Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R180C7XKSA1 Код товару: 168211
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R180C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R180CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPP60R180CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180P7 | Infineon | на замовлення 482000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R180P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R180P7 | Infineon Technologies | Description: IPP60R180 - 600V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 12950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | на замовлення 9520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 366 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 53A Version: ESD | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 2406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 34339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190C6 Код товару: 206007
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R190C6 | Infineon | N-MOSFET 20.2A 600V 151W 0.19Ω IPP60R190C6 TIPP60r190c6 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190C6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 187 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6 | на замовлення 4414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190C6 | INFINEON.. | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6 | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 Код товару: 189626
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | на замовлення 2428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS E6 | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190E6 | Infineon technologies | на замовлення 459 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3 | на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190P6 | Infineon | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R190P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon | N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V | на замовлення 10727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 Код товару: 155590
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 414 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | на замовлення 7695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP60R190P6XKSA1 TIPP60r190p6 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 86000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R199CP | Infineon Technologies | Description: IPP60R199 - 600V COOLMOS N-CHANN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 151 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 Код товару: 116583
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R1K4C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3 | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R1K4C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 12345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R1K4C6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R1K4C6XKSA1 - IPP60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R1K4C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 12218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R1K4C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3 | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R1K4C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

