Продукція > NTH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTHS1206N17N1503JRVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 150K OHM 5% 1206
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N1503JUVishay DaleDescription: THERM NTC 150KOHM 4064K 1206
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N1503KEVishay DaleDescription: THERM NTC 150KOHM 4064K 1206
Part Status: Active
B25/75: 4064K
Resistance Tolerance: ±10%
Resistance in Ohms @ 25°C: 150k
B Value Tolerance: ±3%
B25/85: 4073K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N1503KGVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 150K OHM 10% 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N1503KRVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 150K OHM 10% 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N1503KUVishay DaleDescription: THERM NTC 150KOHM 4064K 1206
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N2003JEVishay DaleDescription: THERM NTC 200KOHM 4247K 1206
B25/75: 4247K
Resistance Tolerance: ±5%
Resistance in Ohms @ 25°C: 200k
B Value Tolerance: ±3%
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N2003JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 200Kohms 5%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N2003JRVishay DaleDescription: THERM NTC 200KOHM 4064K 1206
Resistance Tolerance: ±5%
Resistance in Ohms @ 25°C: 200k
B Value Tolerance: ±3%
B25/85: 4073K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
B25/75: 4064K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N2203JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 220Kohms 5%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N2203JEVishay DaleDescription: THERM NTC 220KOHM 4247K 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 220k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 4247K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N2203JFVishay DaleDescription: THERM NTC 220KOHM 4064K 1206
Packaging: Bulk
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 4073K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 220k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 4064K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N2203JPVishay DaleDescription: THERM NTC 220KOHM 4064K 1206
B25/75: 4064K
Resistance Tolerance: ±5%
Resistance in Ohms @ 25°C: 220k
B Value Tolerance: ±3%
B25/85: 4073K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N2203JPVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 220Kohms 5%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N17N2203JRVishay DaleDescription: THERM NTC 220KOHM 4064K 1206
Part Status: Active
B25/75: 4064K
Resistance Tolerance: ±5%
Resistance in Ohms @ 25°C: 220k
B Value Tolerance: ±3%
B25/85: 4073K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N1N5002JFVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 50Kohms 5%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N1N6802KEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 68Kohms 10%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1206N4N2203KEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 220Kohms 10%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS1210N04N1003JFVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 4247K 1210
B25/75: 4247K
Resistance Tolerance: ±5%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
B Value Tolerance: ±3%
B25/85: 4262K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS2101P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS2101PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 6.4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 611979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 1902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS2101PT1
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS2101PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 6.4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS2101PT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS2101PT1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.4 A, 0.019 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 681279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS2101PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS2101PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS2101PT1GON07+ TSOP1206-8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1ON09+
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.034 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.44 грн
500+31.40 грн
1500+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.16 грн
18+42.27 грн
25+40.96 грн
100+33.74 грн
250+31.07 грн
500+28.16 грн
1000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1GonsemiMOSFETs -20V -6.7A P-Channel
на замовлення 8107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V
на замовлення 7781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.82 грн
100+46.58 грн
500+34.38 грн
1000+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.034 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.55 грн
50+36.90 грн
100+35.44 грн
500+31.40 грн
1500+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4111P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4111PT1
на замовлення 3791 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4111PT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS4111PT1 - NTHS4111PT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1781+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 1781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4111PT1onsemiDescription: P-CHANNEL MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 24600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1562+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 1562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4111PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS4111PT1G - NTHS4111PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1781+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 1781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4166NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4166NT1GON Semiconductor
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4166NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4166NT1GonsemiMOSFET CHPFT SNGL 30V 8.2A NFET
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4501N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4501NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS4501NT1 - NTHS4501NT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4501NT1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4501NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4501NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 465350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4501NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 24 V
на замовлення 462350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4501NT1G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4502N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5402
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5402T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5402T1 - NTHS5402T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1687+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 1687 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5402T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5402T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404-T1
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5404T1 - NTHS5404T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404T1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
на замовлення 26169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404T1GonsemiMOSFET 20V 7.2A N-Channel
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404T1GON Semiconductor
на замовлення 8133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 5386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404TIG
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441/A3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441DC-T1
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1onsemiMOSFETs -20V -5.3A P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5441T1 - NTHS5441T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1GON
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1GonsemiMOSFETs -20V -5.3A P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5443
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5443T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2084 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5443T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5443T1 - NTHS5443T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5443T1GON SemiconductorMOSFET -20V -4.9A P-Channel
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5443T1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5443T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.056 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 568346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5443T1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5443T1GON(°ІЙ­ГА)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5443T1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5443T1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5443T1H - PFET CHPFT 20V 4.9A 65MOH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5445T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5445T1
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5445T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5445T1 - NTHS5445T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1781+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 1781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5445T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHSG2M35A472K04TE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHSL1100CPAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHSL1100CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHSL1200YPAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHSL1200YP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21