Продукція > RFD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RFD10N05SM
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD10P03Lintersil00+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD10P03LSMonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 10A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD10P03LSMmodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD10P03SM
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD10P05
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD11N06RLESM
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06Lintersil00+
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06LESMFAIRCHILDTO-252/D-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLEonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLE
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLE
Код товару: 104368
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESMFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9AUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9Aonsemi / FairchildMOSFETs 60V Single
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.87 грн
100+44.66 грн
500+32.98 грн
1000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9AUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9AonsemiMOSFETs 60V Single
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06SM
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14LN05SMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 1158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14LN05SMONSEMIDescription: ONSEMI - RFD14LN05SM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05ONS/FAI(MFET,N-CH,LL,50V,14A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05Fairchild/ON SemiconductorN-канальный ПТ (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-251AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05onsemi / FairchildMOSFET TO-251AA N-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LONSEMIDescription: ONSEMI - RFD14N05L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 48
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L
Код товару: 103354
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05Lonsemi / FairchildMOSFET TO-251AA N-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 14 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 40 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 14 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: IPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L8M9A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 19494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
75+44.69 грн
150+39.97 грн
525+31.19 грн
1050+28.45 грн
2025+26.26 грн
5025+23.38 грн
10050+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+34.43 грн
300+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMonsemiMOSFETs TO-252AA N-Ch Power
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMUMWDescription: MOSFET N-CH 50V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.08 грн
100+28.76 грн
500+20.80 грн
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+34.43 грн
433+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMONS/FAITO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM
Код товару: 119555
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 5344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.17 грн
265+53.52 грн
363+39.04 грн
392+34.80 грн
5025+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMUMWDescription: MOSFET N-CH 50V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMONSEMIDescription: ONSEMI - RFD14N05LSM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.42 грн
10+88.97 грн
25+59.64 грн
75+41.72 грн
300+35.69 грн
5025+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 14 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 40 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 14 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM
Код товару: 21982
Додати до обраних Обраний товар
IntersilТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252AA
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.09 грн
11+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+57.01 грн
310+45.67 грн
1050+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSMON-SemiconductorN-MOSFET 14A 50V 48W 0.1Ω RFD14N05LSM smd TRFD14N05lsm
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM-NL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.33 грн
19+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9AONS/FAITO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.14 грн
5000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 10248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.77 грн
10+46.29 грн
100+33.71 грн
500+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9AonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 26177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+53.29 грн
100+35.04 грн
500+25.54 грн
1000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.14 грн
5000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9AonsemiMOSFETs Power MOSFET
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9AonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.31 грн
5000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A
Код товару: 129204
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05S2515HARRISRFD14N05S2515
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
758+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 758 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05S2515Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 50V 14A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SMONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SMonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.41 грн
5000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9AonsemiMOSFETs TO-252
на замовлення 22684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9AonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.50 грн
5000+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.74 грн
13+34.05 грн
25+32.46 грн
100+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9AonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A-NL
на замовлення 4055 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06L
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06LSM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06LSM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD150-1-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD150-1-1/4AEssentraConduit Fittings & Accessories FLANGE PROTECTION DISC:HDPE BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD150-16AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD150-1AEssentraConduit Fittings & Accessories FLANGE PROTECTION DISC:HDPE BLACK
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD150-8AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15N05
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15N06
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15N06LE
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15N06LESM
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15N06LESMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]