Продукція > IPA

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPA80R450P7XKSA1InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 29W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.64 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEInfineon800V,10.8A,N Channel Power MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEInfineon technologies
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+144.97 грн
1000+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.64 грн
105+135.63 грн
116+122.28 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IPA80R460CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.8 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.55 грн
50+117.96 грн
100+106.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.47 грн
10+136.13 грн
100+122.73 грн
500+94.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R600P7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.31 грн
100+150.28 грн
250+144.24 грн
500+134.07 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R600P7Infineon TechnologiesInfineon LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R600P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R600P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.00 грн
152+93.35 грн
157+90.41 грн
200+85.24 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R600P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
50+86.06 грн
100+77.33 грн
500+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R600P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R600P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R600P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R650CEInfineon technologies
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R650CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R650CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R650CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.83 грн
10+77.98 грн
100+75.87 грн
500+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R650CEXKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R650CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+100.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R650CEXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: TO-220-3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
50+87.31 грн
100+79.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R650CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.99 грн
187+75.88 грн
500+69.44 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R650CEXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IPA80R650CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R650CEXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1
Код товару: 193874
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
50+66.12 грн
100+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1InfineonN-Channel 800V 7A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.29 грн
162+87.58 грн
192+73.78 грн
200+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 27W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+132.76 грн
10+73.80 грн
20+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.84 грн
12+63.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K0C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 5.7A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K0C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K0C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K0C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA90R1K0C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.7 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K0C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3
Код товару: 144790
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3Infineon technologies
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 19170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
1000+100.76 грн
10000+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3
Код товару: 129251
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+533.38 грн
50+285.56 грн
100+258.02 грн
500+211.36 грн
1000+189.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IPA90R340C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+531.91 грн
10+284.77 грн
100+257.30 грн
500+210.78 грн
1000+188.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 900V; 15A; Idm: 15A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Gate charge: 94nC
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+240.24 грн
150+200.44 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+269.91 грн
500+255.76 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R500C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R500C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO220-FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R500C3XKSA1
Код товару: 129254
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R500C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.38 грн
50+187.43 грн
100+171.75 грн
500+144.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R500C3XKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R500C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R500C3XKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R500C3XKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.98 грн
10+190.58 грн
50+148.09 грн
100+126.11 грн
500+103.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R500C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.90 грн
76+187.95 грн
100+172.22 грн
500+144.53 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3Infineon technologies
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 6.9A TO220FP-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.