Продукція > SUM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SUM110P04-04L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+262.25 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+199.68 грн
1600+198.93 грн
2400+195.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -33A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+353.00 грн
5+274.25 грн
10+243.78 грн
25+205.89 грн
50+182.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 18125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.18 грн
10+255.05 грн
100+183.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 110, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 280, Rds = 5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
800+187.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+199.68 грн
1600+198.93 грн
2400+195.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+200.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 110A 375W
на замовлення 7048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+151.07 грн
1600+136.72 грн
2400+136.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+201.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07LVishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25, Qg, нКл = 345 @ 10 В, Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Тексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 10 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
800+212.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07LVishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07LTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+193.22 грн
74+191.25 грн
100+184.33 грн
250+170.60 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3
Код товару: 141393
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 110A TO263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+182.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+168.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 27631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.22 грн
10+191.35 грн
25+191.25 грн
100+184.33 грн
250+170.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM110P06-07L TSUM110P06-07l
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+139.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+169.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 110A 375W
на замовлення 14227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+319.30 грн
3+254.49 грн
10+212.48 грн
50+166.36 грн
100+149.07 грн
250+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
на замовлення 26786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.01 грн
10+237.49 грн
100+169.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+169.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 22108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3-LVishay / SiliconixMOSFETs 60V 110A 375W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
sum110p06-08l
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.99 грн
1600+125.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 272W; -55°C~175°C; SUM110P06-08L-E3 TSUM110P06-08l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+166.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.15 грн
10+222.51 грн
100+159.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+175.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V
на замовлення 131530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P0608LE3VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11LVISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+353.00 грн
5+266.84 грн
10+235.54 грн
25+229.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 19958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.92 грн
10+230.08 грн
100+164.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V 110A 375W
на замовлення 70853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.97 грн
1600+130.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM11N08-07
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM120N04-1M7L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11685 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM1234
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM1500RMXL2UAPC by Schneider ElectricUPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM1500RMXL2UAmerican Power ConversionUPS Line Interactive Rack Mount 120V 1425W 1440VA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM1500RMXLI2UAmerican Power ConversionUPS Rack Mount/Tower 230V 1425W 1500VA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM1500RMXLI2UAPC by Schneider ElectricUPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 1500VA 230V Rackmount/Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM18N25-165-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM18N25-165-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM23N15-73
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM23N15-73-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM25P10-138-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 88.2W (Tc)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78VISHAYDO-41
на замовлення 4000000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM3000RMXL2UAPC by Schneider ElectricUPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM33N20-60P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 33A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM36N20-54P
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM36N20-54P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM36N20-54P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.24 грн
10+159.96 грн
100+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.63 грн
1600+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM40010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.77 грн
10+153.66 грн
100+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds +/-20V Vgs TO-263
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.00 грн
1600+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 N-CH 40V 200A
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 200A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.36 грн
10+221.22 грн
25+218.98 грн
50+209.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.58 грн
10+188.12 грн
100+133.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.11 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N02-12P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 40A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]