Продукція > TK4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK429SSTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,SpeakON female 2pin; 9m; black
Type of connection cable: Jack - SpeakON
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; SpeakON female 2pin
Version: mono
Cable length: 9m
Insulation colour: black
Kind of core: OFC
Core section: 2.5mm2
Number of cores: 2
Enclosure material: metal
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3570.60 грн
5+2944.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK42A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42A12N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh7.8ohm VGS10V10uAVDS120V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+138.14 грн
50+69.72 грн
100+62.75 грн
250+57.23 грн
500+50.05 грн
1000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
50+73.92 грн
100+66.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42A12N1,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 42A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 42A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Power dissipation: 35W
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.07 грн
6+76.45 грн
10+68.97 грн
50+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.64 грн
112+127.58 грн
200+102.06 грн
800+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42A12N1S4X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK42E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 88A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42E12N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 88A 140W FET 120V 3100pF 52nC
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.70 грн
10+88.92 грн
100+61.16 грн
500+44.46 грн
1000+37.76 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42E12N1,S1X(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK42E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK42E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 88 A, 0.0078 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42E12N1S1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK430ExtechDigital Multimeters ELECTRICAL TEST KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK430Teledyne FLIRElectrical Test Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK430FLIR ExtechDescription: ELECTRICAL TEST KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK430-IRFLIR Commercial SysElectrical Test Kit With IR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK430-IRFLIRDescription: ELECTRICAL TEST KIT WITH IR THER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK430A60F,S4X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.75mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK430A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK430A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.58 грн
10+182.02 грн
100+131.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK430A60FS4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK431
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK431-5SSTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6.3mm 2pin angled plug,both sides; 1.5m; black; 1mm2
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Version: mono
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Kind of core: OFC
Core section: 1mm2
Number of cores: 2
Enclosure material: metal
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1915.95 грн
5+1579.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK4347252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK4419A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK4437
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK45P03M1
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK45P03M1,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK45P03M1,RQ(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 45A 30V 39W 1500pF 0.012
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK46A08N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46A08N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 6.9ohm VGS10V10uAVDS80V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.47 грн
10+127.82 грн
50+54.68 грн
100+47.84 грн
500+37.90 грн
1000+32.03 грн
2500+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46A08N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46A08N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.76 грн
12+68.71 грн
25+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46A08N1,S4X(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK46A08N1S4X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK46E08N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46E08N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46E08N1,S1XToshibaMOSFETs 80V N-Ch PWR FET 80A 103W 37nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46E08N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK46E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 6900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.14 грн
10+84.57 грн
100+57.83 грн
500+41.21 грн
1000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46E08N1S1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4700Sargent ToolsCrimpers LAN KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65WToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1FToshibaMOSFETs N-Ch Power MOSFET Transistor
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1138.03 грн
10+854.23 грн
120+619.24 грн
510+551.58 грн
1020+514.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 24.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+972.35 грн
30+549.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 49.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 49.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK49N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+687.00 грн
5+608.88 грн
10+530.76 грн
50+483.12 грн
100+436.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F(SToshibaMOSFETs Power MOSFET 49.2A 400W 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1FToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1FToshibaMOSFETs TO247(OS) PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1179.91 грн
10+885.19 грн
120+641.33 грн
510+571.60 грн
1020+534.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 24.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+925.75 грн
30+504.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK49N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+968.09 грн
5+963.26 грн
10+600.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1F(SToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5S1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65WS1F(S-XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Tk4A-NRDECIDE4ACTIONDescription: OEE software Toolkit4Action is a
Packaging: Electronic Delivery
Type: Production Software
Applications: Monitoring
Media Delivery Type: Electronically Delivered
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658345.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
50+50.56 грн
100+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+45.09 грн
500+27.13 грн
1000+22.64 грн
5000+20.37 грн
10000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 4A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+90.50 грн
100+51.43 грн
500+40.80 грн
1000+36.24 грн
2500+33.14 грн
5000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4A 550V 35W 490pF 1.88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 3.5A 550V 30W 380pF 2.45 Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 3.5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK4A60D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60D(Q)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.16 грн
10+63.75 грн
50+47.01 грн
100+41.83 грн
250+38.11 грн
500+33.07 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DA
Код товару: 198688
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DA
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DAToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DA(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Case: SC67
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.96 грн
11+41.30 грн
12+36.56 грн
50+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DA(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.29 грн
10+64.94 грн
100+43.97 грн
500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DAR,S4X(SToshibaTRANSISTOR (SILICON)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+54.02 грн
1000+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DAR,S4X(SToshibaTRANSISTOR (SILICON)
на замовлення 45800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+54.02 грн
1000+49.81 грн
10000+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DB
на замовлення 12948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DB(S4PHI,QM)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DB(S4PHI,QM)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DB(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DB(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DB(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DB(STA4,Q,M)
Код товару: 145180
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DB(STA4,X,S)Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DB(STA4,X,S)ToshibaTK4A60DB(STA4,X,S)
на замовлення 414550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+112.54 грн
1000+103.79 грн
10000+89.22 грн
100000+69.22 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A65DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A65DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 3.5A 650V 35W 600pF 1.9 Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A80E,S4XToshibaMOSFETs Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220SISPD=35WF=1MHZ
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.84 грн
50+82.56 грн
100+58.13 грн
500+41.90 грн
1000+36.38 грн
5000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]