Продукція > NTH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTHS4501NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS4502N | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| NTHS5402 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| NTHS5402T1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5402T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHS5402T1 - NTHS5402T1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1687 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5402T1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| NTHS5404 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| NTHS5404-T1 | на замовлення 1530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| NTHS5404T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHS5404T1 - NTHS5404T1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 26169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5404T1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET | на замовлення 26169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2219 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5404T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5404T1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5404T1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V | на замовлення 5386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| NTHS5404T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5404T1G | onsemi | MOSFET 20V 7.2A N-Channel | на замовлення 3549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5404T1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5404TIG | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| NTHS5441 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| NTHS5441/A3L | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| NTHS5441DC-T1 | на замовлення 920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| NTHS5441PT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5441T1 | onsemi | MOSFETs -20V -5.3A P-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5441T1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| NTHS5441T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHS5441T1 - NTHS5441T1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5441T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5441T1G | ON | на замовлення 6300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| NTHS5441T1G | onsemi | MOSFETs -20V -5.3A P-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5441T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5443 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| NTHS5443T1 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2084 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5443T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHS5443T1 - NTHS5443T1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5443T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHS5443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.056 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 568346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5443T1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET | на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5443T1G | ON Semiconductor | MOSFET -20V -4.9A P-Channel | на замовлення 4619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5443T1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET | на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5443T1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5443T1H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHS5443T1H - PFET CHPFT 20V 4.9A 65MOH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5445T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHS5445T1 - NTHS5445T1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1781 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHS5445T1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| NTHS5445T1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHSG2M35A472K04TE | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| NTHSL1100CP | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHSL1100CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTHSL1200YP | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHSL1200YP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

