Продукція > tsm
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM250NB06LDCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 29A, Dual N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM250NB06LDCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 29A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2537CQ | Taiwan Semiconductor | TSM2537CQ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2537CQ | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -20V, -9.5A, Complementary, N and P-channel dual MOSFETs;20V, 13A, Complementary, N and P-channel dual MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2537CQ RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 20V 11.6A 6TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc), 9A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 677pF @ 10V, 744pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2) | на замовлення 9694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2537CQ RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6-Pin TDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2537CQ RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 20V, 13A, -20V, -9.5A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET | на замовлення 16774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2537CQ RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 20V 11.6A 6TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc), 9A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 677pF @ 10V, 744pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2537CQ RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6-Pin TDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2538CQ | Taiwan Semiconductor | TSM2538CQ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2538CQ RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.5A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.89W (Ta), 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 10A (Tc), 4.4A (Ta), 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534pF @ 10V, 909pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 4.5V, 70mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V, 9.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) | на замовлення 11677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2538CQ RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.5A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.89W (Ta), 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 10A (Tc), 4.4A (Ta), 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534pF @ 10V, 909pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 4.5V, 70mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V, 9.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM25N03CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET 25V N channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM260P02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM260P02CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM260P02CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -20V, -6.5A, Single P-Channel Power MOSFET | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM260P02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | на замовлення 12001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM260P02CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.56W; SOT23 Kind of channel: enhancement Case: SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.1A Gate charge: 19.5nC On-state resistance: 26mΩ Power dissipation: 1.56W Gate-source voltage: ±10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM260P02CX6 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -20V, -6.5A, Single P-Channel Power MOSFET | на замовлення 17293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM260P02CX6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM260P02CX6 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM260P02CX6 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM260P02CX6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V | на замовлення 10596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM260P02CX6 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM27C010A-12JL | на замовлення 391 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM27M2CN | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM280NB06LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM280NB06LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM280NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V | на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM280NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM280NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM280NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM280NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 8101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2832CY | TSM | SOT-89 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM28S-28D | ИэЕЖ/ | 07+ SOT-23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM28S-28D/M28S | N/A | SOT-23 03+ | на замовлення 8250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2A-503H | на замовлення 62815 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2A-503J | на замовлення 62815 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2A-503K | на замовлення 62815 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2A-683F | на замовлення 72591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2A-683G | на замовлення 72591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2A-683H | на замовлення 72591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2A-683J | на замовлення 72591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2A-683K | на замовлення 72591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2A102J3203RZ | Thinking Electronics Industrial Co. | Description: Thermistor 1 KoHms +/-1% 240W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C B25/85: 3200K B Value Tolerance: ±3% Resistance in Ohms @ 25°C: 1k Resistance Tolerance: ±5% Part Status: Active Power - Max: 240 mW | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2A103F34D1R | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2A103F34D1RZ | 0805T | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TSM2A103F3951RZ | Thinking Electronics Industrial Co. | Description: Thermistor 10 KoHms +/-1% 240W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C B25/85: 3950K B Value Tolerance: ±1% Resistance in Ohms @ 25°C: 10k Resistance Tolerance: ±1% Part Status: Active Power - Max: 240 mW | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2A103F39H1RZ | Thinking Electronics Industrial Co. | Description: NTC 0805 10 KoHm +/-1% Pmax 240W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C B25/85: 3975K B Value Tolerance: ±1% Resistance in Ohms @ 25°C: 10k Resistance Tolerance: ±1% Part Status: Active Power - Max: 240 mW | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2A103H39H1RZ | Thinking Electronics Industrial Co. | Description: NTC 0805 10 KoHm +/-3% Pmax 240W Power - Max: 240 mW Part Status: Active Resistance Tolerance: ±3% Resistance in Ohms @ 25°C: 10k B Value Tolerance: ±1% B25/85: 3975K Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 0805 (2012 Metric) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2A103H39H2RZ | Thinking Electronics Industrial Co. | Description: Thermistor 10 KoHm +/-3% 240W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C B25/85: 3975K B Value Tolerance: ±2% Resistance in Ohms @ 25°C: 10k Resistance Tolerance: ±3% Part Status: Active Power - Max: 240 mW | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2A103J34D3RZ | Thinking Electronics Industrial Co. | Description: NTC 0805 10 KoHm +/-5% Pmax 240W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C B25/85: 3435K B Value Tolerance: ±3% Resistance in Ohms @ 25°C: 10k Resistance Tolerance: ±5% Part Status: Active Power - Max: 240 mW | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2A103J39H3R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2A103K3953RY | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2A104F39H1RZ | Thinking Electronics Industrial Co. | Description: NTC 0805 100 KoHm +/-1% Pmax 240 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 0805 (2012 Metric) Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 240 mW Part Status: Active Resistance Tolerance: ±1% Resistance in Ohms @ 25°C: 100k B Value Tolerance: ±1% B25/85: 3975K | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2A204H39H3R | 0805T | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TSM2A224J39H1RZ | Thinking Electronics Industrial Co. | Description: Thermistor 220 KoHms +/-5% 240W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C B25/85: 3975K B Value Tolerance: ±1% Resistance in Ohms @ 25°C: 220k Resistance Tolerance: ±5% Part Status: Active Power - Max: 240 mW | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2A224J39H3R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2A472J34D2RZ 4,7 кОм 5% | TKS | NTC-термистор 0805 Термістори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2A472J34D3RZ | Thinking Electronics Industrial Co. | Description: NTC 0805 4.7 KoHm +/-5% Pmax 240 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C B25/85: 3435K B Value Tolerance: ±3% Resistance in Ohms @ 25°C: 4.7k Resistance Tolerance: ±5% Part Status: Active Power - Max: 240 mW | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2A473FA01R | 0805T | на замовлення 154000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TSM2A473HA01R | 0805T | на замовлення 91000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TSM2B103J3653RZ | Thinking Electronics Industrial Co. | Description: Thermistor 10 KoHm +/-5% 240W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C B25/50: 3650K B Value Tolerance: ±3% Resistance in Ohms @ 25°C: 10k Resistance Tolerance: ±5% Part Status: Active Power - Max: 240 mW | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2B223J3953RZA | Thinking Electronics Industrial Co. | Description: Thermistor 22 KoHm +/-5% 240W Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 240 mW Part Status: Active Resistance Tolerance: ±5% Resistance in Ohms @ 25°C: 22k B Value Tolerance: ±3% B25/50: 3950K Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 0805 (2012 Metric) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2C206M035CH6410H493 | KEMET | Description: CAP TANT SMD STACK LOW ESR Voltage - Rated: 35 V Capacitance: 20 µF Failure Rate: C (0.01%) Height - Seated (Max): 0.224" (5.68mm) Manufacturer Size Code: 2C ESR (Equivalent Series Resistance): 1Ohm @ 100kHz Ratings: COTS Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Type: Molded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.256" L x 0.130" W (6.50mm x 3.30mm) Package / Case: Stacked SMD, 2 J-Lead Features: High Reliability Tolerance: ±20% Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2D447M010AH6410D493 | KEMET | Tantalum Capacitors - Solid SMD 10V 440uF 2917 20% ESR=250mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2D447M010AH6410D493 | KEMET | Description: CAP TANT 440UF 20% 10V SMD Tolerance: ±20% Features: High Reliability Packaging: Tray Package / Case: Stacked SMD, 2 J-Lead Size / Dimension: 0.315" L x 0.173" W (8.00mm x 4.40mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Molded Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Ratings: COTS ESR (Equivalent Series Resistance): 250mOhm Manufacturer Size Code: 2D Height - Seated (Max): 0.259" (6.58mm) Part Status: Active Capacitance: 440 µF Voltage - Rated: 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N100CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 1000V, 1.85A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N100CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251 | на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N100CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N100CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 1000V 1.85A 8.5 Ohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N100CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2N100CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 1000V 1.85A 8.5 Ohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N100CP ROG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 8,5Ohm; 1,85A; 77W; -55°C ~ 150°C; TSM2N100CP ROG TSM2N100CP TTSM2n100cp кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2N100CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252 | на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N100CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N100CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2N60CH | на замовлення 390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2N60CP | на замовлення 6185 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2N60CPRO | на замовлення 1148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TSM2N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 | на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 187 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 | на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor | N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor | N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2N60SCW | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 2Amp N channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60SCW RP | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 2Amp N channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 0.6A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A T/R TSM2N60SCW RPG TTSM2n60scw кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM2N7000CT | Taiwan Semiconductor | N-канальный ПТ (Vds=60V, Id=0.20A, Rds... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |