Продукція > 2N6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N6515 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+58.99 грн
100+32.45 грн
500+20.09 грн
1000+15.05 грн
2500+12.91 грн
5000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6515 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 250Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6515 TRE PBFREECentral Semiconductor2N6515 TRE PBFREE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6515 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6515RLRMonsemiDescription: TRANS NPN 250V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6515RLRMGonsemiDescription: TRANS NPN 250V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6515RLRMGON Semiconductor
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6516 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6516 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6516 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6516 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6516 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6516 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517On SemiconductorTO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517onsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 350V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517YFWNPN 500mA 350V 620mW 2N6517 T2N6517
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517onsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517DC ComponentsTO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 (LEGACY FAIRCHILD)onsemi NPN/350V/0.5A/30-200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 2361
1 Додати до обраних Обраний товар
MotorolaТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 350 V
Ucbo,V: 350 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
у наявності: 1780 шт
  • 1283 шт - склад
  • 55 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 390 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+7.00 грн
10+6.00 грн
100+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
10+61.84 грн
100+21.81 грн
500+21.68 грн
1000+20.71 грн
2500+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 350Vcbo 350Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BUonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.51 грн
100+9.13 грн
500+6.35 грн
1000+5.64 грн
2000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BUONS/FAITRANS NPN 350V 0.5A TO92-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.82 грн
20+16.12 грн
100+8.84 грн
500+6.56 грн
1000+5.18 грн
2500+4.90 грн
5000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.24 грн
55+14.82 грн
100+9.34 грн
500+6.12 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4465+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BUVishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 20...200
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.25 грн
500+4.06 грн
2000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517CBUonsemiDescription: TRANS NPN 400V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517CTAonsemiDescription: TRANS NPN 400V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517CTAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517CTAONS/FAITO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517CTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 461024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8265+4.29 грн
10000+3.82 грн
100000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 8265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517GOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 500mA; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Case: TO92
Mounting: THT
Power: 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517RLRAGON Semiconductor
на замовлення 315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517RLRPonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517RLRPToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517RLRPGonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+12.60 грн
1174+12.08 грн
1516+9.36 грн
2084+6.56 грн
3000+5.33 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 1126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517TAONS/FAITO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517TAonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 6196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
21+14.28 грн
100+8.94 грн
500+6.22 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2718+5.22 грн
4000+5.02 грн
8000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 2718 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517TA
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517TAonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 7618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
21+15.24 грн
100+8.28 грн
500+6.14 грн
1000+5.45 грн
2000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.41 грн
38+20.05 грн
48+15.96 грн
100+12.15 грн
250+10.78 грн
500+8.02 грн
1000+5.83 грн
3000+5.12 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6517TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.52 грн
56+14.58 грн
100+9.18 грн
500+6.30 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517TAonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.14 грн
4000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517TAONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Current gain: 30...200
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.37 грн
28+14.87 грн
35+11.97 грн
100+8.42 грн
250+6.76 грн
500+5.81 грн
1000+5.05 грн
2000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6518onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6518 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6518 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6518 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 250Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6518 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6518 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6518BUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 0.5A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6518TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6518TA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6411+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6518TAON Semiconductor2N6518TA
на замовлення 11540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.50 грн
10000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6518TAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 250V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 11620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519 TIN/LEADCentral SemiconductorSilicon Complementary High Voltage Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519BUonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519RLRAonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 9041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 2019 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519RLRAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3040+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519RLRAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6519RLRA - 2N6519RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6519TAonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N651AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N652MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6520Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6520DC ComponentsТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6520
на замовлення 19706 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6520 (транзистор біполярний PNP)
Код товару: 1117
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, MHz: 200 MHz
Напруга Uке, V: 350 V
Напруга Uкб, V: 350 V
Струм Iк, A: 0,5 A
Коефіцієнт підсилення h21, max: 200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6520 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]