Продукція > TQM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TQM123KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.17A, SINGLE N-CHANNEL SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 328mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34.7 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB04CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 994 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+44.12 грн
100+28.91 грн
500+20.98 грн
1000+19.00 грн
2000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB04CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 994 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.20 грн
500+52.50 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+79.23 грн
100+48.60 грн
500+40.38 грн
2500+34.45 грн
5000+33.21 грн
10000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+71.05 грн
100+55.25 грн
500+43.95 грн
1000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.59 грн
14+61.85 грн
100+59.20 грн
500+52.50 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCUTaiwan Semiconductor 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCUTaiwan SemiconductorTQM138KCU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCU RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.31 грн
81+9.38 грн
131+5.77 грн
500+4.17 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCU RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
926+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 926 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCU RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCU RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 14212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.62 грн
100+6.90 грн
500+5.04 грн
1000+4.49 грн
3000+4.42 грн
6000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCU RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 300mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCXTaiwan SemiconductorTQM138KCX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCXTaiwan Semiconductor 60V, 0.36A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 360mA; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
9000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.11 грн
9000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.36A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 38881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
27+11.99 грн
100+6.56 грн
500+4.83 грн
1000+4.28 грн
3000+3.52 грн
9000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KDCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KDCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.54 грн
100+8.08 грн
500+5.86 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM145NH08CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 80V, 52A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.72 грн
10+87.33 грн
100+51.09 грн
500+40.52 грн
1000+38.04 грн
2500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 7260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+67.48 грн
100+40.94 грн
500+32.10 грн
1000+29.34 грн
2500+26.16 грн
5000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+61.33 грн
100+40.86 грн
500+30.09 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCRTaiwan SemiconductorMOSFET 40V MOSFET 15 MOhms
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.31 грн
10+227.05 грн
25+186.39 грн
100+161.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.02 грн
10+226.32 грн
100+156.25 грн
500+112.93 грн
1000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
10+85.93 грн
100+57.86 грн
500+43.02 грн
1000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.25 грн
500+112.93 грн
1000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM170NH10CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 50A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM170NH10LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 50A, SINGLE N-CHANNEL AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 936 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+82.71 грн
100+55.84 грн
500+41.62 грн
1000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM170NH10LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 50A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM170NH10LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 50A, SINGLE N-CHANNEL AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 936 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.07 грн
5000+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM202-5.6OMEGADescription: OMEGA - TQM202-5.6 - Kraftmessdose / Wägezelle, 2mV/V, 0.57lb, 15V, Produktreihe TQM202
tariffCode: 84834051
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Zellenausgang mV/V: 2
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Versorgungsspannung: 15VDC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Betriebstemperatur, min.: -54°C
Tragfähigkeit: 0.57lb
Betriebstemperatur, max.: 107°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TQM202 Series
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+113238.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TQM210NH08LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 80V, 33A, DUAL N-CHANNEL AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 16.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.83 грн
5000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM210NH08LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 80V, 33A, DUAL N-CHANNEL AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 16.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.09 грн
10+100.89 грн
100+68.91 грн
500+51.82 грн
1000+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM240NH10CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 34A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.00 грн
10+75.10 грн
100+43.77 грн
500+34.59 грн
1000+31.62 грн
2500+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM240NH10LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 34A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 32A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.35 грн
10+178.63 грн
100+124.95 грн
500+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.29 грн
10+158.40 грн
100+127.35 грн
500+98.19 грн
1000+81.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1221 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+47.41 грн
100+31.16 грн
500+22.69 грн
1000+20.58 грн
2000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1221 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.85 грн
500+68.28 грн
1000+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+80.18 грн
100+49.50 грн
500+41.63 грн
1000+38.18 грн
2500+36.80 грн
5000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+77.63 грн
100+60.35 грн
500+48.00 грн
1000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.10 грн
100+73.85 грн
500+68.28 грн
1000+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.73 грн
5000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NH10DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive MOSFETs Non-Logic Level, RDS (max) 25V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NH10LDCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive MOSFETs Logic Level, RDS (max) = 25V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.41 грн
10+115.11 грн
100+68.27 грн
500+54.68 грн
1000+50.26 грн
2500+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2M9016QorvoSignal Conditioning 1.575GHz IL=.6dB Attenution 31dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CU RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1566+9.05 грн
1583+8.96 грн
2131+6.65 грн
2582+5.29 грн
3068+4.13 грн
6000+3.12 грн
15000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 1566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CU RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.55 грн
53+14.30 грн
100+8.73 грн
250+8.00 грн
500+5.70 грн
1000+4.71 грн
3000+3.96 грн
6000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CU RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 17775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.41 грн
27+11.83 грн
100+6.42 грн
500+4.76 грн
1000+4.14 грн
3000+4.07 грн
6000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CU RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.38A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 17430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.50 грн
22+14.45 грн
100+8.01 грн
500+4.90 грн
1000+3.87 грн
3000+3.38 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.38A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 806mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
31+9.95 грн
100+6.21 грн
500+4.27 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.38A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 806mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002DCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.26A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 376mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 260mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002DCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.26A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 376mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 260mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+14.96 грн
100+9.39 грн
500+6.55 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002DCU6 RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.26A, Dual N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
19+16.83 грн
100+9.25 грн
500+6.90 грн
1000+6.14 грн
3000+6.08 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCU RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 320mA; 316mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 316mW
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCU RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 316mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCU RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.32A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 16970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.62 грн
100+6.90 грн
500+5.04 грн
1000+4.49 грн
3000+4.42 грн
6000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCU RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 316mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.82 грн
100+7.37 грн
500+5.10 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.37A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
27+11.99 грн
100+6.56 грн
500+4.83 грн
1000+4.28 грн
3000+3.52 грн
6000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
27+11.29 грн
100+7.02 грн
500+4.84 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 370mA; 416mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
Power dissipation: 416mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KDCU6 RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 330mA; 337mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.33A
Power dissipation: 337mW
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KDCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.33A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 337mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
21+14.36 грн
100+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KDCU6 RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.33A, Dual N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 19165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
23+14.37 грн
100+7.87 грн
500+5.80 грн
1000+5.45 грн
3000+4.28 грн
6000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KDCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.33A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 337mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+64.54 грн
100+39.07 грн
500+30.58 грн
1000+27.89 грн
2500+26.37 грн
5000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.48 грн
18+46.87 грн
100+45.26 грн
500+40.46 грн
1000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+51.38 грн
100+39.98 грн
500+31.81 грн
1000+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.26 грн
500+40.46 грн
1000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+44.12 грн
100+28.91 грн
500+20.98 грн
1000+19.00 грн
2000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CV RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 22A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
на замовлення 9972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+49.94 грн
100+28.44 грн
500+22.02 грн
1000+18.22 грн
5000+16.29 грн
10000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.12 грн
500+60.73 грн
1000+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.88 грн
5000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.72 грн
10+77.17 грн
100+48.19 грн
500+40.80 грн
1000+36.45 грн
2500+33.27 грн
5000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.40 грн
13+66.93 грн
100+66.12 грн
500+60.73 грн
1000+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+70.22 грн
100+54.63 грн
500+43.46 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 25A; 48W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM301-45NOmegaDescription: TQM301-45N
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM3M7001Triquint07+ SOT23
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM4M3019
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM4M9073QorvoAttenuators DC-6GHz IL .1dB RL >22dB
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM613016CEL-3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM613017
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]