Продукція > 2N6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6509TG | Littelfuse Inc. | Description: SCR 800V 25A TO-220AB Packaging: Box Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 250A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.8 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A Voltage - Off State: 800 V | на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6509TG | Littelfuse | SCR 800V 25A(RMS) 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6509TG | ON | TO220 09+ | на замовлення 1750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N650A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N651 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N6510 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N6510 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 200V 7A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 120 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6511 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N6511 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 250V 7A TO204AA Power - Max: 120 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 800µA, 4mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6512 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6512 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N6512 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 7A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 800mA, 4A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 3V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 120 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6513 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 7A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 120 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6513 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6513 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N6514 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6514 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N6514 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 7A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 120 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6515 | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6515 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 250V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6515 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6515 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6515 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | на замовлення 6468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6515 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 250Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6515RLRM | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6515RLRMG | ON Semiconductor | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N6515RLRMG | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6516 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6516 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6516 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6516 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6516 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6516 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO92 Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 | DC Components | TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 | On Semiconductor | TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 | YFW | NPN 500mA 350V 620mW 2N6517 T2N6517 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6517 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 (LEGACY FAIRCHILD) | onsemi | NPN/350V/0.5A/30-200 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 2361
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Motorola | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 Гранична частота fT: 200 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 350 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 350 В Струм колектора Ic, А: 0,5 А Монтаж: THT | у наявності: 1823 шт
на замовлення: 140 шт
|
| ||||||||||||||||||
| 2N6517 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | на замовлення 2551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6517 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Box Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6517 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 350Vcbo 350Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517BU | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 8974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6517BU | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517BU | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 2554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6517BU | ONS/FAI | TRANS NPN 350V 0.5A TO92-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517BU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | на замовлення 8698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517BU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 40Hz...200MHz Collector current: 0.5A Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 20...200 | на замовлення 3580 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6517CBU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 0.5A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517CTA | ONS/FAI | TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517CTA | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 0.5A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517CTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 461024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6517CTA | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517G | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 500mA; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 0.5A Case: TO92 Mounting: THT Power: 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517G | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517RLRAG | ON Semiconductor | на замовлення 315 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N6517RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517RLRP | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517RLRP | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517RLRPG | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517TA | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 40...200MHz Collector current: 0.5A Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 30...200 | на замовлення 2065 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6517TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517TA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | на замовлення 7618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517TA | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6517TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6517TA | ONS/FAI | TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6517TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6517TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6517TA | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 6196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6517TA | на замовлення 9080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N6517TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6518 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6518 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 250Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6518 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6518 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6518BU | onsemi | Description: TRANS PNP 250V 0.5A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6518TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6518TA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6411 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6518TA | ON Semiconductor | 2N6518TA | на замовлення 11540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6518TA | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 250V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 11620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N6519 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N6519 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |

