Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.57 грн
10+145.81 грн
100+101.65 грн
500+81.91 грн
1000+59.23 грн
2000+56.30 грн
5000+55.74 грн
10000+52.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.52 грн
10+129.53 грн
100+89.61 грн
500+68.08 грн
1000+58.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.29 грн
139+101.98 грн
500+85.22 грн
1000+64.17 грн
2000+58.83 грн
5000+55.91 грн
10000+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.63 грн
500+96.86 грн
1000+89.33 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.25 грн
10+105.60 грн
100+72.05 грн
500+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.63 грн
500+96.86 грн
1000+89.33 грн
10000+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF
Код товару: 43009
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 355 шт
  • 329 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF 101D324.1 750Infineon TechnologiesDescription: IRF3710 - 100V N-Channel Power M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF 101D324.1 750Infineon TechnologiesDescription: IRF3710 - 100V N-CHANNEL POWER M
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SIRTO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF
Код товару: 43364
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 9 шт
  • 4 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+232.06 грн
100+160.22 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF
Код товару: 191831
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 15126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.77 грн
10+155.79 грн
100+92.87 грн
500+77.51 грн
800+71.92 грн
2400+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.77 грн
10+157.23 грн
50+134.42 грн
100+102.88 грн
250+92.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 8120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.14 грн
1600+64.50 грн
2400+61.97 грн
4000+55.48 грн
5600+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Транзистори
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3710STRLPBF
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.88 грн
250+92.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 8229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.32 грн
10+131.47 грн
100+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.93 грн
10+103.55 грн
50+86.57 грн
100+80.61 грн
250+73.21 грн
500+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRR
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3710STRRPBF - IRF3710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3710STRRPBF
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+112.69 грн
1000+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3710STRRPBF
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+112.69 грн
1000+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF-IRInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710Z IRF3710ZInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710Z IRF3710ZInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 82nC
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLTRPBFIR0742+ TO262
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.35 грн
10+93.97 грн
20+82.54 грн
50+69.93 грн
100+62.11 грн
200+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
2 Додати до обраних Обраний товар
JSMICROТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 53 шт
  • 11 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.54 грн
10+109.46 грн
100+74.21 грн
500+55.46 грн
1000+50.90 грн
2000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.24 грн
10+125.00 грн
100+85.08 грн
500+65.66 грн
1000+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 59 A, Ptot, Вт = 160, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 18 мОм @ 35 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.20 грн
163+87.03 грн
500+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH, Udss=100V, Id=59A, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.08 грн
10+107.60 грн
100+63.68 грн
500+54.33 грн
1000+48.18 грн
2000+45.53 грн
5000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+125.40 грн
167+85.35 грн
500+68.30 грн
1000+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.01 грн
10+92.87 грн
100+62.81 грн
500+46.45 грн
1000+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZS
Код товару: 99470
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3710ZSPBF - IRF3710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 12208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.89 грн
10+111.81 грн
100+76.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.22 грн
10+117.31 грн
50+99.39 грн
100+75.50 грн
250+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+116.01 грн
500+104.41 грн
1000+96.29 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF
Код товару: 218330
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.85 грн
10+128.48 грн
100+76.11 грн
500+60.68 грн
800+54.26 грн
2400+52.79 грн
4800+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.24 грн
1600+53.69 грн
2400+51.49 грн
4000+46.01 грн
5600+44.63 грн
8000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.50 грн
250+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.02 грн
123+115.59 грн
500+87.71 грн
800+77.47 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9,5mOhm; 100A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3711; SP001561720; IRF3711-ML MOSLEADER TIRF3711 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711LInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711LHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711LPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH 6mOhm HEXFET 110A ID
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711SInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3711STRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8,5mOhm; 110A; 120W; -55°C ~ 150°C; IRF3711S TIRF3711s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]