Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD19536KTT
Код товару: 115066
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19536KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 12000 @ 50, Qg, нКл = 153 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.70 грн
10+350.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTT
Код товару: 150841
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+289.56 грн
150+244.03 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+475.06 грн
3+396.68 грн
10+321.20 грн
25+288.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T
на замовлення 14685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+76.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 83W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.67 грн
10+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.97 грн
10+105.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0121ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.96 грн
9000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T
на замовлення 11378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 79332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.47 грн
50+25.93 грн
100+21.44 грн
500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2G4Texas InstrumentsMOSFETs 100-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2RTexas InstrumentsN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2RTexas InstrumentsDescription: 100-V, N CHANNEL NEXFET POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2RTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET si
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2RTexas InstrumentsN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19538Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 23
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2
на замовлення 7804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+68.69 грн
100+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 20.2W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.16 грн
11+40.59 грн
25+39.00 грн
100+35.64 грн
250+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+44.35 грн
500+36.04 грн
750+33.59 грн
1250+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.13 грн
5000+15.16 грн
7500+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 72mOhm; 15A; 23W; -55°C ~ 150°C; CSD19538Q3AT CSD19538Q3A TCSD19538q3a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 12258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.21 грн
100+26.83 грн
500+19.38 грн
1000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3A
Код товару: 165390
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19538Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.049 ohm, SON, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 23
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 15A VSONP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 23W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19538Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.049 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 23
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+79.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsCSD13380F3/CSD13383F4/CSD13385F5/CSD15380F3/CSD17381F4/CSD17585F5/CSD18541F5 MOSFET Evaluation Board
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1045.47 грн
2+508.03 грн
5+507.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsDescription: EVAL BOARD FOR FEMTOFET
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FemtoFET
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7128.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsCSD13380F3/CSD13383F4/CSD13385F5/CSD15380F3/CSD17381F4/CSD17585F5/CSD18541F5 MOSFET Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsCSD13380F3/CSD13383F4/CSD13385F5/CSD15380F3/CSD17381F4/CSD17585F5/CSD18541F5 MOSFET Evaluation Board
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools N-CH FEMTOFETS EVM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsCSD23280F3/CSD23285F5/CSD23382F4/CSD25480F3/CSD25481F4/CSD25485F5 MOSFET Evaluation Board
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3918.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsDescription: P-CHAN FEMTOFET MOSFET TEST EVM
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FemtoFET
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6861.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsCSD23280F3/CSD23285F5/CSD23382F4/CSD25480F3/CSD25481F4/CSD25485F5 MOSFET Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools P-CH FEMTOFETS EVM
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsCSD23280F3/CSD23285F5/CSD23382F4/CSD25480F3/CSD25481F4/CSD25485F5 MOSFET Evaluation Board
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3918.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2-6832FL/39-25-5BJKL Components Corp.Description: LAMP INCANDESCENT 3MM T-1 SMD 5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2-7152FL/39-25-5BJKL Components Corp.Description: LAMP INCANDESCENT 3MM T-1 SMD 5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2-L-US2-A-A-C5-S-S-EellenexDescription: INDUSTRIAL LORAWAN OPERATED LOW
Part Status: Active
Sensor Type: Salinity, Power Conductivity
Output Type: LoRaWAN
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2-L-US2-A-B-C5-S-S-EellenexDescription: INDUSTRIAL LORAWAN OPERATED LOW
Packaging: Box
Output Type: LoRaWAN
Sensor Type: Salinity, Power Conductivity
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2000B-MFantom DrivesDescription: SSD 2TB USB BLACK MAC
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 2TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21856.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2000B-WFantom DrivesDescription: SSD 2TB USB BLACK WINDOWS
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 2TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21856.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20030DWolfspeed, Inc.Description: DIODE ARR SCHOT 300V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20060DWolfspeed, Inc.Description: DIODE ARR SIC 600V 16.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16.5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20060DCREESiC ZeroRecovey 20A, 600V, TO-247-3 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20120DCREEVrrm=1200V, Ifrm=30A, Ifsm=100A, TO-247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20128PentairCSD20128
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51829.23 грн
2+51385.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD201610Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 10.000" (254.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36072.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD201610PentairSteel Wall Mount Enclosure
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+56383.35 грн
2+55900.86 грн
3+54005.92 грн
5+51208.10 грн
10+47100.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20166Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Part Status: Active
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 5.984" (152.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32373.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20168Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32084.67 грн
5+29503.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20168SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NATURAL 20"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Natural
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+118393.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD202010Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W
Part Status: Active
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 10.000" (254.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35846.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD202010WHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT ENCL. WINDOW
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 0.063" (1.60mm)
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Enclosure
Material Flammability Rating: UL 508A
Area (L x W): 442in² (2850cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD202012Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W
Part Status: Active
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 12.008" (305.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39312.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20206Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W
Part Status: Active
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 5.984" (152.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33508.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W
Part Status: Active
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36905.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20208NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD20208 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY
tariffCode: 85381000
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Gray
Außenhöhe - imperial: 20"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 203mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 508mm
Außentiefe - imperial: 8"
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 508mm
Produktpalette: CONCEPT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 0
Gehäusematerial: Steel
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20208SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NATURAL 20"L X 20"W
Part Status: Active
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Stainless Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Color: Natural
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+122397.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD202410LGPentairCSD202410LG
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+58974.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]