Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFS9N60A
Код товару: 77974
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 600 V
Idd,A: 5,8 A
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+90.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS9N60APBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+174.07 грн
110+129.84 грн
116+123.23 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.84 грн
10+114.87 грн
100+105.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+222.44 грн
73+196.48 грн
87+164.04 грн
89+154.11 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.38 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.73 грн
50+153.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+206.41 грн
73+194.72 грн
100+142.39 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+205.42 грн
77+184.27 грн
137+103.86 грн
138+99.15 грн
250+90.89 грн
500+86.38 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.83 грн
65+218.27 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.03 грн
102+139.58 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.07 грн
10+129.84 грн
100+123.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+198.19 грн
100+196.33 грн
500+191.70 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.72 грн
10+138.92 грн
100+98.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.55 грн
10+124.56 грн
100+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+259.78 грн
50+111.79 грн
100+104.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.34 грн
114+124.40 грн
120+118.41 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.75 грн
10+213.60 грн
100+134.77 грн
500+108.93 грн
800+104.74 грн
2400+99.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF
Код товару: 44716
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.21 грн
9+92.01 грн
10+88.84 грн
25+84.81 грн
100+76.52 грн
250+70.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+92.01 грн
160+88.84 грн
162+87.95 грн
166+82.64 грн
250+73.41 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.73 грн
10+196.83 грн
100+139.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFIR2006
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.73 грн
10+196.83 грн
100+139.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.97 грн
10+224.04 грн
100+138.26 грн
500+111.72 грн
800+101.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFSL11N50APBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO262 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.49 грн
10+214.41 грн
100+138.96 грн
500+113.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF
Код товару: 206444
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.63 грн
10+100.86 грн
50+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVishayTransistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL17N20D
на замовлення 553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL17N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL17N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N15D
на замовлення 853 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N20D102PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 240A 1.7mOhm 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004TRLPbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004TRRPbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+281.14 грн
500+265.78 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL3107PBF - IRFSL3107 75V SINGLE N-CHANNEL HEXFET P
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+227.29 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.87 грн
10+436.84 грн
100+310.73 грн
500+265.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+281.14 грн
500+265.78 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+194.74 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL31N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL31N20D
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL31N20DTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL31N20DTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.67 грн
50+119.63 грн
100+108.17 грн
500+82.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
903+92.21 грн
Мінімальне замовлення: 903 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+178.37 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+178.37 грн
500+160.65 грн
1000+147.66 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.62 грн
10+115.63 грн
100+92.87 грн
500+75.41 грн
1000+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 180A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+123.14 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0033 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+184.28 грн
500+174.82 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.37 грн
10+301.35 грн
100+257.00 грн
500+217.12 грн
1000+180.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.39 грн
50+133.15 грн
100+114.13 грн
500+104.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+290.25 грн
58+248.61 грн
116+122.36 грн
1000+116.79 грн
5000+107.06 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.94 грн
10+183.09 грн
100+135.47 грн
500+118.71 грн
1000+106.84 грн
5000+106.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+392.96 грн
69+207.99 грн
100+189.51 грн
500+151.25 грн
1000+129.24 грн
2000+122.83 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+326.72 грн
46+311.74 грн
55+261.78 грн
100+218.71 грн
250+198.94 грн
500+173.86 грн
1000+153.30 грн
2000+144.74 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+194.91 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]