Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS750A | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFS750A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS750A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS750A | ON Semiconductor | IRFS750A | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS750A | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFS7530-7P | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7530-7PPBF Код товару: 142856
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFS7530-7PPBF | International Rectifier | MOSFET N-Ch 60V 240A TO-263-7 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7530-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7530-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7530-TRL7PP | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 240 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 12960 @ 25, Qg, нКл = 354 @ 10 B, Rds = 1,4 мОм, Ugs(th) = 3,7 @ 250 мкА, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7530PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7530PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7 Case: D2PAK-7 Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 236nC On-state resistance: 1.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 240A Power dissipation: 375W | на замовлення 365 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | International Rectifier | N-Channel 60V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 11387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK | на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP Код товару: 115659
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V | на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7530TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7530TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 295A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | на замовлення 757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 295A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V | на замовлення 6747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7534-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N CH 60V 240A D2PAK | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7534-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS75347PPBF | Infineon Technologies | Description: HEXFET POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7534PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7534PBF | International Rectifier | 60 V, 240 A, D2PAK-7 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7534PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7534TRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRL; IRFS7534 TIRFS7534 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 18400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7534TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7537PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N CH 60V 173A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7537PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 173A D2PAK Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7537TRL | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 60V 173A IRFS7537TRL IRFS7537 TIRFS7537 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 173A D2PAK | на замовлення 558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 24225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7540 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7540PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | на замовлення 681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7540PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 110A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

