Продукція > IPZ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R040C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of package: tube | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | на замовлення 13435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R060C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM | на замовлення 240 шт: термін постачання 755-764 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R099C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 22 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS C7 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_PRICE/PERFORM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ60R099P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R019C7 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4 | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R019C7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R019C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4 | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R019C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R019C7XKSA1 Код товару: 117276
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPZ65R019C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R019C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R019C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V | на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R019C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R019C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ65R019C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 446W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R045C7 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4 | на замовлення 383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R065C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R065C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 171W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R095C7 | Infineon Technologies | Description: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Bulk | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R095C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZ65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZ65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R016CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 521W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZA60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPZA60R016CM8XKSA1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA Power Dissipation (Max): 521W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZA60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZA60R024CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R024P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R024P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: - Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): - Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZA60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZA60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPZA60R037CM8XKSA1 Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZA60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R037P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZA60R037P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 76 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 255 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 255 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZA60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZA60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZA60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZA60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R045P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 61 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 201 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 201 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPZA60R060P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 164W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPZA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|