Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFS7530TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
на замовлення 6403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+395.95 грн
10+266.24 грн
25+263.55 грн
50+241.74 грн
100+152.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+175.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+166.99 грн
500+157.58 грн
1000+149.35 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 6692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.77 грн
10+230.54 грн
50+180.23 грн
100+153.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+134.28 грн
2400+117.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2mΩ
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 274nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS75347PPBFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534PBFInternational Rectifier60 V, 240 A, D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRL; IRFS7534 TIRFS7534
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+135.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7534TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.95 грн
1600+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.76 грн
1600+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+202.27 грн
500+194.04 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+194.04 грн
500+184.63 грн
1000+174.05 грн
10000+157.63 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+390.43 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.70 грн
1600+109.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+194.04 грн
500+184.63 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+105.84 грн
1600+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.62 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+105.43 грн
1600+104.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.67 грн
1600+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.48 грн
10+188.41 грн
100+132.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.10 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.54 грн
1600+98.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+329.28 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 60V 173A IRFS7537TRL IRFS7537 TIRFS7537
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+169.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.41 грн
2400+63.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.51 грн
2400+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.99 грн
2400+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+210.74 грн
97+146.76 грн
100+144.88 грн
200+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.30 грн
10+151.31 грн
50+116.32 грн
100+98.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.58 грн
2400+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.01 грн
500+104.42 грн
1000+96.29 грн
10000+82.78 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 173A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.00 грн
2400+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.01 грн
500+104.42 грн
1000+96.29 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540PBFInfineon / IRMOSFET MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.13 грн
10+231.27 грн
25+213.69 грн
50+192.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.51 грн
173+81.69 грн
189+74.88 грн
250+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.09 грн
10+117.40 грн
100+80.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+237.08 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.41 грн
1600+76.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.11 грн
1600+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7540TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.63 грн
10+82.51 грн
25+81.69 грн
100+72.20 грн
250+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730
Код товару: 105699
Додати до обраних Обраний товар
International RectifierТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730-7PInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730-7PPBFInfineon
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.46 грн
500+154.06 грн
1000+145.82 грн
10000+132.68 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.05 грн
500+164.64 грн
1000+156.41 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+171.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+390.18 грн
10+266.18 грн
50+217.08 грн
100+160.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+173.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.47 грн
10+201.05 грн
50+156.32 грн
100+133.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineonN-Channel 75 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]