Продукція > TQM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TQM110NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 6006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+128.77 грн
100+102.51 грн
500+81.40 грн
1000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM123KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.17A, SINGLE N-CHANNEL SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 328mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34.7 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM123KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.17A, SINGLE N-CHANNEL SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 328mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34.7 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.40 грн
100+7.11 грн
500+4.91 грн
1000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB04CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 994 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.53 грн
100+29.17 грн
500+21.18 грн
1000+19.18 грн
2000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB04CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 994 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+71.70 грн
100+55.76 грн
500+44.36 грн
1000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM130NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCUTaiwan SemiconductorTQM138KCU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCUTaiwan Semiconductor 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCU RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCU RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 14212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCU RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.27 грн
81+9.36 грн
131+5.76 грн
500+4.16 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCU RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 300mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCU RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
926+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 926 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCXTaiwan SemiconductorTQM138KCX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCXTaiwan Semiconductor 60V, 0.36A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.10 грн
9000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.36A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 38881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 360mA; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KCX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.06 грн
9000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KDCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.57 грн
50+10.48 грн
100+8.58 грн
500+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM138KDCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM145NH08CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 80V, 52A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 7260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+68.31 грн
50+51.05 грн
100+42.68 грн
500+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCRTaiwan SemiconductorMOSFET 40V MOSFET 15 MOhms
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM150NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+86.72 грн
100+58.40 грн
500+43.42 грн
1000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM170NH10CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 50A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM170NH10LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 50A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM170NH10LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 50A, SINGLE N-CHANNEL AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 936 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.42 грн
5000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM170NH10LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 50A, SINGLE N-CHANNEL AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 936 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.48 грн
100+56.36 грн
500+42.01 грн
1000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM202-5.6OMEGADescription: OMEGA - TQM202-5.6 - Kraftmessdose / Wägezelle, 2mV/V, 0.57lb, 15V, Produktreihe TQM202
tariffCode: 84834051
productTraceability: No
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
rohsCompliant: NO
Zellenausgang mV/V: 2
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Versorgungsspannung: 15VDC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Betriebstemperatur, min.: -54°C
usEccn: EAR99
Tragfähigkeit: 0.57lb
Betriebstemperatur, max.: 107°C
Produktpalette: TQM202 Series
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM210NH08LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 80V, 33A, DUAL N-CHANNEL AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 16.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
10+101.82 грн
100+69.55 грн
500+52.30 грн
1000+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM210NH08LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 80V, 33A, DUAL N-CHANNEL AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 16.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.27 грн
5000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM240NH10CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 34A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM240NH10LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 34A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 32A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+159.86 грн
100+128.52 грн
500+99.10 грн
1000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1221 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+47.85 грн
100+31.45 грн
500+22.90 грн
1000+20.77 грн
2000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1221 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.11 грн
5000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+78.35 грн
100+60.91 грн
500+48.45 грн
1000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NH10DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive MOSFETs Non-Logic Level, RDS (max) 25V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM250NH10LDCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive MOSFETs Logic Level, RDS (max) = 25V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2M9016QorvoSignal Conditioning 1.575GHz IL=.6dB Attenution 31dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CU RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 17775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CU RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CU RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1566+9.03 грн
1583+8.94 грн
2131+6.64 грн
2582+5.28 грн
3068+4.12 грн
6000+3.11 грн
15000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 1566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CU RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.50 грн
53+14.27 грн
100+8.71 грн
250+7.98 грн
500+5.69 грн
1000+4.70 грн
3000+3.95 грн
6000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.38A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 806mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.38A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 17430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.38A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 806mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
31+10.04 грн
100+6.26 грн
500+4.31 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002DCU6 RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.26A, Dual N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCU RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 320mA; 316mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 316mW
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCU RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 316mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+11.93 грн
50+8.54 грн
100+6.98 грн
500+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCU RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 316mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCU RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.32A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 16970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.40 грн
50+8.12 грн
100+6.64 грн
500+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.37A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 370mA; 416mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
Power dissipation: 416mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
9000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KDCU6 RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.33A, Dual N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 19165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KDCU6 RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 330mA; 337mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.33A
Power dissipation: 337mW
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KDCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.33A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 337mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.57 грн
50+10.48 грн
100+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM2N7002KDCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.33A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 337mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+51.85 грн
100+40.35 грн
500+32.10 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CV RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 22A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
на замовлення 9972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.53 грн
100+29.17 грн
500+21.18 грн
1000+19.18 грн
2000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 25A; 48W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM301-45NOmegaDescription: TQM301-45N
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM3M7001Triquint07+ SOT23
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TQM4M3019
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.