Продукція > IPT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPT60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R037CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+286.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R037CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.10 грн
10+318.97 грн
100+240.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET, SJS7 Power Device
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+622.65 грн
29+500.26 грн
100+374.27 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
на замовлення 3758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+530.64 грн
10+347.35 грн
100+266.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+226.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+280.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.043 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
на замовлення 4516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+666.24 грн
10+439.96 грн
100+330.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.043 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+576.11 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.64 грн
10+307.27 грн
100+228.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R055CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+397.43 грн
45+316.53 грн
46+313.33 грн
100+241.76 грн
250+221.58 грн
500+203.99 грн
1000+197.28 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+397.43 грн
10+316.53 грн
25+313.33 грн
100+241.76 грн
250+221.58 грн
500+203.99 грн
1000+197.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R055CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.60 грн
10+141.44 грн
25+139.27 грн
100+132.20 грн
250+120.47 грн
500+113.79 грн
1000+111.94 грн
3000+110.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+240.44 грн
500+228.65 грн
1000+215.69 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1
Код товару: 213119
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.60 грн
100+141.44 грн
102+139.27 грн
104+132.20 грн
250+120.47 грн
500+113.79 грн
1000+111.94 грн
3000+110.00 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R070CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R070CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R070CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.07 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R070CM8XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 40A; 245W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 245W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.96 грн
10+289.99 грн
100+209.36 грн
500+164.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.64 грн
10+326.14 грн
100+237.10 грн
500+190.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+217.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.074 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.96 грн
10+218.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.074 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R099CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R099CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 186W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R099CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R099CM8XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 30A; 186W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 186W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R099CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R099CM8XTMA1
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 186W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.23 грн
10+241.08 грн
100+172.32 грн
500+145.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER NEW
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R105CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.69 грн
10+194.81 грн
100+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R105CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R105CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R120CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R120CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R120CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 400 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.90 грн
10+155.18 грн
100+108.15 грн
500+82.64 грн
1000+82.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R120CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R120CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER NEW
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R145CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R145CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R145CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
10+165.37 грн
100+116.24 грн
500+89.39 грн
1000+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R150G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.129 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 17A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 400 V
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.63 грн
10+170.73 грн
100+120.12 грн
500+92.45 грн
1000+85.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R150G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.129 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER NEW
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 17A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]