Продукція > TSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM2303CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+15.96 грн
60+12.67 грн
105+6.95 грн
250+6.37 грн
500+6.04 грн
1000+5.97 грн
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFG-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.55 грн
3000+3.11 грн
6000+3.01 грн
15000+2.73 грн
30000+2.63 грн
75000+2.39 грн
150000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CXTaiwan SemiconductorMOSFET -20V, -3.2A, Single P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 91054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+37.24 грн
100+24.18 грн
500+17.40 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan SemiconductorP Channel Power MOSFET
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+9.86 грн
15000+9.34 грн
21000+9.02 грн
30000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs -20V, -3.2A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.96 грн
6000+13.24 грн
9000+12.65 грн
15000+11.25 грн
21000+10.88 грн
30000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; TSM2305CX RFG TSM2305CX TTSM2305cx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan SemiconductorP Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan SemiconductorP Channel Power MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+9.87 грн
15000+9.35 грн
21000+9.04 грн
30000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CXTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CXTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2306CX RFG TTSM2306cx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 61190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+40.98 грн
100+26.68 грн
500+19.26 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2306CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.63 грн
6000+14.74 грн
9000+14.09 грн
15000+12.54 грн
21000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 3.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.53 грн
1000+2.37 грн
3000+2.21 грн
6000+2.04 грн
15000+1.98 грн
30000+1.89 грн
75000+1.75 грн
150000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CXTaiwan SemiconductorMOSFET 30V P channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2307CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
на замовлення 15344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 800mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 3A; 1,25W; -50°C ~ 150°C; TSM2307CX RFG TSM2307CX TTSM2307cx
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFET -30V -3A Single P-Ch annel Power MOSFET
на замовлення 13935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2307CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
на замовлення 15344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CXTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 3A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V
на замовлення 7264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+56.84 грн
100+37.48 грн
500+27.38 грн
1000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; TSM2308CX RFG TSM2308CX TTSM2308cx
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFGTaiwan SemiconductorN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.11 грн
6000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFGTaiwan SemiconductorN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFG-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 86mOhm; 4A; 1,66W; -55°C ~ 150°C; Replacement for: TSM2308CX RFG; TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI TTSM2308cx VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CXTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CXTaiwan SemiconductorMOSFET -60V, -3.1A, Single P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CXTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -60V, -3.1A, SINGLE P-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.88 грн
6000+11.79 грн
9000+10.50 грн
15000+9.97 грн
21000+8.94 грн
30000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 74494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
11+29.39 грн
50+21.40 грн
100+17.67 грн
500+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs -60V, -3.1A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.88 грн
6000+11.79 грн
9000+10.50 грн
15000+9.97 грн
21000+8.94 грн
30000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.68 грн
9000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorP Chanel Mosfet Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.56W
Gate charge: 8.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.24Ω
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.85 грн
21+20.28 грн
100+15.87 грн
500+13.05 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RKGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RKGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RKGTaiwan SemiconductorMOSFET -60V, -3.1A, Single P-Channel MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CITaiwan SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 50A ITO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 50A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CPTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 53W; -55°C ~ 150°C; TSM230N06CP ROG TSM230N06CP TTSM230n06cp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 15738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.83 грн
50+38.38 грн
100+31.96 грн
500+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 32A; 53W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Power dissipation: 53W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.13 грн
7500+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56Taiwan SemiconductorMOSFET 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin PDFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.06 грн
10+67.91 грн
100+45.38 грн
500+33.53 грн
1000+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin PDFN EP
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2310CX
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2310CX RFTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX RFG-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.55 грн
3000+3.11 грн
6000+3.01 грн
15000+2.73 грн
30000+2.63 грн
75000+2.39 грн
150000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX-01 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CXRF
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 480mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.70 грн
11+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 152875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+36.05 грн
100+24.74 грн
500+18.38 грн
1000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2312CX RFG TTSM2312cx
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 4.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.55 грн
3000+3.11 грн
6000+3.01 грн
15000+2.73 грн
30000+2.63 грн
75000+2.39 грн
150000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2313CX
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2313CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.03 грн
6000+13.32 грн
9000+12.73 грн
15000+11.32 грн
21000+10.96 грн
30000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.85 грн
11+38.39 грн
50+27.09 грн
100+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2314CX RFG TTSM2314cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.