Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF3709ZSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 87A 6.3mOhm 17nC Qg
на замовлення 15108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+106.73 грн
500+96.06 грн
1000+88.59 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5+156.00 грн
10+78.00 грн
100+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Код товару: 23683
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 57 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,023 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+20.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710BFJRCTO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.82 грн
113+125.94 грн
165+85.74 грн
198+68.75 грн
500+54.15 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.47 грн
10+130.38 грн
50+85.28 грн
100+67.46 грн
500+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+130.68 грн
166+85.49 грн
202+70.12 грн
500+56.93 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 571954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+81.95 грн
500+73.76 грн
1000+68.02 грн
10000+58.48 грн
100000+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 5571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.11 грн
2000+63.47 грн
5000+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF
Код товару: 43009
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 57 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,023 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 292 шт
  • 268 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+81.95 грн
500+73.76 грн
1000+68.02 грн
10000+58.48 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.92 грн
10+71.02 грн
50+62.98 грн
100+57.56 грн
250+50.54 грн
500+45.29 грн
600+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 4064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.95 грн
10+91.35 грн
50+69.02 грн
100+58.00 грн
500+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.82 грн
10+125.94 грн
50+85.74 грн
100+68.75 грн
500+54.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.11 грн
2000+63.47 грн
5000+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+81.95 грн
500+73.76 грн
1000+68.02 грн
10000+58.48 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF 101D324.1 750Infineon TechnologiesDescription: IRF3710 - 100V N-Channel Power M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF 101D324.1 750Infineon TechnologiesDescription: IRF3710 - 100V N-CHANNEL POWER M
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SIRTO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF
Код товару: 43364
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 57 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 40
Примітка: 200
Монтаж: SMD
у наявності: 7 шт
  • 3 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLUMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.08 грн
2400+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.33 грн
73+193.97 грн
80+177.36 грн
127+107.70 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Транзистори
на замовлення 25 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
10+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+182.28 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.71 грн
10+120.20 грн
50+100.73 грн
100+93.12 грн
250+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+182.28 грн
500+164.64 грн
1000+151.70 грн
10000+130.41 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.33 грн
10+193.97 грн
50+177.36 грн
100+107.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 14961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.55 грн
10+160.75 грн
50+123.99 грн
100+105.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.62 грн
2400+97.64 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+182.28 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF
Код товару: 191831
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.40 грн
2400+97.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRR
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3710STRRPBF
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.66 грн
500+112.19 грн
1000+103.47 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3710STRRPBF - IRF3710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3710STRRPBF
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.66 грн
500+112.19 грн
1000+103.47 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF-IRInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 82nC
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLTRPBFIR0742+ TO262
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 7321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.86 грн
109+130.23 грн
150+94.10 грн
500+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 4357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.04 грн
10+120.15 грн
50+91.64 грн
100+77.37 грн
500+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.60 грн
10+137.54 грн
50+129.92 грн
100+90.53 грн
500+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH, Udss=100V, Id=59A, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 59 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 18 мОм
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.63 грн
10+85.33 грн
20+74.07 грн
50+61.80 грн
100+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+196.59 грн
105+134.69 грн
111+127.94 грн
149+91.58 грн
500+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 59 A, Ptot, Вт = 160, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 18 мОм @ 35 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+196.59 грн
10+134.69 грн
50+127.94 грн
100+91.58 грн
500+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
2 Додати до обраних Обраний товар
JSMICROТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 17,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZS
Код товару: 99470
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 59 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 18 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3710ZSPBF - IRF3710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 730 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+70.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]