Продукція > IPA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA80R310CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 16.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R360P7 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V | на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 5004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R360P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 5004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R450P7 | Infineon / IR | MOSFETs LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R450P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A Tube | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 29W Case: TO220-3 On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 1592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R460CE | Infineon | 800V,10.8A,N Channel Power MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R460CE | Infineon technologies | на замовлення 190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 7400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R460CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.8 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R600P7 | Infineon | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA80R600P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R600P7 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R600P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R650CE | Infineon technologies | на замовлення 465 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R650CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3F Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220 Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 | Infineon | N-Channel 800V 7A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 Код товару: 193874
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A Gate charge: 17nC Power dissipation: 27W On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R1K0C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 5.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R1K0C3 | Infineon technologies | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA90R1K0C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R1K0C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-FP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R1K0C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R1K0C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA90R1K0C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.7 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 5.7 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 32 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 32 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3 Код товару: 144790
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA90R1K2C3 | Infineon technologies | на замовлення 318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 5.1 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 31 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 31 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 19170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA90R340C3 Код товару: 129251
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-FP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

