Продукція > RJK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RJK0305DPB-02#J0RenesasMOSFET N-CH 30V 30A LFPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-02#J0California Eastern LaboratoriesPOWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-02#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-WS#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-WS#J0Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPC
на замовлення 20569 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPC-00-JO
на замовлення 3281 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305PB-00-JO
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0316DPA-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0316DPA-WS#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0316DSPRENESAS09+
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0316DSP-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0316DSP-00-J0
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0317DSP-00-J0
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0318JPB-01-JORENESAS
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0319JPB-01-JORENESAS
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0320DQM
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0320DQM-00#H1Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0328DPB
на замовлення 10479 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0328DPBRenesas ElectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0328DPB-00#J0RenesasTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 11590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.76 грн
500+150.86 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0328DPB-00#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V
на замовлення 11589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+110.46 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0328DPB-00-J0
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0328DPB-01
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0328DPB-01#J0Renesassc100-5/POWER MOSFETS FOR GENERALSWITCHING RJK0328
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0328DPB-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.12 грн
10+163.34 грн
100+118.97 грн
500+93.30 грн
1000+90.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0328DPB-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0328DPB-01#J0Renesas ElectronicsMOSFETs PowerMOSFET
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.61 грн
10+190.69 грн
25+160.25 грн
100+121.93 грн
500+99.63 грн
1000+92.66 грн
2500+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03290PB
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0329DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0329DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0329DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0329DPB-00-J0
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0329DPB-01#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 10 V
на замовлення 19257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+77.90 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-00#JORenesas10
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-01#J0RENESASDescription: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 2700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-01#J0RenesasSILICON N CHANNEL POWER MOSFET POWER SWITCHING RJK0330DPB
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-01#J0Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK PbFr HF
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.83 грн
10+157.04 грн
100+108.69 грн
250+100.33 грн
500+91.27 грн
1000+78.73 грн
2500+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-01#J0RENESASDescription: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 2700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-W1#J0Renesas Electronics America IncDescription: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0331DPBRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0331DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0331DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0331DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0331DPB-00-J0
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0331DPB-01#J0Renesas Electronics America IncDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0332DPB
на замовлення 915 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0332DPB-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0332DPB-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0332DPB-01#J0RENESASDescription: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.72 грн
500+57.67 грн
1000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0332DPB-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0332DPB-01#J0RENESASDescription: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.44 грн
10+117.86 грн
100+83.72 грн
500+57.67 грн
1000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0332DPB-01#J0Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.62 грн
10+115.38 грн
100+79.43 грн
250+73.85 грн
500+66.75 грн
1000+57.20 грн
2500+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0346
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0346DPARENESAS
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0346DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0346DPA-00-J0RENESASWPAK 08+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0346DPA-00-JO
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0346DPA-01#J0BRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0346DPA-01#J0BRenesas ElectronicsMOSFET JET MOSFET 30V WPAK Pb/Halogen Free
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
2+205.65 грн
10+181.88 грн
100+127.50 грн
500+104.51 грн
1000+86.39 грн
2500+80.12 грн
5000+77.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0346DPA-01#J0BRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+151.41 грн
100+105.61 грн
500+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0346DPA-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+200.15 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0346DPA00J0RENESAS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0348DPARENESAS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0348DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
на замовлення 635000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+150.49 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0348DPA-00-J0
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0348DPA-01#J0Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+94.54 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0348DPA-01#J0BRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0348DPA-01#J0BRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0348DPA-01#J0BRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0348DPA00J0RENESAS
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0348DSPRENESAS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0348DSP-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0348DSPOOJORENESAS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DPARENESAS
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DPA-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DPA-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DPA-00#J0
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DPA-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DPA-00-J0
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DPA-01#J0BRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+82.03 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DPA-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
391+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 391 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DPA00J0RENESAS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DSPRENESAS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DSP-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DSP-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DSP-00#J0Renesas ElectronicsMOSFET Nchannel Low Voltage MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DSP-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.68 грн
10+117.37 грн
100+80.30 грн
500+60.49 грн
1000+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DSP-01#J0Renesas ElectronicsMOSFET Nchannel Low Voltage MOSFET, HF version
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DSP-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DSP-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: IGBT
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0349DSP00J0RENESAS
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0350DPA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0351DPARenesas ElectronicsArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]