Продукція > RN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN1412,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1412,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.44 грн
500+6.54 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1412TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1412TE85LFToshibaDigital Transistors BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1412TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.77 грн
100+6.70 грн
500+4.61 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
23+14.21 грн
100+7.52 грн
500+5.38 грн
1000+4.76 грн
3000+3.52 грн
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1413,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.77 грн
139+5.82 грн
177+4.55 грн
500+3.33 грн
1500+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1413,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.88 грн
1500+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.89 грн
18+17.70 грн
100+10.36 грн
1000+6.14 грн
3000+3.31 грн
9000+2.83 грн
24000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1413,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.44 грн
500+6.53 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1413,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.58 грн
42+19.25 грн
100+11.44 грн
500+6.53 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413TE85,FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414
на замовлення 72690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+9.00 грн
1629+8.70 грн
2500+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 1576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
43+7.03 грн
100+4.34 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LFToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.48 грн
44+7.38 грн
100+4.00 грн
500+2.90 грн
1000+2.55 грн
3000+2.00 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.36 грн
6000+2.02 грн
9000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LFToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF(BToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF(BToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF(BToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415TOSHIBA07+ SOT-23
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LFToshibaDigital Transistors NPN BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
на замовлення 5529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
33+9.99 грн
52+6.19 грн
118+2.35 грн
1000+2.07 грн
3000+1.52 грн
9000+1.24 грн
24000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
44+6.81 грн
100+4.22 грн
500+2.87 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LF(BToshibaRN1415,LF(B
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LF(BToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.54 грн
100+6.83 грн
500+5.04 грн
1000+4.49 грн
3000+3.66 грн
6000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.64 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1415,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.93 грн
102+7.97 грн
500+5.03 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1415,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.78 грн
58+13.93 грн
102+7.97 грн
500+5.03 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
43+7.03 грн
100+4.34 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LFToshibaDigital Transistors S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 3594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.24 грн
43+7.46 грн
100+4.00 грн
500+2.97 грн
1000+2.21 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
на замовлення 8913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.50 грн
25+12.94 грн
100+7.04 грн
500+5.25 грн
1000+4.49 грн
3000+3.93 грн
6000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
25+12.12 грн
100+7.55 грн
500+5.23 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Resistors Included: R1 and R2
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1416,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1416,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.84 грн
56+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.87 грн
45+6.66 грн
100+4.09 грн
500+2.79 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LFToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.64 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.89 грн
18+17.70 грн
100+10.36 грн
1000+6.14 грн
3000+3.31 грн
9000+2.83 грн
24000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1417,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.38 грн
500+6.51 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1417,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.56 грн
48+16.83 грн
100+8.38 грн
500+6.51 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3113+4.55 грн
3206+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
22+13.84 грн
100+8.62 грн
500+5.98 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.87 грн
50+6.06 грн
100+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418,LFToshibaDigital Transistors NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
на замовлення 11566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.11 грн
49+6.59 грн
100+3.59 грн
500+2.76 грн
1000+2.35 грн
3000+1.93 грн
6000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
на замовлення 5983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
17+19.29 грн
100+10.63 грн
500+6.70 грн
1000+5.87 грн
3000+5.11 грн
6000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418/XWTOSHIBA09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418\XWTOSHIBASOT-23
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN141CMT2RRohm SemiconductorDiode PIN Switch 50V 100mA 2-Pin VMN-M T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+24.69 грн
629+22.57 грн
649+21.86 грн
1000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141CMT2RRohm SemiconductorDescription: PIN DIODE 50V 100MA VMN2M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.8pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 2Ohm @ 3mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
на замовлення 7304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
11+29.54 грн
25+24.32 грн
100+17.29 грн
250+14.57 грн
500+12.89 грн
1000+11.30 грн
2500+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141CMT2RROHMDescription: ROHM - RN141CMT2R - HF/pin-Diode, Einfach, 2 ohm, SOD-923, 2 Pins, 0.8 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Sperrspannung: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.8pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Widerstand bei If: 2ohm
на замовлення 7149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.81 грн
44+18.60 грн
100+12.00 грн
500+7.22 грн
1000+5.90 грн
5000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141CMT2RROHM SemiconductorPIN Diodes DIODE-SS 50V SOD-923
на замовлення 10078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.32 грн
31+10.32 грн
100+7.04 грн
500+6.70 грн
1000+6.42 грн
2500+6.14 грн
5000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141CMT2RRohm SemiconductorDescription: PIN DIODE 50V 100MA VMN2M
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 2Ohm @ 3mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.8pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SOD-923
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141CMT2RRohm SemiconductorDiode PIN Switch 50V 100mA 2-Pin VMN-M T/R
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
705+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141CMT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD923
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.8pF
на замовлення 7785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.11 грн
33+12.63 грн
39+10.89 грн
46+9.06 грн
100+7.23 грн
250+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141CMT2RROHMDescription: ROHM - RN141CMT2R - HF/pin-Diode, Einfach, 2 ohm, SOD-923, 2 Pins, 0.8 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.8pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Widerstand bei If: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.94 грн
500+7.29 грн
1000+6.41 грн
5000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141GT2RROHM SemiconductorPIN Diodes 50V; 100mA PIN Diode
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN141GT2RRohm SemiconductorDiode PIN Switch 50V 100mA 2-Pin VMD T/R
на замовлення 6426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+9.28 грн
1579+8.98 грн
2500+8.71 грн
5000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141GT2RRohm SemiconductorDiode PIN Switch 50V 100mA 2-Pin VMD T/R
на замовлення 7762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2312+6.13 грн
2389+5.93 грн
2424+5.85 грн
2464+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 2312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141GT2RRohm SemiconductorDescription: DIODE PIN HF SW 50V 100MA VMD2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141GT2RRohm SemiconductorDiode PIN Switch 50V 100mA 2-Pin VMD T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2312+6.13 грн
2389+5.93 грн
2424+5.85 грн
2464+5.55 грн
8000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 2312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141STE61Rohm SemiconductorDescription: RF DIODE PIN 50V EMD2
Current - Max: 100 mA
Supplier Device Package: EMD2
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 2Ohm @ 3mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.8pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
14+21.46 грн
25+19.35 грн
100+12.56 грн
250+10.58 грн
500+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN141STE61Rohm SemiconductorDescription: RF DIODE PIN 50V EMD2
Current - Max: 100 mA
Supplier Device Package: EMD2
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 2Ohm @ 3mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.8pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN141STE61ROHM SemiconductorPIN Diodes DIODE PIN SWITCH 50V 2PIN EMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-0.5-02Schaffner EMC Inc.Description: COMMON MODE CHOKE 500MA 2 LN T/H
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-0.5-02-82MSchaffner EMC Inc.Description: CMC 82MH 500MA 2LN TH
Inductance @ Frequency: 82 mH @ 10 kHz
Part Status: Active
DC Resistance (DCR) (Max): 2.7Ohm (Typ)
Current Rating (Max): 500mA
Voltage Rating - AC: 300V
Height (Max): 0.787" (20.00mm)
Approval Agency: ENEC, UR, VDE
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Number of Lines: 2
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 1.303" L x 1.280" W (33.10mm x 32.50mm)
Filter Type: Power Line
Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin
Packaging: Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.22 грн
10+246.27 грн
25+224.87 грн
50+180.89 грн
100+165.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-0.5-02-82MTE Connectivity / SchaffnerCommon Mode Chokes / Filters 0.5A 82mH 2700mOhm Horizontal Choke
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-1-02Schaffner EMC Inc.Description: COMMON MODE CHOKE 1A 2 LN T/H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-1-02SchaffnerCommon Mode Chokes / Filters 1A 33mH/path CURRENT-COMPENSATED
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-1-02-33MSchaffnerCommon Mode Chokes Dual 33000uH 10kHz 1A 0.81Ohm DCR Thru-Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-1-02-33MSchaffner EMC Inc.Description: CMC 33MH 1A 2LN TH
Inductance @ Frequency: 33 mH @ 10 kHz
DC Resistance (DCR) (Max): 810mOhm (Typ)
Current Rating (Max): 1A
Voltage Rating - AC: 300V
Height (Max): 0.787" (20.00mm)
Approval Agency: ENEC, UR, VDE
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Number of Lines: 2
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 1.303" L x 1.280" W (33.10mm x 32.50mm)
Filter Type: Power Line
Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin
Packaging: Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.73 грн
10+250.31 грн
25+226.19 грн
50+196.59 грн
100+182.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-1-02-33MTE Connectivity / SchaffnerCommon Mode Chokes / Filters 1A 33mH 810mOhm Horizontal Choke
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.31 грн
10+230.23 грн
20+182.25 грн
50+174.66 грн
100+164.30 грн
200+153.26 грн
500+148.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-1-02-33MSchaffnerCommon Mode Chokes Dual 33000uH 10kHz 1A 0.81Ohm DCR Thru-Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-1.4-02SchaffnerCommon Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 1.4A 0.5Ohm DCR Thru-Hole
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-1.4-02SchaffnerCommon Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 1.4A 0.5Ohm DCR Thru-Hole
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-1.4-02Schaffner EMC Inc.Description: COMMON MODE CHOKE 1.4A 2 LN T/H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-1.4-02-27MTE Connectivity / SchaffnerCommon Mode Chokes / Filters 1.4A 27mH 500mOhm Horizontal Choke
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN142-1.4-02-27MSchaffnerCommon Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 1.4A 0.5Ohm DCR Thru-Hole
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+205.44 грн
300+203.32 грн
500+202.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]