Продукція > CSD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD19536KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+325.74 грн
10+263.42 грн
25+222.70 грн
50+205.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCS .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19536KCS . - Leistungs-MOSFET, NexFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.25 грн
10+272.16 грн
25+246.36 грн
100+206.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 200A TO263 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
2+464.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.67 грн
10+344.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTT
Код товару: 115066
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+327.25 грн
53+272.16 грн
58+246.36 грн
100+206.31 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19536KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTT
Код товару: 150841
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.90 грн
10+340.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 12000 @ 50, Qg, нКл = 153 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+470.71 грн
3+393.05 грн
10+318.26 грн
25+285.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+280.89 грн
150+236.73 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.99 грн
134+105.81 грн
171+83.12 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.50 грн
7500+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 9.7A/50A VSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.99 грн
10+105.81 грн
50+83.12 грн
100+70.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 67746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+76.28 грн
50+57.26 грн
100+47.99 грн
500+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.61 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+57.82 грн
750+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.61 грн
10+129.34 грн
50+102.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Dimensions: 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
On-state resistance: 12.1mΩ
на замовлення 763 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.50 грн
10+64.32 грн
50+56.34 грн
100+52.68 грн
250+48.28 грн
500+46.78 грн
750+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0121ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3
на замовлення 15734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.22 грн
10+93.93 грн
50+71.05 грн
100+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 41675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+34.40 грн
50+25.16 грн
100+20.80 грн
500+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 40400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
9000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2G4Texas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET si
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2RTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2RTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET si
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2RTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2RTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 20.2W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.06 грн
13+33.40 грн
25+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+50.20 грн
750+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19538Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 23
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.42 грн
10+108.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.49 грн
50+62.09 грн
100+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3A
Код товару: 165390
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 72mOhm; 15A; 23W; -55°C ~ 150°C; CSD19538Q3AT CSD19538Q3A TCSD19538q3a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 15A VSONP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19538Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.049 ohm, SON, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 23
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 23W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19538Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.049 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 23
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsCSD13380F3/CSD13383F4/CSD13385F5/CSD15380F3/CSD17381F4/CSD17585F5/CSD18541F5 MOSFET Evaluation Board
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1047.80 грн
2+509.17 грн
5+508.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsCSD13380F3/CSD13383F4/CSD13385F5/CSD15380F3/CSD17381F4/CSD17585F5/CSD18541F5 MOSFET Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsDescription: EVAL BOARD FOR FEMTOFET
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FemtoFET
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7063.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsCSD13380F3/CSD13383F4/CSD13385F5/CSD15380F3/CSD17381F4/CSD17585F5/CSD18541F5 MOSFET Evaluation Board
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools N-CH FEMTOFETS EVM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsCSD23280F3/CSD23285F5/CSD23382F4/CSD25480F3/CSD25481F4/CSD25485F5 MOSFET Evaluation Board
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3927.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsDescription: P-CHAN FEMTOFET MOSFET TEST EVM
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FemtoFET
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6798.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsCSD23280F3/CSD23285F5/CSD23382F4/CSD25480F3/CSD25481F4/CSD25485F5 MOSFET Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools P-CH FEMTOFETS EVM
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsCSD23280F3/CSD23285F5/CSD23382F4/CSD25480F3/CSD25481F4/CSD25485F5 MOSFET Evaluation Board
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3927.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2-6832FL/39-25-5BJKL Components Corp.Description: LAMP INCANDESCENT 3MM T-1 SMD 5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2-7152FL/39-25-5BJKL Components Corp.Description: LAMP INCANDESCENT 3MM T-1 SMD 5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2-L-US2-A-A-C5-S-S-EellenexDescription: INDUSTRIAL LORAWAN OPERATED LOW
Packaging: Box
Output Type: LoRaWAN
Sensor Type: Salinity, Power Conductivity
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2-L-US2-A-B-C5-S-S-EellenexDescription: INDUSTRIAL LORAWAN OPERATED LOW
Packaging: Box
Output Type: LoRaWAN
Sensor Type: Salinity, Power Conductivity
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2-N-B-S-C5-S-S-IEllenexDescription: NB-IoT Conductivity & Salinity
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+117159.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2-N-B-S-C5-S-X-IEllenexDescription: NB-IoT Conductivity & Salinity
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+117159.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2000B-MFantom DrivesDescription: SSD 2TB USB BLACK MAC
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 2TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21656.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2000B-WFantom DrivesDescription: SSD 2TB USB BLACK WINDOWS
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 2TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21656.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20030DWolfspeed, Inc.Description: DIODE ARR SCHOT 300V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.