Продукція > IPL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+405.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+219.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+312.11 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 122W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+400.10 грн
5+285.98 грн
10+259.14 грн
25+228.11 грн
50+220.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.96 грн
10+295.50 грн
50+233.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+289.94 грн
500+274.62 грн
1000+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.37 грн
10+401.39 грн
100+299.64 грн
500+257.38 грн
1000+234.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4; ESD
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Version: ESD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+125.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+295.41 грн
59+241.48 грн
60+237.23 грн
100+191.76 грн
250+175.78 грн
500+161.72 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1InfineonMOSFET N-CH 600V 33A 4VSON Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+302.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+181.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.61 грн
10+234.66 грн
50+183.65 грн
100+156.95 грн
500+139.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+427.84 грн
10+299.55 грн
100+221.45 грн
500+188.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+235.09 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.41 грн
10+241.48 грн
25+237.23 грн
100+191.76 грн
250+175.78 грн
500+161.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R115CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.20 грн
10+228.78 грн
50+178.81 грн
100+152.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7
Код товару: 125686
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.45 грн
10+258.82 грн
50+202.83 грн
100+173.44 грн
500+146.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+317.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+227.47 грн
500+215.69 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+166.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+227.47 грн
500+215.69 грн
1000+203.90 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 5-Pin Thin-PAK T/R
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+391.11 грн
38+374.31 грн
50+360.06 грн
100+335.41 грн
250+301.15 грн
500+281.24 грн
1000+274.36 грн
2500+268.31 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.48 грн
77+184.05 грн
100+149.84 грн
250+137.31 грн
500+127.21 грн
1000+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.63 грн
10+189.30 грн
50+146.90 грн
100+125.04 грн
500+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 111W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.48 грн
10+185.94 грн
25+184.05 грн
100+149.84 грн
250+137.31 грн
500+127.21 грн
1000+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 7614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.73 грн
10+232.56 грн
100+175.30 грн
500+142.89 грн
1000+129.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 111W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 111W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Version: ESD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.53 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 27 А, Ptot, Вт = 111, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1544 @ 400, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 125 мОм @ 8,2 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+150, Ugs(th) = 4 В @ 410 мкА,... Транзистори Корпус: PG-VSON-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.01 грн
10+183.11 грн
50+141.90 грн
100+120.71 грн
500+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.94 грн
500+149.69 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.94 грн
500+149.69 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.10 грн
10+206.73 грн
25+204.67 грн
50+191.82 грн
100+140.93 грн
250+135.01 грн
500+111.89 грн
1000+111.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.33 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+137.90 грн
1000+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]