Продукція > PMG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMGD175XNEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
762+11.20 грн
3000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.92 грн
50+36.01 грн
100+25.93 грн
500+18.87 грн
1500+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 29499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
17+18.72 грн
100+11.84 грн
500+8.30 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115NXPTransistor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,55A; 400mW; SOT363; PMGD280UN,115 PMGD280UN NEXPERIA TPMGD280un
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.60 грн
50+19.83 грн
100+12.11 грн
500+10.57 грн
1500+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.55A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.4W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 0.66Ω
Gate charge: 0.89nC
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.35 грн
34+12.58 грн
40+10.57 грн
100+9.56 грн
250+8.81 грн
500+8.39 грн
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115NexperiaMOSFETs PMGD280UN/SOT363/SC-88
на замовлення 174569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.68 грн
15+21.63 грн
50+13.59 грн
100+11.91 грн
1000+9.20 грн
3000+5.78 грн
6000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.90 грн
6000+6.03 грн
9000+5.71 грн
15000+5.03 грн
21000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115NexperiaMOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.11 грн
500+10.57 грн
1500+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.15 грн
6000+8.06 грн
15000+7.45 грн
30000+6.72 грн
75000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEA/DG/B2115NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAHNexperia PMGD290UCEA/SOT363/SC-88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD290UCEAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 725mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 725mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.06 грн
29+28.61 грн
100+18.13 грн
500+12.60 грн
1000+10.45 грн
5000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAXNexperiaTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.725A/0.5A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAXNexperiaMOSFETs SOT363 NPCH 20V .725A
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.46 грн
17+18.91 грн
100+10.38 грн
500+7.80 грн
1000+7.11 грн
3000+6.20 грн
6000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAXNexperiaMOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+18.95 грн
100+11.97 грн
500+8.40 грн
1000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 450/-320mA
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.99W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 380/850mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 3131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
25+17.36 грн
35+12.16 грн
100+9.14 грн
250+8.30 грн
500+7.63 грн
1000+7.30 грн
3000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XNNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XNNexperiaDual N-Channel 20 V 350 mOhm 0.41 W 0.72 nC Surface Mount TrenchMOS - SOT-363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 31010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.27 грн
100+11.56 грн
500+8.10 грн
1000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 8088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1443+8.06 грн
3000+7.24 грн
6000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 1443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4609+7.68 грн
10000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 4609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115
Код товару: 127291
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.73 грн
6000+5.87 грн
9000+5.56 грн
15000+4.89 грн
21000+4.70 грн
30000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+21.81 грн
1500+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 8088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1755+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 1755 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaMOSFETs SOT363 2NCH 20V .86A
на замовлення 108908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.74 грн
22+14.58 грн
100+6.97 грн
500+6.55 грн
1000+6.20 грн
3000+4.25 грн
6000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.35 грн
50+27.56 грн
100+24.06 грн
500+21.81 грн
1500+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD370XNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD370XNPHILIPSSOT363 06+
на замовлення 17871 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD370XN T/RNXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD370XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 740mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD370XN,115NexperiaMOSFET N-CH TRENCH DL 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD370XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 740mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD400UNNXP2N-MOSFET 710mA 30V 410mW Obsolete PMGD400UN SOT363 TPMGD400un
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD400UNNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD400UNNXP2N-MOSFET 710mA 30V 410mW Obsolete PMGD400UN SOT363 TPMGD400un
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD400UN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 710mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD400UN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 710mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SNNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.76 грн
50+20.24 грн
100+13.09 грн
500+11.93 грн
1500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
6000+7.45 грн
9000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115NexperiaMOSFETs PMGD780SN/SOT363/SC-88
на замовлення 31889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.69 грн
20+16.67 грн
100+7.32 грн
1000+5.99 грн
3000+5.09 грн
9000+4.60 грн
24000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
6000+7.45 грн
9000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.00 грн
9000+8.66 грн
12000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
22+13.96 грн
100+8.30 грн
500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.09 грн
500+11.93 грн
1500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.43 грн
6000+7.97 грн
9000+7.19 грн
15000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.85 грн
33+23.27 грн
37+20.81 грн
100+15.00 грн
250+11.90 грн
500+9.47 грн
1000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115
на замовлення 29688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+23.87 грн
832+17.01 грн
989+14.30 грн
1218+11.20 грн
1808+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.38 грн
6000+4.90 грн
9000+4.26 грн
15000+3.97 грн
21000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN.115
Код товару: 167956
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD8000LN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD8000LN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2