Продукція > IPL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPL60R105P7AUMA1InfineonMOSFET N-CH 600V 33A 4VSON Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.52 грн
10+222.29 грн
100+151.18 грн
500+127.02 грн
1000+120.81 грн
3000+109.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.45 грн
10+188.61 грн
100+133.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7
Код товару: 125686
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.22 грн
10+194.75 грн
100+138.15 грн
500+120.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.61 грн
10+322.34 грн
25+305.52 грн
100+253.15 грн
250+229.42 грн
500+210.60 грн
1000+185.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+190.88 грн
500+136.86 грн
1000+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.32 грн
10+244.84 грн
100+190.88 грн
500+136.86 грн
1000+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.69 грн
10+136.92 грн
100+116.78 грн
500+94.98 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 7565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.31 грн
10+165.13 грн
100+100.79 грн
500+88.36 грн
1000+84.91 грн
3000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 4702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.09 грн
10+153.31 грн
100+107.25 грн
500+88.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.66 грн
10+291.91 грн
25+284.07 грн
50+266.18 грн
100+214.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 27 А, Ptot, Вт = 111, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1544 @ 400, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 125 мОм @ 8,2 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+150, Ugs(th) = 4 В @ 410 мкА,... Транзистори Корпус: PG-VSON-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.78 грн
500+94.98 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+118.15 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+178.37 грн
500+171.28 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+178.37 грн
500+171.28 грн
1000+161.83 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.42 грн
10+182.60 грн
100+116.67 грн
500+104.24 грн
1000+89.05 грн
3000+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+178.37 грн
500+171.28 грн
1000+161.83 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+92.89 грн
3000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A Automotive 5-Pin Thin-PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.40 грн
10+254.58 грн
25+252.03 грн
100+202.94 грн
250+179.21 грн
500+156.41 грн
1000+135.92 грн
3000+132.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 4626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.63 грн
10+158.92 грн
100+111.42 грн
500+92.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.44 грн
10+132.58 грн
100+104.24 грн
500+92.51 грн
1000+91.82 грн
3000+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A Automotive 5-Pin Thin-PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.01 грн
10+176.95 грн
100+143.13 грн
500+119.39 грн
1000+102.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.32 грн
10+130.99 грн
100+91.12 грн
500+78.70 грн
1000+72.49 грн
3000+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.93 грн
10+134.50 грн
100+107.92 грн
500+78.53 грн
1000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+267.62 грн
10+226.61 грн
25+210.55 грн
50+187.63 грн
100+159.47 грн
250+151.55 грн
500+143.45 грн
1000+106.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.92 грн
500+78.53 грн
1000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.98 грн
500+94.98 грн
1000+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.34 грн
10+150.61 грн
100+115.98 грн
500+94.98 грн
1000+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+127.02 грн
100+88.36 грн
500+78.70 грн
1000+77.32 грн
3000+67.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
10+169.17 грн
100+134.63 грн
500+106.91 грн
1000+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7Infineon TechnologiesInfineon HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.37 грн
10+125.19 грн
100+86.48 грн
500+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.99 грн
10+123.05 грн
100+79.39 грн
500+66.48 грн
1000+65.31 грн
3000+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.92 грн
10+191.33 грн
25+165.68 грн
100+120.81 грн
500+104.93 грн
1000+101.48 грн
3000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16.4A 4-Pin VSON T/R
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.39 грн
10+168.94 грн
100+118.82 грн
500+100.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16.4A 4-Pin VSON T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R199CPAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16.4 A, 0.18 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.43 грн
10+244.84 грн
100+203.77 грн
500+167.52 грн
1000+133.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SInfineon TechnologiesInfineon LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6
на замовлення 14730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.45 грн
10+35.80 грн
100+30.44 грн
500+29.82 грн
1000+29.34 грн
2500+28.93 грн
5000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.76 грн
10+149.25 грн
100+99.41 грн
500+83.53 грн
1000+79.39 грн
3000+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+159.74 грн
100+111.42 грн
500+85.20 грн
1000+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R225CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A VSON-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
10+139.18 грн
100+100.81 грн
500+78.72 грн
1000+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R225CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.49 грн
10+123.23 грн
100+95.04 грн
500+77.78 грн
1000+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R225CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 6046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.07 грн
10+165.13 грн
100+104.93 грн
500+85.60 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R225CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+82.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R225CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.189ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.04 грн
500+77.78 грн
1000+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.38 грн
500+56.91 грн
1000+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.47 грн
10+112.76 грн
100+80.38 грн
500+56.91 грн
1000+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.41 грн
10+107.02 грн
100+73.35 грн
500+55.34 грн
1000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+92.09 грн
100+62.96 грн
500+56.68 грн
1000+53.71 грн
3000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.1A ThinPAK-4 CoolMOS CP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Bulk
на замовлення 46152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+118.32 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.90 грн
10+237.78 грн
25+228.65 грн
100+192.29 грн
250+164.85 грн
500+148.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 21.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 166342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 2.3A ThinPAK 5x6
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.45 грн
42+18.16 грн
43+17.89 грн
50+16.99 грн
100+15.48 грн
250+14.62 грн
500+14.39 грн
1000+14.15 грн
3000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R2K1C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 21.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89.3W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.56 грн
250+76.83 грн
1000+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24  [ Наступна Сторінка >> ]