Продукція > SIB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIB-129-02-F-S-LCSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100 One-Piece Interface
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB-130-02-F-SSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" One-Piece Interface
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB-130-02-F-S-LCSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" One-Piece Interface
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1096.95 грн
7+982.84 грн
105+708.98 грн
252+629.59 грн
504+610.26 грн
1001+568.84 грн
2506+562.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIB1044D
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB16080017
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB404DK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB404DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB404DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB406EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB406EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.28 грн
100+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB406EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB406EDK-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 13131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.93 грн
10+32.95 грн
100+20.57 грн
500+15.33 грн
1000+13.60 грн
3000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB406EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB408DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB408DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
на замовлення 8351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB408DK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB408DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
на замовлення 8351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB410DK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB410DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB410DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB411DK-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB411DK-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB411DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4122DK-T1-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.04 грн
10+32.63 грн
100+18.71 грн
500+14.70 грн
1000+13.39 грн
3000+11.39 грн
6000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB412DK-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB412DK-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB412DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB413DK-T1-E3
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB413DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB413DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB414DK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIB404DK-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB414DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB414DK-T1-GE3
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB414DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB415DK-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB415DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB415DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB415DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417AEDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417AEDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
на замовлення 8403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417AEDK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 1.2V P-Channel
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417AEDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
на замовлення 8403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417EDK-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -9A
Drain-source voltage: -8V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 13W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417EDK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417EDK-T1-GE3
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB419DK-T1-E3
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB419DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB419DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB419DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB419DK-T1-GE3
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 5252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
10+34.61 грн
100+19.40 грн
500+14.77 грн
1000+13.32 грн
3000+11.39 грн
6000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB422EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.03 ohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 7389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
11+29.02 грн
100+20.15 грн
500+14.76 грн
1000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 9A; Idm: 25A; 13W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 13W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.87 грн
6000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB422EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.03 ohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 2782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.60 грн
21+36.90 грн
25+36.54 грн
100+26.29 грн
250+24.10 грн
500+18.12 грн
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T4-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A/9A PPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4316EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4316EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 8304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
12+27.07 грн
100+17.40 грн
500+12.39 грн
1000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4316EDK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC75 N-CH 30V 4.5A
на замовлення 28172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
11+28.90 грн
100+16.15 грн
500+12.29 грн
1000+11.05 грн
3000+9.39 грн
6000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4316EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.34 грн
30+27.22 грн
100+20.54 грн
500+14.58 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4316EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4316EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4316EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 10W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.97 грн
500+14.58 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4317EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB4317EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.065 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 10W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.67 грн
500+14.13 грн
1000+11.60 грн
5000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4317EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin PowerPAK SC-75 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4317EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
12+25.95 грн
100+18.05 грн
500+13.23 грн
1000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4317EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB4317EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.065 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.45 грн
25+32.62 грн
100+21.67 грн
500+14.13 грн
1000+11.60 грн
5000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4317EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.64 грн
6000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4317EDK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC75 P-CH 30V 4.3A
на замовлення 26174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
10+31.99 грн
100+18.02 грн
500+13.74 грн
1000+12.29 грн
3000+10.49 грн
9000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB433EDK-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 11870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.96 грн
10+33.90 грн
100+19.54 грн
500+15.12 грн
1000+13.60 грн
3000+11.18 грн
9000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB433EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB433EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB437EDKT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB437EDKT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB437EDKT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8V 9A 13W 34MOHMS @ 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
на замовлення 11928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
12+25.43 грн
100+17.64 грн
500+12.93 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.73 грн
500+14.28 грн
1000+9.39 грн
5000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 5894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.97 грн
10+37.15 грн
100+20.92 грн
500+15.95 грн
1000+14.43 грн
3000+12.36 грн
6000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.77 грн
26+31.73 грн
100+19.73 грн
500+14.28 грн
1000+9.39 грн
5000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.39 грн
6000+9.50 грн
9000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
на замовлення 12994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+55.34 грн
100+36.53 грн
500+26.70 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 190V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+44.62 грн
100+26.92 грн
500+22.30 грн
1000+20.09 грн
3000+15.95 грн
6000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.41 грн
6000+20.88 грн
9000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB452DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 1.5 A, 1.8 ohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 13
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB452DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 1.5 A, 1.8 ohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 13
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB455EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB455EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB456DK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB456DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.3 A, 0.153 ohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 13
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.153
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB456DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.78 грн
6000+11.28 грн
9000+10.76 грн
15000+9.54 грн
21000+9.22 грн
30000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB456DK-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 7503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.46 грн
11+29.06 грн
100+17.67 грн
500+13.81 грн
1000+12.01 грн
3000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]