Продукція > R60

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 9 12 15 18 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6002JND4TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 6812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6002JND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 6.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.02 грн
100+36.25 грн
500+26.46 грн
1000+24.02 грн
2000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6002PCBrady CorporationDescription: R6002PC HALOGEN FREE, 3.27"X 984
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003Brady CorporationDescription: R6003 HALOGEN FREE, 1.57" X 500'
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003-00HarwinStandoffs & Spacers 3.2 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6003-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 3.2MM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1PRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1SRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2PRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2SRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3CORBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3PRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3SRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+60.76 грн
100+40.23 грн
500+29.48 грн
1000+26.82 грн
2000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003JND4TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 7443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003JND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6003JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 2.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.15ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.63 грн
215+65.97 грн
222+63.95 грн
294+46.45 грн
299+42.28 грн
500+33.45 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.45 грн
12+66.30 грн
25+65.64 грн
50+61.35 грн
100+42.79 грн
250+40.39 грн
500+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003JND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6003JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 2.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.15ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.49 грн
10+111.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.66 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.93 грн
10+117.93 грн
100+81.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs 600V Vdss; 3A Id 44W Pd; TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND4TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 7142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.34 грн
100+38.58 грн
500+28.22 грн
1000+25.65 грн
2000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004Brady CorporationDescription: R6004 HALOGEN FREE, 5.12" X 984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Printers
Accessory Type: Ribbon
Specifications: Black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004CNDTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+90.12 грн
100+71.76 грн
500+56.98 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.47 грн
126+113.03 грн
131+108.43 грн
200+100.01 грн
500+81.35 грн
1000+66.98 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.82 грн
5000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 59
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.36Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+68.16 грн
100+45.35 грн
500+33.39 грн
1000+30.44 грн
2000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.49 грн
160+88.63 грн
206+68.95 грн
207+66.15 грн
500+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLROHMDescription: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.41 грн
250+80.30 грн
500+76.42 грн
1000+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLROHMDescription: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+98.20 грн
100+76.56 грн
500+59.35 грн
1000+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.41 грн
250+80.30 грн
500+76.42 грн
1000+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTLROHMDescription: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+74.22 грн
250+71.24 грн
500+68.66 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTLROHMDescription: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXROHMDescription: ROHM - R6004ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.98 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+93.52 грн
100+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.10 грн
165+86.07 грн
250+82.62 грн
500+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.17 грн
10+119.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.43 грн
10+79.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 4A N-CH MOSFET
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6004ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
50+67.95 грн
100+67.00 грн
500+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+125.05 грн
179+79.42 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.93 грн
10+125.27 грн
100+91.24 грн
500+77.17 грн
1000+66.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.62 грн
113+125.90 грн
155+91.69 грн
500+77.55 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 9 12 15 18 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]