Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762TRLPBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.63 грн
25+64.33 грн
100+60.72 грн
250+55.66 грн
500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762TRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.35 грн
500+134.06 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS820BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS820BFAIRCHILDIRFS820B
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 1916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS820BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS820B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1886 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS820BTonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS830FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS830BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS830B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS830Bonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS830BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 19132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS840FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS840BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS840B
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9630IR96 TO220
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS9N60APBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60A
Код товару: 77974
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 5,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,75 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/49
Монтаж: SMD
на замовлення: 4 шт
  • 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+90.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.30 грн
110+129.27 грн
116+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+221.45 грн
73+195.61 грн
87+163.31 грн
89+153.43 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.71 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.35 грн
50+152.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.49 грн
73+193.85 грн
100+141.76 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.51 грн
77+183.45 грн
137+103.40 грн
138+98.71 грн
250+90.48 грн
500+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 170W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.63 грн
50+111.29 грн
100+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+224.82 грн
65+217.30 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.21 грн
102+138.96 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.30 грн
10+129.27 грн
100+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.30 грн
100+195.46 грн
500+190.85 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.82 грн
10+124.01 грн
100+118.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+162.62 грн
114+123.85 грн
120+117.88 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.35 грн
10+195.96 грн
100+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF
Код товару: 44716
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.52 грн
9+91.60 грн
10+88.44 грн
25+84.43 грн
100+76.18 грн
250+70.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.60 грн
160+88.44 грн
162+87.56 грн
166+82.27 грн
250+73.08 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.35 грн
10+195.96 грн
100+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFIR2006
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFSL11N50APBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.13 грн
10+100.41 грн
50+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVishayTransistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF
Код товару: 206444
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO262 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL17N20D
на замовлення 553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL17N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL17N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N15D
на замовлення 853 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N20D102PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 240A 1.7mOhm 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004TRLPbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004TRRPbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+193.87 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL3107PBF - IRFSL3107 75V SINGLE N-CHANNEL HEXFET P
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+279.89 грн
500+264.60 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]