Продукція > MJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 128429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
795+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 795 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 153995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 48038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1198+29.61 грн
10000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 1198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.46 грн
10+59.46 грн
75+40.38 грн
525+31.34 грн
1050+22.71 грн
2400+22.09 грн
4800+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 80391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1198+29.61 грн
10000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 1198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-HFComchip TechnologyDescription: TRANS 100V 2A TO-252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.99 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.24 грн
15+51.58 грн
150+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+51.98 грн
279+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.65 грн
10+81.35 грн
100+37.85 грн
500+33.28 грн
1000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117G
Код товару: 79758
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Напруга Uке, V: 100 V
Напруга Uкб, V: 100 V
Струм Iк, A: 2 A
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
на замовлення 5429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+50.33 грн
100+28.72 грн
500+22.30 грн
1000+20.16 грн
2500+18.98 грн
5000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.35 грн
16+51.06 грн
100+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 200...12000
Frequency: 25MHz
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.80 грн
10+42.55 грн
100+28.59 грн
500+21.02 грн
1000+18.03 грн
2500+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMPNP Darl. DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.45 грн
5000+20.53 грн
7500+19.07 грн
12500+18.22 грн
17500+16.69 грн
25000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.82 грн
100+30.72 грн
500+22.32 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.62 грн
5000+20.69 грн
7500+19.22 грн
12500+18.35 грн
17500+16.82 грн
25000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4 PBF
Код товару: 21024
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Напруга Uке, V: 100 V
Напруга Uкб, V: 100 V
Струм Iк, A: 2 A
Примітка: Дарлінгтон
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.19 грн
50+49.13 грн
100+32.14 грн
500+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GMJD117T4G Диоды
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.98 грн
100+34.27 грн
500+25.00 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.19 грн
25+30.37 грн
26+30.07 грн
100+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.14 грн
500+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.09 грн
5000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.09 грн
10+53.75 грн
100+32.65 грн
500+26.72 грн
1000+23.33 грн
2500+18.92 грн
5000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD117GOn SemiconductorPNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD112) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G*********
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.85 грн
100+27.97 грн
500+20.24 грн
1000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
916+38.73 грн
1000+35.71 грн
10000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Silicon Darl
на замовлення 18518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
916+38.73 грн
1000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Frequency - Transition: 25MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GOODWORKDescription: 100V 8A 1.75W TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122YFWTranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE; MJD122 TO252 YFW TMJD122 lge
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+32.31 грн
100+20.90 грн
500+14.98 грн
1000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122YFWTranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-YFW; MJD122 TO252 YFW TMJD122 YFW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122LGETranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE; MJD122 TO252 YFW TMJD122 lge
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.14 грн
5000+11.59 грн
7500+11.05 грн
12500+9.80 грн
17500+9.46 грн
25000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 23955
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 TO252 SMD
Код товару: 181912
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+17.36 грн
40+11.80 грн
100+10.55 грн
500+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 20W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...12000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
75+43.15 грн
150+38.55 грн
525+30.02 грн
1050+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+46.05 грн
75+35.69 грн
525+29.62 грн
2550+27.34 грн
5025+22.51 грн
10050+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.47 грн
13+63.30 грн
100+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1GonsemiDarlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.92 грн
5000+19.51 грн
7500+18.69 грн
12500+16.68 грн
17500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.93 грн
100+33.56 грн
500+24.50 грн
1000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMCC Corp.NPN 100V 8A DPAK(TO-252-3) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TP-HF-B002Micro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122/127
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
75+45.99 грн
150+41.17 грн
525+32.19 грн
1050+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 18674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.43 грн
10+58.19 грн
75+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+44.36 грн
379+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G
Код товару: 165785
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.67 грн
13+62.34 грн
100+52.35 грн
500+47.41 грн
1000+42.59 грн
5000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.49 грн
18+44.07 грн
75+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GOn SemiconductorNPN Darl. DPAK Транзистори
на замовлення 400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
11+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 12525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.43 грн
300+48.68 грн
1050+46.82 грн
2550+43.93 грн
5025+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.68 грн
18+43.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Current gain: 300
Frequency: 4MHz
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+83.93 грн
10+61.91 грн
25+52.43 грн
50+46.53 грн
75+43.46 грн
150+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+50.89 грн
100+29.06 грн
500+22.85 грн
1000+20.09 грн
1800+17.67 грн
3600+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]