290.56 грн
100+243.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.72 грн
30+361.82 грн
120+305.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.72 грн
10+360.43 грн
100+253.36 грн
480+225.05 грн
1200+192.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7Infineon TechnologiesDescription: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+330.07 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.08 грн
10+477.74 грн
100+395.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 521W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1123.53 грн
5+1018.83 грн
10+914.13 грн
50+778.53 грн
100+653.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1235.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+918.15 грн
10+816.91 грн
100+709.67 грн
240+602.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R016CM8XKSA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1001.86 грн
10+849.73 грн
240+711.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1235.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.89 грн
10+631.94 грн
100+458.39 грн
480+408.68 грн
1200+347.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 101A Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1368.37 грн
10+1239.27 грн
100+910.56 грн
480+793.89 грн
1200+787.68 грн
2640+774.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.78 грн
10+447.76 грн
100+324.46 грн
480+286.49 грн
1200+257.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.26 грн
10+687.30 грн
25+626.06 грн
50+577.46 грн
100+502.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+563.22 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R037CM8XKSA1
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+583.25 грн
30+329.01 грн
120+278.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+816.31 грн
26+557.98 грн
100+510.64 грн
240+486.43 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+800.65 грн
25+547.28 грн
100+500.84 грн
240+477.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+996.28 грн
10+885.19 грн
100+650.30 грн
480+578.51 грн
1200+530.87 грн
2640+530.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 76
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.54 грн
30+386.65 грн
120+347.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1012.33 грн
16+933.19 грн
50+751.28 грн
100+722.17 грн
200+667.62 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.46 грн
10+486.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+699.89 грн
10+590.66 грн
25+486.00 грн
100+403.16 грн
240+402.47 грн
480+377.62 грн
1200+339.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 61
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 201
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 201
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R055CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.36 грн
10+333.43 грн
100+234.72 грн
480+208.48 грн
1200+178.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+492.58 грн
31+468.96 грн
50+459.51 грн
100+441.96 грн
200+408.16 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+407.28 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.76 грн
10+417.56 грн
25+352.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.57 грн
10+428.70 грн
25+183.63 грн
240+182.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R070CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.74 грн
10+321.53 грн
100+205.72 грн
480+182.25 грн
1200+162.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.36 грн
10+269.70 грн
25+260.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.03 грн
10+310.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+324.58 грн
10+319.14 грн
25+188.46 грн
100+180.18 грн
240+179.49 грн
480+162.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3  Наступна Сторінка >> ]