Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7430TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V | на замовлення 6145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7430TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 148800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V | на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC | на замовлення 4090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Drain current: 426A | на замовлення 786 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7430TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7434 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7434-7P | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7434-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7434-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7434PBF | Infineon / IR | MOSFET 40V StrongIRFET 195A,1.6mOhm,216nC | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7434PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00125 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 195 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 294 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7434PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V | на замовлення 4351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7434TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 362A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7434TRL7PP | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 40V; 20V; 1,5mOhm; 362A; 245W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFS7434-7-GURT; IRFS7434TRL7PP; IRFS7434-7-GURT; IRFS7434-7P; IRFS7434TRL7PP-VB; IRFS743434TRL7PP TIRFS7434-7 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7434TRL7PP Код товару: 191369
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 | на замовлення 5474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7434TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 362A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7434TRL7PP | Infineon | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7434TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7434TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7434TRLPBF | Infineon | на замовлення 53600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS7434TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V | на замовлення 7050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7434TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V StrongIRFET 195A,1.6mOhm,216nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7434TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 294W; D2PAK,TO263AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 320A Power dissipation: 294W Case: D2PAK; TO263AB On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 216nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7434TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7434TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7434TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7434TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS7437-7PPBF | Infineon / IR | MOSFET 40V, 195A, 1.4 mOhm 150 nC Qg, D2-7pin | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7437-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7437 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7437PBF | Infineon / IR | MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, D2-Pak | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7437PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7437 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 231W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7437TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 29600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7437 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 195A 1.5mOhm 150nC StrongIRFET | на замовлення 704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 32356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | на замовлення 406 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF Код товару: 176698
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 77300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | на замовлення 6214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7440 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS7440PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7440PBF | Infineon / IR | MOSFET 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, D2-Pak | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7440PBF Код товару: 187317
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7440TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET | на замовлення 3893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | на замовлення 6261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|